公开(公告)号：KR1020090038870A

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：KR1020097000607

申请日：2007-07-13

Applicant: 엔테그리스, 아이엔씨.

Inventor： 그레이퍼,아나톨리 ,  키쉬코비치,올레그,피.

IPC: B01D53/04 ,  B01D46/00

CPC classification number: B01D53/0407 ,  B01D46/0023 ,  B01D46/0036 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/206 ,  B01D2257/553 ,  B01D2257/556 ,  B01D2257/708 ,  B01D2259/402 ,  B01D2259/414 ,  B01D2259/4148 ,  B01J20/20 ,  B01J20/28035 ,  B01J39/05 ,  Y10T29/49826

Abstract: The present invention provides a filtering system for a semiconductor processing tool. In one embodiment, the filtering system is associated with the semiconductor processing tool. A system of the invention comprises a first and second filter layer in fluid communication with a gas flow path. The flow path is a gas stream comprising volatile silica containing compounds such as hexamethyldisiloxane and trimethylsilanol. The gas flow path passes through the first and second filter layer to fluidly communicate with the semiconductor processing tool. Preferably, the first filter layer of the filtering system is upstream along the gas flow path from the second filter layer. The medias of the first and second filter layers are selected and arranged based on given contaminant concentrations. The invention also provides a method for filtering gas containing hexamethyldisiloxane and trimethylsilanol in communication with a semiconductor processing tool, which employs a system comprising a first and second filter layer.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体处理工具的过滤系统。 在一个实施例中，过滤系统与半导体处理工具相关联。 本发明的系统包括与气体流动路径流体连通的第一和第二过滤层。 流动路径是包含含有挥发性二氧化硅的化合物如六甲基二硅氧烷和三甲基硅烷醇的气流。 气体流路穿过第一和第二过滤层以与半导体加工工具流体连通。 优选地，过滤系统的第一过滤层沿着沿着来自第二过滤层的气体流动路径的上游。 基于给定的污染物浓度来选择和布置第一和第二过滤层的介质。 本发明还提供了一种用于过滤含有六甲基二硅氧烷和三甲基硅烷醇的气体与半导体加工工具连通的方法，半导体加工工具采用包括第一和第二过滤层的系统。

公开(公告)号：KR101249093B1

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：KR1020097000607

申请日：2007-07-13

Applicant: 엔테그리스, 아이엔씨.

Inventor： 그레이퍼,아나톨리 ,  키쉬코비치,올레그,피.

IPC: B01D53/04 ,  B01D46/00

CPC classification number: B01D53/0407 ,  B01D46/0023 ,  B01D46/0036 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/206 ,  B01D2257/553 ,  B01D2257/556 ,  B01D2257/708 ,  B01D2259/402 ,  B01D2259/414 ,  B01D2259/4148 ,  B01J20/20 ,  B01J20/28035 ,  B01J39/05 ,  Y10T29/49826

Abstract: 본 발명은 반도체 공정 툴용 필터링 시스템을 제공한다. 한 실시 양태에서, 필터링 시스템은 반도체 공정 툴과 관련된다. 본 발명의 시스템은 기체 흐름 경로와 유체 소통하는 제1 및 제2 필터 층을 포함한다. 흐름 경로는 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀과 같은 휘발성 실리카 함유 화합물을 포함하는 기체 스트림이다. 기체 흐름 경로는 제1 및 제2 필터 층을 통과하여 반도체 공정 툴과 유체 소통한다. 필터링 시스템의 제1 필터 층은 기체 흐름 경로를 따라 제2 필터 층으로부터 업스트림인 것이 바람직하다. 제1 및 제2 필터 층의 매질은 주어진 오염물 농도에 기초하여 선택되고 배치된다. 본 발명은 또한 제1 및 제2 필터 층을 포함하는 시스템을 채용하는 반도체 공정 툴과 연계하여 헥사메틸디실록산 및 트리메틸실라놀을 함유하는 기체를 필터링하기 위한 방법을 제공한다.
필터링 시스템, 반도체 공정 툴

