公开(公告)号：KR101778117B1

公开(公告)日：2017-09-27

申请号：KR1020110025194

申请日：2011-03-22

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 고승기 ,  서철헌

IPC: H03F3/20 ,  H03F1/56

Abstract: 메타전자파구조를이용한이중대역 Class-F GaN 전력증폭장치가개시되어있다. 메타전자파구조를이용한이중대역 Class-F GaN 전력증폭장치는전계효과트랜지스터(FET) 및 CRLH 특성의고조파조절회로를각각포함하는입력정합부와출력정합부를포함할수 있다. 따라서다중밴드정합에대한제약을해결하고이중대역간출력특성의불균형에대한해소및 IMD의특성을개선시킬수 있다.

Abstract translation: 公开了一种使用元电磁波结构的双频带F类GaN功率放大器。 使用电磁波结构可以包括输入匹配单元和输出匹配包括场效应晶体管（FET）和一个CRLH特性的谐波控制电路的元双频类-F GaN功率放大装置。 因此，有可能解决对多频带匹配的限制，并解决双频带之间输出特性的不平衡，并改善IMD的特性。

公开(公告)号：KR1020120107599A

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：KR1020110025194

申请日：2011-03-22

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 고승기 ,  서철헌

IPC: H03F3/20 ,  H03F1/56

CPC classification number: H03F1/565 ,  H01P1/203 ,  H01P3/081 ,  H03F2200/36 ,  H03H7/38

Abstract: PURPOSE: A dual band class-F GaN(Gallium Nitride) power amplifier using a meta electromagnetic wave structure is provided to eliminate unbalanced output characteristics between dual bands by removing restriction to multi-band matching. CONSTITUTION: A harmonic control circuit(HC) comprises a first unit cell(UC1) and a second unit cell(UC2) which are mutually connected in parallel. The first unit cell includes a first CRLH(Composite Right/Left-Handed) transmission line(301) and a second CRLH transmission line(302). The first unit cell further includes a first connection line(305) which includes a plurality of capacitors and a first inductor line(307) which includes a ground. The second unit cell includes a third CRLH transmission line(303) and a fourth CRLH transmission line(304). The second unit cell further includes a second connection line(306) which includes the plurality of capacitors and a second inductor line(308) which includes the ground.

Abstract translation: 目的：提供使用电磁波结构的双频带F类GaN（氮化镓）功率放大器，通过消除对多频带匹配的限制，消除双频带之间的不平衡输出特性。 构成：谐波控制电路（HC）包括并联连接的第一单元电池（UC1）和第二单电池（UC2）。 第一单位单元包括第一CRLH（复合右/左手）传输线（301）和第二CRLH传输线（302）。 第一单元还包括包括多个电容器的第一连接线（305）和包括地的第一电感线（307）。 第二单元包括第三CRLH传输线（303）和第四CRLH传输线（304）。 第二单元还包括包括多个电容器的第二连接线（306）和包括地的第二电感线（308）。