-
公开(公告)号：KR102234886B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020200013470A
申请日：2020-02-05
Applicant: 숭실대학교산학협력단
CPC classification number: G06F21/71 , H04L9/3278 , G06F2221/2143
Abstract: 본 발명은 플래시 메모리에서 장치 지문을 추출하는 방법 및 구현 장치에 관한 것으로, 플래시 메모리에서 장치 지문을 추출하는 방법은 복수개의 메모리 셀을 구비한 플래시 메모리 장치는, 소거 대상 섹터의 소거 연산을 시작하는 단계; 상기 소거 연산을 일시정지하고, 소프트웨어 리셋을 수행하는 단계; 및 상기 소거 대상 섹터의 데이터 읽기를 수행하여 장치 지문으로서 소거되지 않은 비트가 존재하는 셀의 위치정보를 추출하여 기록하는 단계를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR102234886B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020200013470
申请日：2020-02-05
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명은플래시메모리에서장치지문을추출하는방법및 구현장치에관한것으로, 플래시메모리에서장치지문을추출하는방법은복수개의메모리셀을구비한플래시메모리장치는, 소거대상섹터의소거연산을시작하는단계; 상기소거연산을일시정지하고, 소프트웨어리셋을수행하는단계; 및상기소거대상섹터의데이터읽기를수행하여장치지문으로서소거되지않은비트가존재하는셀의위치정보를추출하여기록하는단계를포함한다.
-
Search Results
2
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
