公开(公告)号：KR1019980018350A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019970037208

申请日：1997-08-04

Applicant: 에니켐 에스.피.에이.

Inventor： 카라띠안젤라 ,  페레고카를로 ,  달로로레오나르도 ,  데알베르띠죠르다노 ,  팔메리스테파노

IPC: C07D201/04

Abstract: 증기 상에서 옥심을 20 내지 1000 사이의 몰비 SiO
2 /Al
2 O
2 , 20 내지 100 Å 사이의 평균 공극 직경 및 하소후, 분말로부터 18Å(2θ 4.9°, CuKα 조사) 이상의 d-공간에서 가장 깊은 굴절을 갖는 X-레이 회절 패턴 (XRD) 를 갖는 중간 크기의 다공성 실리카-알루미나로부터 선택된 촉매와 접촉시키는 것으로 이루어진 옥심의 재배열에 의한 아미드의 제조 방법.

公开(公告)号：KR100233696B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970037208

申请日：1997-08-04

Applicant: 에니켐 에스.피.에이.

Inventor： 카라띠안젤라 ,  페레고카를로 ,  달로로레오나르도 ,  데알베르띠죠르다노 ,  팔메리스테파노

IPC: C07D201/04

CPC classification number: B01J35/10 ,  B01J21/12 ,  B01J35/1023 ,  B01J35/1061 ,  C07D201/04

Abstract: 증기 상에서 옥심을 20내지 1000 사이의 몰비 SiO₂/Al₂O₂, 20 내지 100 Å사이의 평균 공극 직경 및 하소후, 분말로부터 18Å (2θ〈 4.9°,CuKa 조사) 이상의 d-공간에서 가장 깊은 반사를 갖는 X-레이 회절 패턴 (XRD)를 갖는 중간 크기의 다공성 실리카-알루미나로부터 선택된 촉매와 접촉시키는 것으로 이루어진 옥심의 재배열에 의한 아미드의 제조 방법.

公开(公告)号：KR1019980009208A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019970033892

申请日：1997-07-19

Applicant: 에니켐 에스.피.에이.

Inventor： 카라티안젤라 ,  페레고카를로 ,  달로로레오나르도 ,  데알베르티지오르다노 ,  팔메리스테파노

IPC: C07B35/08 ,  C07D201/04