그래핀 투명 전극 및 이를 포함하는 플렉시블 실리콘 박막 반도체 소자
    5.
    发明申请
    그래핀 투명 전극 및 이를 포함하는 플렉시블 실리콘 박막 반도체 소자 审中-公开
    透明石墨电极和含有其的柔性硅薄膜半导体器件

    公开(公告)号:WO2011081473A2

    公开(公告)日:2011-07-07

    申请号:PCT/KR2010/009555

    申请日:2010-12-30

    CPC classification number: H01L29/458

    Abstract: 본원은 그래핀 투명 전극, 이를 포함하는 플렉시블 실리콘 박막 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 화학 기상 증착법을 이용하여 제조되는 대면적 그래핀 필름을 도전막으로서 포함하는 그래핀 투명 전극을 이용하여 플렉시블하고 투명한 박막 반도체 소자를 용이하게 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 透明石墨烯电极及其制备方法技术领域本发明涉及透明石墨烯电极,含有该透明石墨烯电极的柔性硅薄膜半导体装置及其制备方法。 通过使用包含通过化学气相沉积制备的大面积石墨烯膜作为导电膜的透明石墨烯电极,可以容易地制备柔性和透明的薄膜半导体器件。

    플렉시블 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법
    7.
    发明公开
    플렉시블 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법 无效
    灵活的场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120034349A

    公开(公告)日:2012-04-12

    申请号:KR1020100095834

    申请日:2010-10-01

    CPC classification number: H01L29/0669 H01L29/16 H01L29/4908 H01L51/0045

    Abstract: PURPOSE: A flexible field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to manufacture low voltage operation graphene FET(Field Effect Transistor) array on a plastic substrate by using ionic gel for a gate insulator. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes a carbon nano-structure which is arranged to form a channel region between a source electrode and a drain electrode. The carbon nano structure includes graphene. The graphene is formed on a metal catalytic layer by chemical vapor deposition. An ionic gel layer is formed between the semiconductor layer and the gate electrode including the carbon nano-structure. The ionic gel layer forms an insulator layer between the channel region and the gate electrode.

    Abstract translation: 目的:提供一种灵活的场效应晶体管及其制造方法,通过使用离子凝胶作为栅极绝缘体,在塑料基板上制造低压操作石墨烯FET(场效应晶体管)阵列。 构成:半导体层包括碳纳米结构,其被布置成在源极和漏极之间形成沟道区。 碳纳米结构包括石墨烯。 通过化学气相沉积在金属催化剂层上形成石墨烯。 在半导体层和包括碳纳米结构的栅电极之间形成离子凝胶层。 离子凝胶层在沟道区和栅电极之间形成绝缘体层。

    핫프레스를 이용한 그래핀의 전사 방법
    8.
    发明申请
    핫프레스를 이용한 그래핀의 전사 방법 审中-公开
    使用热压机转移石墨烯的方法

    公开(公告)号:WO2012099385A2

    公开(公告)日:2012-07-26

    申请号:PCT/KR2012/000417

    申请日:2012-01-18

    CPC classification number: B32B37/025 B82B3/0047 B82B3/0076 Y10T156/1153

    Abstract: 본원은 열 박리성 시트가 부착된 그래핀과 목적 기판을 접촉시키는 단계; 핫프레스의 상부 프레스 및 하부 프레스를 이용하여 상기 열 박리성 시트가 부착된 그래핀과 상기 목적 기판을 가압 및 가열함으로써, 상기 열 박리성 시트와 상기 그래핀을 분리함과 동시에 상기 분리된 그래핀을 상기 목적 기판 상으로 전사하는 단계를 포함하는, 핫프레스를 이용한 그래핀의 전사 방법 및 상기 전사 공정을 위한 그래핀 전사용 핫프레스 장치를 제공한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法,该方法包括:使目标衬底与石墨烯接触,所述石墨烯具有热膨胀系数, 通过使用热压机的上部压机和下部压机用加热剥离片和目标基板加压和加热石墨烯从石墨烯分离可热分离片, 提供了一种使用热压机输送石墨烯的方法和一种用于输送石墨烯以输送石墨烯的热压装置。

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