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发明授权
오보닉 문턱 스위칭 소자 및 이를 포함하는 메모리 소자 有权

公开(公告)号：KR101931887B1

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：KR1020170115116

申请日：2017-09-08

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 이상운 , 서명수

IPC: H01L45/00

Abstract: 오보닉 문턱 스위칭 소자가 개시된다. 오보닉 문턱 스위칭 소자는 서로 이격된 제1 및 제2 전극층 및 그리고 이들 사이에 배치된 비정질 반도체층을 구비하고, 비정질 반도체층은 안티모니(Sb), 비스무스(Bi), 비소(As), 게르마늄(Ge), 실리콘(Si), 주석(Sn) 및 탄소(C)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 제1 원소, 갈륨(Ga), 알루미늄(Al) 및 인듐(In)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 제2 원소, 질소(N) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 비정질 칼코지나이드(chalcogenide) 기반 반도체 물질로 형성된다.

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