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公开(公告)号：WO2016175498A1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：PCT/KR2016/004129
申请日：2016-04-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/20
Abstract: 본 발명의 환원-산화그래핀의 제조 방법은 산화그래핀을 환원제에 노출시키는 단계 및 환원제에 노출된 산화그래핀에 광을 조사하여 산화그래핀을 환원시키는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 制备本发明的还原石墨烯氧化物的方法包括以下步骤：将氧化石墨烯曝光于还原剂; 并向暴露于还原剂的石墨烯氧化物照射光，以减少氧化石墨烯。
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公开(公告)号：KR101733861B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150059615
申请日：2015-04-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/20
Abstract: 본발명의환원된산화그래핀의제조방법은산화그래핀을환원제에노출시키는단계및 환원제에노출된산화그래핀에광을조사하여산화그래핀을환원시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 因此，本发明的还原的氧化是在销的制造方法包括通过照射暴露于还原剂的氧化的石墨烯和氧化物暴露于所述还原剂的步骤的步骤中，还原氧化石墨烯的石墨烯。
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公开(公告)号：KR1020160127984A
公开(公告)日：2016-11-07
申请号：KR1020150059615
申请日：2015-04-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/20
Abstract: 본발명의환원-산화그래핀의제조방법은산화그래핀을환원제에노출시키는단계및 환원제에노출된산화그래핀에광을조사하여산화그래핀을환원시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 制备本发明的还原石墨烯氧化物的方法包括以下步骤：将氧化石墨烯曝光于还原剂中; 并向暴露于还原剂的石墨烯氧化物照射光，以减少氧化石墨烯。
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