Abstract:
본원은 대면적 그래핀 필름의 롤투롤 도핑 방법 및 상기 방법에 의한 도핑된 그래핀 필름에 관한 것으로서, 상기 도핑 방법은 그래핀 필름을 롤투롤 공정을 이용하여 도펀트를 포함하는 도핑 용액 또는 도펀트 증기 내로 통과하도록 함으로써 상기 그래핀 필름을 도핑하는 것을 포함하는, 그래핀 필름의 롤투롤 도핑 방법을 제공한다.
Abstract:
본원은 그래핀 투명 전극, 이를 포함하는 플렉시블 실리콘 박막 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 화학 기상 증착법을 이용하여 제조되는 대면적 그래핀 필름을 도전막으로서 포함하는 그래핀 투명 전극을 이용하여 플렉시블하고 투명한 박막 반도체 소자를 용이하게 제조할 수 있다.
Abstract:
본원은 광섬유의 소정 영역의 코어에 탄소나노구조체 층이 형성되어 있는 광섬유, 상기 광섬유를 포함하는 광섬유 화학 센서, 및 상기 광섬유 코어에 탄소나노구조체 층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 탄소나노구조체 층 표면의 굴절률이 가스 및 입자 등의 흡착에 대하여 민감하게 반응하는 것을 이용함으로써 상기 광섬유의 일부 코어 영역에 탄소나노구조체 층이 형성된 광섬유를 기체, 액체, 및 입자 등에 대한 센서에 응용할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A flexible field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to manufacture low voltage operation graphene FET(Field Effect Transistor) array on a plastic substrate by using ionic gel for a gate insulator. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes a carbon nano-structure which is arranged to form a channel region between a source electrode and a drain electrode. The carbon nano structure includes graphene. The graphene is formed on a metal catalytic layer by chemical vapor deposition. An ionic gel layer is formed between the semiconductor layer and the gate electrode including the carbon nano-structure. The ionic gel layer forms an insulator layer between the channel region and the gate electrode.
Abstract:
본원은 열 박리성 시트가 부착된 그래핀과 목적 기판을 접촉시키는 단계; 핫프레스의 상부 프레스 및 하부 프레스를 이용하여 상기 열 박리성 시트가 부착된 그래핀과 상기 목적 기판을 가압 및 가열함으로써, 상기 열 박리성 시트와 상기 그래핀을 분리함과 동시에 상기 분리된 그래핀을 상기 목적 기판 상으로 전사하는 단계를 포함하는, 핫프레스를 이용한 그래핀의 전사 방법 및 상기 전사 공정을 위한 그래핀 전사용 핫프레스 장치를 제공한다.