-
公开(公告)号：KR102226079B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190177566A
申请日：2019-12-30
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/1029 , H01L29/66356
Abstract: 본 발명은 터널 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 터널영역에 접하는 게이트 산화막과, 게이트 산화막 상부에 위치하는 게이트와, 상기 터널영역을 중심으로 양측면에 각각 배치되는 소스와 드레인을 포함하는 터널 전계효과 트랜지스터에 있어서, 상기 소스는 상기 터널영역과 이격된 기판의 영역에 소정 깊이로 매립되어 위치하는 소스 플러그와, 상기 소스 플러그에서 상기 터널영역에 접하도록 돌출된 다수의 소스 돌출부를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR102226079B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190177566
申请日：2019-12-30
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/66
Abstract: 본발명은터널전계효과트랜지스터및 그제조방법에관한것으로, 터널영역에접하는게이트산화막과, 게이트산화막상부에위치하는게이트와, 상기터널영역을중심으로양측면에각각배치되는소스와드레인을포함하는터널전계효과트랜지스터에있어서, 상기소스는상기터널영역과이격된기판의영역에소정깊이로매립되어위치하는소스플러그와, 상기소스플러그에서상기터널영역에접하도록돌출된다수의소스돌출부를포함한다.
-
Search Results
2
records
(took 0.029 seconds)
