Abstract:
본 발명은, 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체를 이용한 전극, 당해 전극을 이용한 전지, 커패시터, 리튬 이온 커패시터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른, 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체를 기재(base material)로 하는 전극은, 당해 전극이 시트 형상이고, 당해 전극의 길이 방향과 두께 방향으로 평행한 단면(cross-section)에 있어서 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체의 셀이 전극의 두께 방향으로 단축(短軸)의 타원형이며, 그리고, 전극의 폭 방향과 두께 방향으로 평행한 단면에 있어서 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체의 셀이 전극의 두께 방향으로 단축의 타원형이다. 당해 전극은, 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체에, 적어도, 집전 리드 용접 공정과, 활물질 충진(充塡) 공정과, 압축 공정을 행함으로써 얻어진 것인 것이 바람직하다.
Abstract:
본 발명은, 비수 전해질 전지용 전극 및 커패시터용 전극에 적합한 알루미늄 다공체로 이루어지는 집전체 및 이 집전체를 이용한 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 집전체용 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체는, 시트 형상 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체를 폭방향에 있어서 중앙 영역과 당해 중앙 영역을 사이에 끼우는 2개의 단부(端部) 영역으로 나누었을 때, 당해 2개의 단부 영역에 있어서의 알루미늄 다공체의 알루미늄 코팅량이, 당해 중앙 영역의 알루미늄 다공체의 알루미늄 코팅량보다도 많다.
Abstract:
3차원 그물코 구조를 갖는 다공질 수지 성형체라도, 그 표면으로의 알루미늄의 도금을 가능하게 하고, 두꺼운 막을 균일하게 형성함으로써 순도가 높은 알루미늄 구조체를 형성한다. 적어도 표면이 도전화된, 3차원 그물코 구조를 갖는 수지 다공체에, 알루미늄을 용융염욕 중에서 도금하는 공정을 갖는 알루미늄 구조체의 제조 방법으로서, 상기 용융염은 염화 알루미늄과 유기염과의 혼합염이며, 상기 용융염욕의 온도를 45℃ 이상 100℃ 이하로 하여 도금하는, 알루미늄 구조체의 제조 방법이다. 상기 용융염욕 중에는, 추가로 1,10-페난트롤린을 0.25g/l 이상 7g/l 이하의 농도로 함유하면 바람직하다.
Abstract:
본 발명은, 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체의 셀 지름이 두께 방향으로 균일하지 않은 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체 및 당해 알루미늄 다공체를 이용한 집전체, 전극, 그리고 그의 제조 방법을 제공한다. 즉, 이러한 집전체용의 시트 형상의 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체는, 당해 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체의 셀 지름이 두께 방향으로 균일하지 않다. 특히, 상기 3차원 그물 형상 알루미늄 다공체의 두께 방향의 단면을, 영역 1, 영역 2, 영역 3으로 이 순서로 3분할했을 때, 영역 1과 영역 3의 평균의 셀 지름과, 영역 2의 셀 지름이 상이한 것이 바람직하다.
Abstract:
본 발명은, 용량 및 출력이 충분히 큰 전기 화학 소자용 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 전기 화학 소자용 전극은, 연통 기공을 갖는 알루미늄 다공체의 연통 기공 내에 활물질, 도전조제, 바인더를 함유하는 합제가 충진되고, 합제의, 도전조제의 함유 비율이 0∼4질량%인 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 전기 화학 소자용 전극은, 연통 기공을 갖는 알루미늄 다공체의 연통 기공 내에 활물질, 도전조제, 바인더를 함유하는 합제가 충진되고, 합제의, 바인더의 함유 비율이 5질량% 미만인 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명의 전기 화학 소자용 전극의 제조 방법은, 연통 기공(continuous pore)을 갖는 알루미늄 다공체의 연통 기공 중에, 활물질을 함유하는 슬러리를 충진(充塡; filling)하는 슬러리 충진 공정과, 충진된 슬러리를 건조하는 슬러리 건조 공정을 갖고, 슬러리 건조 공정 후에, 슬러리가 충진, 건조된 알루미늄 다공체를 압축하는 압축 공정을 거치지 않고, 전기 화학 소자용 전극을 제조한다. 또한, 전극은, 활물질을 함유하는 합제(合劑)가, 연통 기공을 갖는 알루미늄 다공체의 상기 연통 기공 중에 충진되어 있고, 아래 식에 나타내는 알루미늄 다공체의 다공도(%)가, 15∼55%이다. 다공도(%)={1-(전극 재료의 체적/전극의 외관의 체적)}×100