公开(公告)号：KR1020070015201A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：KR1020067024014

申请日：2006-03-17

Applicant: 안리츠 코포레이션

Inventor： 모리히로시

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S5/06256 ,  G01J3/027 ,  G01J3/10 ,  G01J3/42 ,  G01N21/39 ,  G01N2021/399 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/227 ,  H01L2924/00014

Abstract: A variable wavelength semiconductor laser element comprising a wavelength control region formed in an optical waveguide including an active layer formed above a semiconductor substrate and guiding light generated in the active layer and provided, at least partially, with a diffraction grating for selecting light having a predetermined wavelength from among light generated in the active layer, first and second driving electrodes having a clad layer and an insulation layer formed above the clad layer and being formed below the semiconductor substrate and above the clad layer, a heating section formed above the insulation layer and heating the wavelength control region at least partially, first and second heating terminals provided at the heating section, and first and second connection lines for connecting the first and second driving electrodes in series through a power supply. The variable wavelength semiconductor laser can control the wavelength of light being led out from the optical waveguide by varying a current being supplied from the power supply to the first and second connection lines substantially connected in series through the heating section. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 一种可变波长半导体激光元件，包括形成在包括在半导体衬底上形成的有源层的光波导中的波长控制区域，并且引导在有源层中产生的光并且至少部分地设置有用于选择具有预定 在有源层中产生的光中的波长，在覆盖层的上方形成有覆盖层和绝缘层的第一和第二驱动电极，形成在半导体衬底的下方和覆盖层的上方，在绝缘层的上方形成有加热部， 至少部分地加热波长控制区域，设置在加热部分的第一和第二加热端子，以及用于通过电源串联连接第一和第二驱动电极的第一和第二连接线。 可变波长半导体激光器可以通过将从电源提供的电流改变为通过加热部分基本上串联连接的第一和第二连接线来控制从光波导引出的光的波长。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR100799782B1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：KR1020067024014

申请日：2006-03-17

Applicant: 안리츠 코포레이션

Inventor： 모리히로시

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S5/06256 ,  G01J3/027 ,  G01J3/10 ,  G01J3/42 ,  G01N21/39 ,  G01N2021/399 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/227 ,  H01L2924/00014

Abstract: 파장 가변 반도체 레이저 소자는 반도체 기판의 윗쪽에 형성되는 활성층을 포함하고, 당해 활성층에서 생성된 광을 도파하는 광도파로 내에 형성되며 또한, 해당 활성층에서 생성된 광 중에서 소정의 파장을 갖는 광을 선택하는 회절 격자를 적어도 일부에 구비하고 있는 파장 제어 영역과, 클래드 층과, 상기 클래드 층의 윗쪽에 형성된 절연층을 가짐과 동시에, 상기 반도체 기판의 하방 및 상기 클래드 층의 윗쪽에 형성된 제 1 및 제 2 구동용 전극과, 상기 절연층의 윗쪽에 형성되고, 상기 파장 제어 영역의 적어도 일부를 가열하기 위한 가열부와, 상기 가열부에 구비되어 있는 제 1 및 제 2 가열용 단자와, 상기 제 1 및 제 2 구동용 전극 사이를 전원을 통해서 직렬로 접속하는 제 1 및 제 2 접속 선로를 갖고 있다. 상기 파장 가변 반도체 레이저 소자는 상기 가열부를 사이에 두고 실질적으로 직렬로 접속되어 있는 상기 제 1 및 제 2 접속 선로에 대하여 상기 전원으로부터 공급하는 전류를 가변함으로써, 상기 광도파로로부터 외부로 도출된 광의 파장을 제어할 수 있다.