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公开(公告)号:KR101843622B1
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:KR1020150180844
申请日:2015-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은블록공중합체의표면경화방법에관한것으로, 황이포함된가스를이용한플라즈마처리를통하여블록공중합체표면을경화함으로써, 경화및 열적안정성이낮은블록공중합체의표면을별도의공정과정없이간단하고저렴하게경화시켜, 블록공중합체마스크를통해실리콘및 이를포함하는피식각물의선택적인식각을직접진행할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号:KR1020170072988A
公开(公告)日:2017-06-28
申请号:KR1020150180844
申请日:2015-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은블록공중합체의표면경화방법에관한것으로, 황이포함된가스를이용한플라즈마처리를통하여블록공중합체표면을경화함으로써, 경화및 열적안정성이낮은블록공중합체의표면을별도의공정과정없이간단하고저렴하게경화시켜, 블록공중합체마스크를통해실리콘및 이를포함하는피식각물의선택적인식각을직접진행할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明块通过使用含有,下部嵌段共聚物的固化性和热稳定性的简单的表面上的气体,没有任何额外的制造过程通过等离子体处理固化所述嵌段共聚物表面涉及硫与共聚物的表面硬化方法, 并且被廉价地固化,使得可以直接通过嵌段共聚物掩模执行硅和包括硅的蚀刻溶液的选择性蚀刻。
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