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公开(公告)号：KR101732490B1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：KR1020160001895
申请日：2016-01-07
Applicant: 숙명여자대학교산학협력단
IPC: A61K47/48 , C08G71/02 , C07C255/50 , C07C63/26
CPC classification number: C07C63/26 , C07C255/50 , C08G71/02
Abstract: 본발명은기상분자층증착법에의해제조된외부자극에의하여분해가가능한고분자구조체에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른고분자구조체는베이스부재와, 베이스부재상에기상분자층증착법으로형성된고분자전달매개물질과, 전달매개물질상에형성되는연결기와, 상기연결기와결합되어있는전달물질을구비하며, 연결기와전달물질의결합은외부자극에의해분해가가능하다.
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公开(公告)号：KR1020160134370A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150068322
申请日：2015-05-15
Applicant: 숙명여자대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은그래핀도메인의형상제어방법에관한것으로, 그래핀제조시성장단계의조건을조절함으로써그래핀도메인의형상을다양하게변화시키는형상제어방법에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101855950B1
公开(公告)日：2018-06-25
申请号：KR1020160066212
申请日：2016-05-30
Applicant: 숙명여자대학교산학협력단
IPC: H01L29/41 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/324 , H01L29/06 , H01L29/41
Abstract: 본발명은나노와이어형성방법에관한것으로서, 보다상세하게는금속촉매의형상제어를통해위치와직경을조절할수 있는나노와이어를형성하는방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른나노와이어형성방법은기판상에수 나노미터두께의산화막을형성하는단계와, 산화막상에포토레지스트(photoresist) 패턴을형성하는단계와, 포토레지스트패턴상에금속촉매를증착하는단계와, 포토레지스트패턴을포토레지스트상에증착된금속촉매와함께제거하여산화막상에금속촉매패턴을형성하는단계와, 금속촉매패턴을열처리하여금속나노입자패턴을형성하는단계와, 금속나노입자패턴과기판사이에형성되어있는산화막을제거하는단계와, 금속나노입자패턴이형성되어있는영역에나노와이어를성장시키는단계를갖는다.
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公开(公告)号：KR1020170135020A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160066212
申请日：2016-05-30
Applicant: 숙명여자대학교산학협력단
IPC: H01L29/41 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/324 , H01L29/06 , H01L29/41
Abstract: 본발명은나노와이어형성방법에관한것으로서, 보다상세하게는금속촉매의형상제어를통해위치와직경을조절할수 있는나노와이어를형성하는방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른나노와이어형성방법은기판상에수 나노미터두께의산화막을형성하는단계와, 산화막상에포토레지스트(photoresist) 패턴을형성하는단계와, 포토레지스트패턴상에금속촉매를증착하는단계와, 포토레지스트패턴을포토레지스트상에증착된금속촉매와함께제거하여산화막상에금속촉매패턴을형성하는단계와, 금속촉매패턴을열처리하여금속나노입자패턴을형성하는단계와, 금속나노입자패턴과기판사이에형성되어있는산화막을제거하는단계와, 금속나노입자패턴이형성되어있는영역에나노와이어를성장시키는단계를갖는다.
Abstract translation: 作为与本发明形式的银纳米线的方法，更具体地涉及形成纳米线，可以调整通过金属催化剂的形状控制的位置和直径的方法。 根据本发明的实施方式的示例性形式的纳米线的方法包括在基板上形成了许多纳米厚的氧化膜，形成一个光致抗蚀剂（光刻胶）图案布置在氧化物上的图案光致抗蚀剂的金属催化剂 和，并通过与沉积在光致抗蚀剂以形成金属催化剂图案上的金属催化剂一起除去光致抗蚀剂图案形成由加热金属催化剂图案的金属纳米粒子图案设置在所述步骤的氧化物沉积， 去除在金属纳米颗粒图案和基底之间形成的氧化物膜;以及在形成金属纳米颗粒图案的区域中生长纳米线。
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公开(公告)号：KR1020160134369A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150068321
申请日：2015-05-15
Applicant: 숙명여자대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
Abstract: 공정조건을제어하여그래핀생성물의결함및 층수를제어할수 있는그래핀의제조방법이제공된다. 상기제조방법은반응챔버내에구리호일을배치하는단계; 수소를포함하는환원성분위기하에그래핀성장온도까지상기반응챔버를가열하는단계; 그래핀성장압력및 성장온도를일정하게유지하면서탄소원을공급하여그래핀도메인을성장시킴으로써그래핀필름을형성하는단계; 및상기반응챔버를냉각하는단계;를포함하며, 상기반응챔버의가열속도를조절하여상기구리호일의표면거칠기와결정경계선을제어하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020160134360A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150068288
申请日：2015-05-15
Applicant: 숙명여자대학교산학협력단
Abstract: 본발명은실리콘나노와이어의제조방법및 실리콘나노와이어정렬및 밀도조절방법에관한것으로, 보다상세하게는금 촉매의어닐링을통해수직정렬된실리콘나노와이어어레이의정렬도및 밀도조절이가능한실리콘나노와이어제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160134361A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150068291
申请日：2015-05-15
Applicant: 숙명여자대학교산학협력단
IPC: C01B33/18
CPC classification number: C01B33/18 , C01P2004/30 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64
Abstract: 본발명은실리카나노구조체의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로는저온에서수행되는액상증착법을이용하면서도제조되는나노구조체의형상을용이하게제어할수 있어, 유전체물질을이용한회로나트랜지스터에응용이가능하고, 또한대면적으로반응할 수있어서, 산업체에응용성이유망한실리카나노구조체의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 其中WF是添加的二氧化硅的含量，WS是LPD溶液饱和所需的二氧化硅的含量。
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