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公开(公告)号：KR101726973B1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：KR1020160020522
申请日：2016-02-22
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명은링 발진기에대한것이다. 본발명에따른링 발진기는제1단이전원전압과연결되는복수의제1 트랜지스터가포함되며전류를제어하는제1 전류제어부; 제1단이상기제1 트랜지스터의제2단에연결된제2 트랜지스터와, 제1단이상기제2 트랜지스터의제2단에연결된제3 트랜지스터를포함하는복수의인버터를포함하는발진부; 및제1단이상기제3 트랜지스터의제2단에연결되고제2단이접지전원에연결되는복수의제4 트랜지스터가포함되며전류를제어하는제2 전류제어부를포함하고, 상기복수의인버터는홀수단으로형성되며, 적어도하나는상이한크기를가지는것을특징으로한다. 이와같이본 발명에따르면, 링발진기를구성하고있는복수개의인버터를각각상이한크기로직렬연결하여홀수단으로형성되도록하되가장큰 부하가걸리는최종단의인버터크기를상대적으로증가시킴으로써, 최종적으로출력되는신호의안정성을확보함과동시에전력소모가절감되도록하는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种环形振荡器。 根据本发明的环形振荡器包括：第一电流控制单元，包括多个第一晶体管，所述多个第一晶体管的第一端连接到电源电压并且控制电流; 第二晶体管耦合到所述第一级和所述第一晶体管的至少一个的基础上，包括多个反相器，其包括连接到所述第一端子和基座上面的第二晶体管的第二端子的第三晶体管的振荡部的第二端子; Mitje被连接到第一级中的上述机制第三晶体管第二单衣接地并且包括多个第四晶体管，其被连接到功率源和用于控制电流，在奇数的多个逆变器中的第二电流控制部的所述第二阶段 至少其中一个具有不同的尺寸。 以这种方式，根据本发明，通过配置一个环形振荡器，每个具有不同的尺寸与多个逆变器串联连接，但以形成通过增加最后一级的驱动量由相对信号最大负载是最后输出一个孔装置 并且可以降低功耗。
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公开(公告)号：KR101456207B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020130092749
申请日：2013-08-05
Applicant: 숭실대학교산학협력단
IPC: H03B5/12
CPC classification number: H03K5/04
Abstract: 본 발명은 스위칭 커패시터를 이용한 슬루 레이트 조절 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 클럭 신호에 대응하여 동작하는 대상 회로에 연결되고, 상기 클럭 신호가 하이 상태일 때 상기 대상 회로에서 출력되는 신호의 상승 에지 기울기를 제어하는 제1 커패시터와, 상기 제1 커패시터와 병렬 연결되고 상기 클럭 신호의 반전 신호를 제어 신호로 입력받으며, 상기 클럭 신호가 로우 상태일 때 온 구동되는 스위치, 및 상기 스위치에 직렬 연결되고, 상기 클럭 신호가 로우 상태일 때 상기 대상 회로에서 출력되는 신호의 하강 에지 기울기를 제어하는 제2 커패시터를 포함하는 스위칭 커패시터를 이용한 슬루 레이트 조절 장치를 제공한다.
상기 스위칭 커패시터를 이용한 슬루 레이트 조절 장치에 따르면, 대상 회로의 전원 또는 접지 노드에 간단히 스위칭 커패시터를 부가하여 슬루 레이트를 조절함에 따라 복잡한 컨트롤 회로를 필요로 하지 않으며 설계가 용이한 이점이 있다.Abstract translation: 本发明涉及使用开关电容器的转换速率控制器。 使用根据本发明的开关电容器的提供的转换速率控制器包括：第一电容器，其连接到目标电路，其根据时钟信号进行操作，并且控制从所述第一电容器输出的信号的上升沿斜率 时钟信号处于高电平状态时的目标电路; 与第一电容器并联连接的开关接收时钟信号的反相信号的输入作为控制信号，并且当时钟信号处于低电平状态时被驱动导通; 以及第二电容器，其与开关连接，并且当时钟信号处于低电平状态时，控制从目标电路输出的信号的下降沿斜率。 使用开关电容器的转换速率控制器不需要复杂的控制电路，并且通过简单地将开关电容器添加到接地节点或目标电路的电源来控制转换速率而易于设计。
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公开(公告)号：KR101781740B1
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020160038348
申请日：2016-03-30
