公开(公告)号：KR101519767B1

公开(公告)日：2015-05-12

申请号：KR1020130168513

申请日：2013-12-31

Applicant: 숙명여자대학교산학협력단

Inventor： 임혜인 ,  정솔 ,  김태완 ,  유천열

IPC: H01L43/10

CPC classification number: H01L43/10 ,  H01L43/02

Abstract: 본발명은수직자기이방성을가지는비정질강자성체다층박막에관한것으로서, Si/SiO층과 Ta capping 층및 Ta/Pd buffer 층을포함하여적층되는수직자기이방성을가지는비정질강자성체다층박막에있어서, buffer 층인상기 Ta와 Pd 사이에 2 이상의 CoSiB/Pd 이층박막이적층되어이루어지는것이며, 신소재인비정질강자성체인 CoSiB와 Pd를이용하여손쉽게수직자기이방성을구현함으로써, cell size 감소를통해현재메모리시장에서요구하는고집적화를이룩하는데큰 기여를하는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及具有垂直磁各向异性的非晶铁磁性多层膜。 在包括Si / SiO 2层和Ta配位层和Ta / Pd缓冲层的具有垂直磁各向异性的非晶铁磁多层中，其通过在Pd和Ta之间堆叠至少两个CoSiB / Pd双层而形成，并且作为 一个缓冲层。 通过使用新材料CoSiB和Pd的非晶铁磁材料实现垂直磁各向异性。 因此，可以通过减小电池尺寸来实现当前存储器市场的高集成度。