페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:WO2021025519A1

    公开(公告)日:2021-02-11

    申请号:PCT/KR2020/010471

    申请日:2020-08-07

    Inventor: 임상혁 허진혁

    Abstract: 본 발명은 페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 페로브스카이트 광전소자는 제1 전극; 정공 전달층; 상기 정공 전달층 상에 형성되고, 제1 페로브스카이트 화합물로 형성된 페로브스카이트층; 전자 전달층; 제2 전극; 및 상기 정공 전달층 및 상기 페로브스카이트층 사이에 형성되고, 제2 페로브스카이트 화합물로 형성된 경사 벽(graded-wall)을 포함하고, 상기 제1 페로브스카이트 화합물 및 상기 제2 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되고, 상기 경사 벽은 상기 페로브스카이트층에 포함된 음이온의 이동을 억제하는 것을 특징으로 한다. [화학식 1] A a M b X c (상기 화학식 1에서, A는 1가의 양이온이고, M은 2가 또는 3가의 금속 양이온이며, X는 1가의 음이온이고, M이 2가의 금속 양이온일 때 a+2b=c, M이 3가의 금속 양이온일 때 a+3b=c이며, a, b, c는 자연수임.)

    페로브스카이트 광검출 소자 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:WO2021118272A1

    公开(公告)日:2021-06-17

    申请号:PCT/KR2020/018081

    申请日:2020-12-10

    Inventor: 임상혁 허진혁

    Abstract: 본 발명은 페로브스카이트 광검출 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 페로브스카이트 광검출 소자는 1015 jones 내지 1020 jones의 광 검출 성능(detectivity)과, 104 A/W 내지 108 A/W의 광 응답성(responsivity)을 가지며, 페로브스카이트 화합물의 구성 조정에 따라 감지 가능한 스펙트럼의 범위를 용이하게 제어할 수 있어, 전체 스펙트럼에서 우수한 광 검출 성능을 보이는 페로브스카이트 광검출 소자를 제공할 수 있다.

    색 순도가 향상된 페로브스카이트 화합물의 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 광전 소자

    公开(公告)号:WO2021172842A1

    公开(公告)日:2021-09-02

    申请号:PCT/KR2021/002244

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 본 발명은 페로브스카이트 화합물의 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 광전 소자를 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 페로브스카이트 화합물의 제조방법은 2가 또는 3가의 금속 양이온 및 1가 음이온을 포함하는 금속 할라이드-리간드 용액을 제조하는 단계; 상기 금속 할라이드-리간드 용액, 1가 금속 양이온을 포함하는 금속 올레이트 용액 및 할로겐 공여체를 혼합하여 아래의 화학식으로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 제조하는 단계를 포함하며, 상기 할로겐 공여체는 할로겐 음이온을 포함하는 용액인 것을 특징으로 한다. [화학식] ABX3 (여기서, A는 1가 금속 양이온, B는 2가 금속 양이온 및 X는 1가 음이온임.)

    페로브스카이트 광전 소자의 제조 방법 및 이를 통하여 제조된 페로브스카이트 광전 소자

    公开(公告)号:WO2022035239A1

    公开(公告)日:2022-02-17

    申请号:PCT/KR2021/010692

    申请日:2021-08-11

    Inventor: 임상혁 허진혁

    Abstract: 본 발명은 페로브스카이트 광전 소자 및 이를 통하여 제조된 다공성 고분자 입자를 개시한다. 본 발명은 제1 전극 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 상기 전자수송층 상에 스프레이 코팅(orthogonal spray coating)으로 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층을 형성하는 단계; 상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층 상에 정공수송층을 형성하는 단계; 및 상기 정공수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광활성층은, 상기 정공수송층에서 상기 전자수송층으로의 깊이 방향으로 조성 경사(Graded)를 갖는 것을 특징으로 한다.

    페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:WO2021107645A1

    公开(公告)日:2021-06-03

    申请号:PCT/KR2020/016981

    申请日:2020-11-26

    Inventor: 임상혁 허진혁

    Abstract: 본 발명은 페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 페로브스카이트 광전소자는 제1 전극; 정공 전달층; 제1 페로브스카이트 화합물로 형성된 페로브스카이트층; 전자 전달층; 제2 전극; 및 상기 페로브스카이트층의 적어도 일면에 형성되고, 제2 페로브스카이트 화합물로 형성된 경사 벽(graded-wall)을 포함하고, 상기 제1 페로브스카이트 화합물 및 상기 제2 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되며, 상기 경사 벽의 밴드 갭 에너지는 상기 페로브스카이트층의 밴드 갭 에너지보다 커서 상기 페로브스카이트층의 엑시톤을 구속하는 것을 특징으로 한다. [화학식 1] AaMbXc (상기 화학식 1에서, A는 1가의 양이온이고, M은 2가 또는 3가의 금속 양이온이며, X는 1가의 음이온이고, M이 2가의 금속 양이온일 때 a+2b=c, M이 3가의 금속 양이온일 때 a+3b=c이며, a, b, c는 자연수임.)

    자가 발전형 페로브스카이트 X선 검출기

    公开(公告)号:WO2021015578A1

    公开(公告)日:2021-01-28

    申请号:PCT/KR2020/009739

    申请日:2020-07-23

    Inventor: 임상혁 허진혁

    Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 자가 발전형 페로브스카이트 X선 검출기는 입사된 엑스선(X-ray)을 가시광선으로 변환하는 신틸레이터(scintillator)와 페로브스카이트 광 검출기가 결합된 것으로서, 상기 신틸레이터 및 페로브스카이트 광흡수층은 하기의 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다. [화학식 1] A a M b X c (상기 화학식 1에서, A는 1가의 양이온, M은 2가의 금속 양이온 또는 3가의 금속 양이온, X는 1가의 음이온이고, M이 2가의 금속 양이온일 때 a+2b=c, M이 3가의 금속 양이온일 때 a+3b=4c이며, a, b, c는 자연수임.)

    페로브스카이트막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광전소자

    公开(公告)号:KR1020210060394A

    公开(公告)日:2021-05-26

    申请号:KR1020210063535

    申请日:2021-05-17

    Abstract: 본발명은페로브스카이트막, 이의제조방법및 이를포함하는광전소자를개시한다. 본발명의실시예에따른페로브스카이트막의제조방법은페로브스카이트화합물을준비하는단계; 상기페로브스카이트화합물을제1 용매및 제2 용매에혼합하여페로브스카이트용액을제조하는단계; 기판상에상기페로브스카이트용액을스프레이코팅하여페로브스카이트막을형성하는단계를포함하고, 상기제1 용매및 상기제2 용매간의용해도상수(solubility parameter)의차이가 0.001 (cal/cm3)0.5 내지 5 (cal/cm3)0.5 인것을특징으로한다.

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