公开(公告)号：KR20210033627A

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020190115134A

申请日：2019-09-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이종성 ,  이승은

IPC: A61K31/05 ,  A61K8/34 ,  A61P17/00 ,  A61Q17/00 ,  A61Q19/00

CPC classification number: A61K31/05 ,  A61K8/347 ,  A61P17/00 ,  A61Q17/00 ,  A61Q19/00

Abstract: 본 발명은 레조르시놀 또는 페닐에틸레조르시놀을 포함하는 공기오염물질에 의해 유발되는 피부 질환 예방, 치료, 또는 개선용 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 레조르시놀 또는 페닐에틸레조르시놀은 벤조(α)피렌 및 미세먼지 등과 같은 공기오염물질에 의해 유도되는 XRE(Xenobiotic Response Element) 발현, CYP1A1(Cytochrome P450, family 1, subfamily A, polypeptide 1)의 단백질 또는 mRNA 발현, 또는 AhR(Aryl hydrocarbon receptor)의 핵 내로의 이동 등을 억제하는 효과를 나타냄으로써 피부 자극을 억제하는 것을 확인하였다. 이에, 본 발명의 레조르시놀 또는 페닐에틸레조르시놀은 공기오염물질에 의해 유발될 수 있는 여러 가지 피부 질환에 대한 치료제 또는 개선제 개발 분야에서 유용하게 이용될 수 있을 것으로 기대된다.

公开(公告)号：KR101016729B1

公开(公告)日：2011-02-25

申请号：KR1020090014518

申请日：2009-02-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  삼성전기주식회사

Inventor： 서수정 ,  임승규 ,  박인수 ,  나성훈 ,  김진수 ,  김태성 ,  김종천 ,  오용수 ,  이정원 ,  송병익 ,  이승은

IPC: H01C17/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y25/00

Abstract: 본 발명은 열안정성이 우수하며 높은 저항값을 가지는 세라믹-금속 나노복합체를 이용한 박막 내장형 저항체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 내장형 저항체는 세라믹-금속 나노복합체를 이용하여 제조됨으로써 산화 구조로 인해 산화의 영향을 적게 받아 우수한 열안정성을 나타낼 뿐만 높은 저항값을 나타내어 회로의 집적도를 높인 저항 내장형 인쇄회로기판 등에 사용될 수 있다.
박막 내장형 저항체, 산화실리콘, 백금, 열안정성, 고저항

公开(公告)号：KR1020100095308A

公开(公告)日：2010-08-30

申请号：KR1020090014518

申请日：2009-02-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  삼성전기주식회사

Inventor： 서수정 ,  임승규 ,  박인수 ,  나성훈 ,  김진수 ,  김태성 ,  김종천 ,  오용수 ,  이정원 ,  송병익 ,  이승은

IPC: H01C17/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y25/00

Abstract: PURPOSE: A thin film embedded resistor prepared using a ceramic-metal nano-composite is provided to increase the integration of a circuit, thereby allowing a user to implement a fine pitch member. CONSTITUTION: An oxidation silicon - platinum nano-composite is deposited on a substrate to distribute platinum particle inside a matrix. The oxidation silicon - platinum nano-composite has an atomic ratio of 67:33 or 42:58 of oxidation silicon and platinum, respectively. The size of the platinum particles distributed within the oxidation silicon matrix is 3-5 nm. The thin film embedded register has 3K at a TCR of 100 ppm.

Abstract translation: 目的：提供使用陶瓷 - 金属纳米复合材料制成的薄膜嵌入式电阻器，以增加电路的集成度，从而允许使用者实现细间距元件。 构成：将氧化硅 - 铂纳米复合材料沉积在基底上以将铂颗粒分布在基体内。 氧化硅 - 铂纳米复合材料的氧化硅和铂的原子比分别为67:33或42:58。 分布在氧化硅基质中的铂颗粒的尺寸为3-5nm。 薄膜嵌入寄存器在TCR为100ppm时具有3K。

公开(公告)号：KR102034878B1

公开(公告)日：2019-10-21

申请号：KR1020180053848

申请日：2018-05-10

Applicant: 주식회사 아미코스메틱 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이경록 ,  한병석 ,  방은지 ,  김지웅 ,  이종성 ,  이승은

IPC: G01N33/50 ,  C12Q1/66