公开(公告)号：KR102140312B1

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：KR1020180165590

申请日：2018-12-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조규진 ,  손준봉 ,  박혜진 ,  스레스타키란 ,  라즈코이라라기안 ,  김유신 ,  야돕프라바시 ,  파라줄리세잔 ,  바나라즈웨슬리프린스 ,  칼레아몰마로트라 ,  박진화 ,  이성근

IPC: G06K19/06 ,  G06K1/12

公开(公告)号：KR102242468B1

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：KR1020180165193

申请日：2018-12-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조규진 ,  바나라즈웨슬리프린스 ,  칼레아몰마로트라

IPC: C09D11/037 ,  C09D11/033 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 본발명에따른 n-형도핑잉크는용매부틸캐비톨에곁가지가붙은고분자에틸렌이민과, TiO2, ZnO, 및 IGZO 나노입자중 적어도하나를혼합하여제조된다. 또한, 본발명에따른 R2R(Roll-to-Roll) 또는 S2S(Sheet-to-Sheet) 그라비아인쇄방식으로 n-형박막트랜지스터를인쇄하는방법은, 게이트전극을포함한제1 전도성배선을, 실버잉크를사용하여인쇄하는단계, 상기전도성배선상에절연층을인쇄하는단계, 상기절연층상에활성층을인쇄하는단계, 상기활성층상에소스및 드레인전극들을포함한제2 전도성배선을, 실버잉크를사용하여인쇄하는단계, 및상기 n-형도핑잉크를, 점도 5 내지 200 센티포이즈(cP)를가지도록하면서표면장력을 30mN/m 이하로제어하여그라비아인쇄를수행하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020200076465A

公开(公告)日：2020-06-29

申请号：KR1020180165590

申请日：2018-12-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조규진 ,  손준봉 ,  박혜진 ,  스레스타키란 ,  라즈코이라라기안 ,  김유신 ,  야돕프라바시 ,  파라줄리세잔 ,  바나라즈웨슬리프린스 ,  칼레아몰마로트라 ,  박진화 ,  이성근

IPC: G06K19/06 ,  G06K1/12