-
公开(公告)号:KR102238223B1
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:KR1020190095118A
申请日:2019-08-05
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/0231 , H01L21/52 , H01L21/67092 , H01L22/12
Abstract: 본 발명은, 금속 입자가 분산된 접착성 고분자 용액을 회로 기판 상에 도포하여 상기 접착성 고분자 층이 상기 금속 입자를 커버하도록 접착성 고분자 층을 형성하는 단계; 상기 접착성 고분자 층을 건조하는 단계; 및 상기 건조된 접착성 고분자 층 상에 상기 회로 기판과 전기적 연결될 전자 소자를 위치시키고 상기 금속 입자 위에서 디웨팅을 일으키는 단계를 포함하는, 비등방성 접착성 고분자를 이용한 플립-칩 본딩 방법에 관한 것이다.
-
公开(公告)号:WO2020242176A1
公开(公告)日:2020-12-03
申请号:PCT/KR2020/006796
申请日:2020-05-26
Applicant: 삼성전자 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 다양한 실시예는 마이크로 엘이디 디스플레이 제작 방법이 개시된다. 개시된 제작 방법은 회로 부분을 포함하는 기판 일면에 복수 개의 금속 입자들을 함유한 고분자 접착 용액이 제1두께로 코팅되는 제1과정; 상기 고분자 접착 용액 상에 복수 개의 마이크로 엘이디 칩들이 배열된 후, 부착되는 제2과정; 상기 부착된 복수 개의 마이크로 엘이디 칩들이 가열 및 가압에 의해 하강하여, 상기 접속 패드가 상기 금속 입자 들과 가까워지고, 상기 금속 입자들 주변과 접속 패드 사이가 물리적으로 연결되는 제3과정; 및 가열 및 가압에 의해 상기 금속 입자들이 상기 접속 패드 및 상기 회로 부분과 각각 화학적으로 결합되어 상기 마이크로 엘이디 칩과 상기 회로 부분 사이가 전기적으로 연결되는 제4과정을 포함할 수 있다. 그 밖에 다양한 실시예들이 가능하다.
-
公开(公告)号:KR102238223B1
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:KR1020190095118
申请日:2019-08-05
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, 금속입자가분산된접착성고분자용액을회로기판상에도포하여상기접착성고분자층이상기금속입자를커버하도록접착성고분자층을형성하는단계; 상기접착성고분자층을건조하는단계; 및상기건조된접착성고분자층 상에상기회로기판과전기적연결될전자소자를위치시키고상기금속입자위에서디웨팅을일으키는단계를포함하는, 비등방성접착성고분자를이용한플립-칩본딩방법에관한것이다.
-
-