Abstract translation: 本发明提供一种半导体处理工具的过滤系统。 在一个实施例中，过滤系统与半导体处理工具相关联。 本发明的系统包括与气体流动路径流体连通的第一和第二过滤层。 流动路径是包含含有挥发性二氧化硅的化合物如六甲基二硅氧烷和三甲基硅烷醇的气流。 气体流路穿过第一和第二过滤层以与半导体加工工具流体连通。 优选地，过滤系统的第一过滤层沿着沿着来自第二过滤层的气体流动路径的上游。 基于给定的污染物浓度来选择和布置第一和第二过滤层的介质。 本发明还提供了一种用于过滤含有六甲基二硅氧烷和三甲基硅烷醇的气体与半导体加工工具连通的方法，半导体加工工具采用包括第一和第二过滤层的系统。

公开(公告)号：KR100825146B1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：KR1020027014794

申请日：2001-05-04

Applicant: 엔테그리스, 아이엔씨.

Inventor： 키쉬코비치,올레그,피. ,  킨키드,드봉 ,  그레이퍼,아나톨리 ,  굿윈,윌리엄,엠. ,  루에드,데이비드

IPC: B01D53/04

CPC classification number: B01D53/0407 ,  B01D53/0454 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/202 ,  B01D2253/308 ,  B01D2257/406 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/4009 ,  B01J20/20 ,  B01J20/261 ,  B33Y80/00 ,  Y10S95/901

Abstract: A filter includes at least two different adsorptive media. First, chemisorptive media, which is porous and includes an acidic functional group, is used to remove molecular bases, including ammonia, organic amines, imides and aminoalcohols, from the atmosphere used in semiconductor fabrication and other processes that require uncontaminated gaseous environments of high quality. Second, physisorptive media is able to absorb condensable contaminants, particularly those having a boiling point greater than 150 degrees C. The physisorptive media can include untreated, activated carbon.

公开(公告)号：KR1020030001471A

公开(公告)日：2003-01-06

申请号：KR1020027014794

申请日：2001-05-04

Applicant: 엔테그리스, 아이엔씨.

Inventor： 키쉬코비치,올레그,피. ,  킨키드,드봉 ,  그레이퍼,아나톨리 ,  굿윈,윌리엄,엠. ,  루에드,데이비드

IPC: B01D53/04

CPC classification number: B01D53/0407 ,  B01D53/0454 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/202 ,  B01D2253/308 ,  B01D2257/406 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/4009 ,  B01J20/20 ,  B01J20/261 ,  B33Y80/00 ,  Y10S95/901

Abstract: 필터는 적어도 두개의 상이한 흡착 매체를 포함한다. 첫째는 화학적 흡착 매체로서, 다공성이며 산성 작용기를 포함하여 오염되지 않은 좋은 질의 가스체 환경이 필요한 반도체 제조 및 기타 공정에서 사용되는 대기로부터 암모니아, 유기성 아민, 이미드와 아미노알콜을 포함한 염기 분자를 제거하는데 사용된다. 두번째는 물리적 흡착 매체로서 응축성 오염물을 흡착가능하며, 특히 이들의 끓는점은 150℃보다 높다. 물리적 흡착 매체는 처리되지 않은 활성 탄소를 포함할 수 있다.

Abstract translation: 过滤器包括至少两种不同的吸附介质。 首先，用于半导体制造和其他需要高质量未受污染的气体环境的工艺中使用的气氛中，使用多孔且包含酸性官能团的化学吸附介质来去除分子碱，包括氨，有机胺，酰亚胺和氨基醇 。 其次，物理吸附介质能够吸收可冷凝污染物，特别是那些沸点高于150摄氏度的物质。物理吸附介质可以包括未经处理的活性炭。