Applicant: 숭실대학교산학협력단
IPC: H03K3/3565 , H04L27/22 , H01L29/739
CPC classification number: H03K3/3565 , H01L29/7393 , H04L27/22
Abstract: 본발명은출력신호폭 조절을위한슈미트트리거에관한것이다. 본발명에따르면, 전원단과출력단사이에캐스케이드연결된제1 및제2 PMOS 트랜지스터와, 소스단이제1 및제2 PMOS 트랜지스터간의접점에연결되고게이트단이출력단과연결된제3 PMOS 트랜지스터와, 접지단과출력단사이에캐스케이드연결된제1 및제2 NMOS 트랜지스터와, 소스단이제1 및제2 NMOS 트랜지스터간의접점에연결되고게이트단이출력단과연결된제3 NMOS 트랜지스터와, 제3 PMOS 트랜지스터의드레인에제1 전압을공급하며제1 전압의조절에따라슈미트트리거의하위및트리거전압중 하위트리거전압을변경하는제1 전압조절부, 및제3 NMOS 트랜지스터의드레인에제2 전압을공급하며제2 전압의조절에따라상위트리거전압을변경하는제2 전압조절부를포함하며, 제1 및제2 PMOS 트랜지스터와, 제1 및제2 NMOS 트랜지스터의각각의게이트단에공통의입력신호가입력되는출력신호폭 조절을위한슈미트트리거를제공한다. 본발명에따르면, 집적회로의제작후에도상위및 하위트리거전압의변경을통하여출력신호의폭을조절할수 있어집적회로의특성상발생할수 있는기생캐패시턴스및 인덕턴스의영향으로발생하는오차를해결할수 있으며출력신호를완벽하게복구할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及用于调整输出信号宽度的施密特触发器。 根据本发明，并且一个功率级和输出级2的PMOS晶体管之间的第一mitje连接级联，所述源端现在是2之间1级mitje级联连接到PMOS晶体管和栅极单衣输出端和连接之间的接触点，以权利要求3所述PMOS晶体管和一个接地端和一个输出端 相关联的第一mitje 2 NMOS晶体管，源极阶段现在连接到第一mitje 2 NMOS晶体管之间的接触点被提供第一电压到耦合到栅极单衣输出级，如权利要求3 PMOS晶体管的漏极和所述第一电压的第一3 NMOS晶体管 提供第二电压到所述第一电压调节单元的漏极，mitje 3 NMOS晶体管根据所述第二电压的控制改变的下部的下触发电压和施密特触发器的按照控制触发电压，以及改变上触发电压 2电压调节器以及输入有公共输入信号的第一和第二PMOS晶体管以及第一和第二NMOS晶体管的输出信号， 它提供了一个施密特触发器的宽度调节。 根据本发明，可以甚至生产集成电路的后通过顶部和下触发电压它可以校正由于寄生电容和电感的影响，可能会导致集成电路的特性和输出信号中的误差的变化调整输出信号的宽度 完全可恢复。
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公开(公告)号：KR101645899B1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：KR1020150158238
申请日：2015-11-11
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명은칩 간무선전력전송을위한집적회로장치에관한것이다. 본발명에따르면, 적층구조로형성된복수의칩을포함하는칩 간무선전력전송을위한집적회로장치에있어서, 전원패드에인가된직류전원을교류전력으로변환하여무선전송하고, 외부로부터수신한제어신호에대응하여상기교류전력의전송을온 또는오프시키는제1 칩, 및상기제1 칩으로부터수신한교류전력을직류전력으로변환하여내부회로에공급하고, 현재상기내부회로에충전된직류전압을기 설정된기준전압범위와비교한결과를이용하여제어신호를생성하여상기제1 칩에무선전송하는제2 칩을포함하는칩 간무선전력전송을위한집적회로장치를제공한다. 본발명에따른칩 간무선전력전송을위한집적회로장치에따르면, 칩간 무선전력전송에있어수신칩의전력충전상태를고려하여송신칩의전력전송동작을제어함에따라불필요한전력손실을방지하고전력전달효율을높일수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及用于芯片到芯片的无线电力传输的集成电路（IC）装置。 根据本发明，包括以层叠结构形成的多个芯片的芯片到芯片无线功率传输的IC包括：将施加到功率垫的AC电力转换为DC电力以将无线传输DC电力的第一芯片 并且根据从外部接收的控制信号来接通或断开AC电力的传送; 将从第一芯片接收到的交流电力的第二芯片变换为直流电力，将内部电路的直流电力提供给内部电路，并且使用将内部电路中充电的电流直流电压与规定的基准电压范围进行比较， 将控制信号发送到第一芯片。 根据本发明，在芯片间无线功率传输中，考虑到接收芯片的充电状态来控制转移芯片的功率传递操作，从而防止不必要的功率损耗，并且功率传输效率为 增强。
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