中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

6 records (took 0.021 seconds)

    리소그래피 투영용 보조 피쳐
    2.
    发明公开
    리소그래피 투영용 보조 피쳐 有权
    在地平线投影中使用的辅助特征

    公开(公告)号：KR1020020009430A

    公开(公告)日：2002-02-01

    申请号：KR1020010043438

    申请日：2001-07-19

    Applicant: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. ,  에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이.

    Inventor： 바젤만스요하네스야코부스마테우스 ,  슐루터마르쿠스 ,  플라젤로도니스조지 ,  소챠로버트존

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F1/36

    Abstract: PURPOSE: An assist feature for use in a lithographic projection process is to provide a mask for improving features regularly or irregularly isolated from each other and closely adjacent to each other, and to fabricate a device by using the improved mask. CONSTITUTION: The assist features are positioned so as to make the array more symmetric in a mask pattern for a device such as a dynamic random access memory(DRAM) device including a nearly regular array of isolated features. Where the isolated features are positioned at mos but not all of the points of a regular unit cell, the assist features may be positioned at the points of the unit cell not occupied by the isolated features. The isolated features may represent contact holes.

    Abstract translation: 目的：用于光刻投影工艺的辅助功能是提供一种用于改进彼此规则或不规则地隔离并且彼此紧密相邻的特征的掩模，以及通过使用改进的掩模来制造器件。 构成：辅助特征被定位成使得阵列在诸如包括几乎规则的孤立特征阵列的动态随机存取存储器（DRAM）装置的装置的掩模图案中更对称。 在孤立特征位于常规单元的mos而不是全部点的情况下，辅助特征可以位于未被隔离特征占据的单位单元的点处。 隔离的特征可以表示接触孔。

    리소그래피 투영용 보조 피쳐
    3.
    发明授权
    리소그래피 투영용 보조 피쳐 有权
    리소그래피투영용보조피쳐

    公开(公告)号：KR100452732B1

    公开(公告)日：2004-10-12

    申请号：KR1020010043438

    申请日：2001-07-19

    Applicant: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. ,  에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이.

    Inventor： 바젤만스요하네스야코부스마테우스 ,  슐루터마르쿠스 ,  플라젤로도니스조지 ,  소챠로버트존

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F1/36

    Abstract: 격리된 피쳐의 거의 규칙적인 어레이를 포함하는 DRAM과 같은 디바이스용 마스크 패턴에 있어서, 상기 어레이를 보다 대칭적으로 만들도록 보조 피쳐가 배치된다. 격리된 피쳐가 규칙적인 단위 셀의 모든 지점은 아니나 최대한의 지점에 배치되는 경우에, 상기 보조 피쳐는 격리된 피쳐가 차지하지 않은 단위 셀의 지점에 배치될 수 있다. 격리된 피쳐는 콘택홀을 나타낼 수도 있다.

    Abstract translation: 目的：用于光刻投影过程的辅助特征是提供掩模，用于定期或不规则地彼此隔离且彼此紧密相邻地改善特征，并且通过使用改进的掩模来制造器件。 构成：辅助特征的定位是为了使阵列在诸如动态随机存取存储器（DRAM）装置之类的装置的掩模图案中更加对称，所述装置包括几乎规则的隔离特征阵列。 在隔离特征位于mos而不是普通单位单元的所有点的情况下，辅助特征可以位于未被隔离特征占据的单位单元的点处。 孤立的特征可能代表接触孔。

    디바이스 제조방법
    6.
    发明公开
    디바이스 제조방법 失效
    用于制造装置以改善自由度和暴露耐受性的方法

    公开(公告)号：KR1020040087928A

    公开(公告)日：2004-10-15

    申请号：KR1020040023892

    申请日：2004-04-07

    Applicant: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.

    Inventor： 핸슨스티븐조지 ,  플라젤로도니스조지 ,  클라센미헬프란소이스후베르트 ,  데빈터라우렌티우스코르넬리우스 ,  크놀스에드빈빌헬무스마리에

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/70066 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/701 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/7085

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a device is provided to improve DOF(depth of focus) and exposure tolerance by including an on-axis illumination mask of a rectangular or bar type having radioactive rays polarized in parallel with the length of a bar. CONSTITUTION: An illumination system supplies a projection beam of radioactive rays. A support structure supports a patterning unit functioning to supply a pattern to a cross section of the projection beam. A substrate is held by a substrate table. A projection system projects the patterned beam to a target of the substrate. A lithographic unit for defining an intensity distribution supplies a substantially rectilinear intensity distribution of on-axis to the projection beam. A polarization unit supplies linear polarization to the projection beam.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于制造器件的方法，通过包括具有与条的长度平行偏振的放射线的具有矩形或条形的轴上照明掩模来改善DOF（焦深）和曝光容限。 规定：照明系统提供放射线投射光束。 支撑结构支撑图案化单元，其用于向投影光束的横截面提供图案。 衬底由衬底台保持。 投影系统将图案化的光束投影到基板的靶。 用于限定强度分布的光刻单元向投影光束提供在轴上的基本上直线的强度分布。 偏振单元向投影光束提供线偏振。

Patent Agency Ranking