公开(公告)号：KR1020170138185A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：KR1020160070259

申请日：2016-06-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  조서현 ,  이재형 ,  정채환

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/786 ,  H01L21/78

Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체층형성방법은제 1 기판상에제 1 절연층을형성하고, 제 1 기판의일부를노출시키는시드영역을형성하는단계; 제 1 절연층상에 2차원물질로구성된박리층을형성하는단계; 박리층상에시드영역을통해노출된제1 기판과접하도록비정질반도체층을형성하는단계; 비정질반도체층을결정화하는단계; 및결정화된비정질반도체층을박리층으로부터분리시키는단계를포함한다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的形成半导体层的方法包括：在第一衬底上形成第一绝缘层;形成暴露第一衬底的一部分的籽晶区; 在第一绝缘层上形成由二维材料组成的释放层; 形成与通过剥离层上的剥离层暴露的第一基板接触的非晶半导体层; 结晶非晶半导体层; 并且将结晶的非晶半导体层与分层层分离。