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    신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물, 이를 이용한 신축 가능한 전도성 패턴의 제조방법 및 신축 가능한 전도성 전극을 포함하는 전자 소자
    1.
    发明公开
    신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물, 이를 이용한 신축 가능한 전도성 패턴의 제조방법 및 신축 가능한 전도성 전극을 포함하는 전자 소자 审中-实审
    用于形成可拉伸导电图案的组合物，使用其形成可拉伸导电图案的方法和包括可拉伸导电电极的电子器件

    公开(公告)号：KR1020120124346A

    公开(公告)日：2012-11-13

    申请号：KR1020110061805

    申请日：2011-06-24

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

    Inventor： 허재현 ,  박종진 ,  임규현 ,  정운룡 ,  박민우 ,  현동춘

    IPC: H01L21/283 ,  H01B1/22 ,  H05K3/12

    Abstract: PURPOSE: A composite for forming an elastic conductive pattern, a manufacturing method of the elastic conductive pattern, and an electric component are provided to improve elasticity of a pattern and to maintain high conductivity. CONSTITUTION: A base material is prepared(S110). A trench line of a regular interval having a wave pattern is formed on the base material(S120). A polymer-metal precursor compound pattern is formed by filling the inner side of the trench line with a polymer-metal precursor compound(S130). The polymer-metal precursor compound of the polymer-metal precursor compound pattern is changed into a gel-metal nanoparticle and a polymer gel-metal nanoparticle composite pattern is formed(S140). The polymer gel-metal nanoparticle composite pattern inside the base material is transferred on an acceptor material(S150). [Reference numerals] (S110) Base material consisting of a first polymer layer on a first polymer base material; (S120) A wave pattern trench is formed within the base material; (S130) The inner side of the trench is filled with a polymer/metal precursor; (S140) A polymer gel/metal nanoparticle compound pattern is formed; (S150) Acceptor/metal nanoparticle compound pattern transcription

    Abstract translation: 目的：提供用于形成弹性导电图案的复合体，弹性导电图案的制造方法和电气部件，以提高图案的弹性并保持高导电性。 构成：准备基材（S110）。 在基材上形成具有波形图案的规则间隔的沟槽线（S120）。 通过用聚合物 - 金属前体化合物填充沟槽线的内侧形成聚合物 - 金属前体化合物图案（S130）。 将聚合物 - 金属前体化合物图案的聚合物 - 金属前体化合物变成凝胶金属纳米粒子，形成聚合物凝胶金属纳米粒子复合图案（S140）。 基体材料内的聚合物凝胶金属纳米颗粒复合图案转移到受主材料上（S150）。 （S110）由第一聚合物基材上的第一聚合物层构成的基材; （S120）在基材内形成波图形沟槽; （S130）沟槽的内侧填充有聚合物/金属前体; （S140）形成聚合物凝胶/金属纳米粒子化合物图案; （S150）受体/金属纳米粒子化合物图案转录

    점탄성 흐름을 이용한 박막 패터닝 방법 및 상기 방법에 따라 박막이 패터닝된 기판
    4.
    发明公开
    점탄성 흐름을 이용한 박막 패터닝 방법 및 상기 방법에 따라 박막이 패터닝된 기판 无效
    使用粘弹性薄膜形成薄膜的方法和薄膜图案薄膜

    公开(公告)号：KR1020120139892A

    公开(公告)日：2012-12-28

    申请号：KR1020110059427

    申请日：2011-06-20

    Applicant: 연세대학교 산학협력단

    Inventor： 정운룡 ,  박민우

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341

    Abstract: PURPOSE: A thin film patterning method using viscoelastic flow and a substrate with a patterned thin film are provided to improve economical efficiency by patterning various materials like organic and inorganic materials, polymers, metal oxide, and semiconductors on the substrate using the viscoelastic flow of the materials. CONSTITUTION: Crystalline polymer materials are patterned on an area of a substrate except a thin film forming pattern area. Solutions mixed with thin film materials and solvents are dropped on the substrate with the crystalline polymer materials. The solvents are evaporated. The polymer materials and the thin film materials are thermally processed. The crystalline polymer materials are removed.

    Abstract translation: 目的：提供使用粘弹性流动的薄膜图案化方法和具有图案化薄膜的基底，以通过使用粘弹性流将基底上的各种材料如有机和无机材料，聚合物，金属氧化物和半导体图案化，从而提高经济性 材料。 构成：除了薄膜形成图案区域之外，在基板的区域上对结晶聚合物材料进行图案化。 与薄膜材料和溶剂混合的溶液用结晶聚合物材料滴在基材上。 溶剂蒸发。 聚合物材料和薄膜材料被热处理。 去除结晶聚合物材料。

    고분자 나노 섬유-금속 나노 입자 복합체 패턴의 형성 방법
    6.
    发明公开
    고분자 나노 섬유-금속 나노 입자 복합체 패턴의 형성 방법 审中-实审
    形成聚合物纳米金属金属纳米复合材料的方法

    公开(公告)号：KR1020140133746A

    公开(公告)日：2014-11-20

    申请号：KR1020130053392

    申请日：2013-05-10

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

    Inventor： 임정균 ,  박민우 ,  박종진 ,  정운룡

    IPC: D06M10/00 ,  D06M11/83 ,  D04H1/70

    CPC classification number: G03F7/20 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/2045

    Abstract: 일 측면에 따라 고분자 나노 섬유-금속 나노 입자 복합체의 패턴 형성 방법을 제공한다. 상기 고분자 나노 섬유-금속 나노 입자 복합체의 패턴 형성 방법은 (a) 기재 위에 헤테로 아릴기를 갖는 고분자 나노 섬유로 이루어진 고분자 나노 섬유층을 형성하는 단계; (b) 개구부를 갖는 마스크를 사용하여 상기 고분자 나노 섬유층 중 상기 마스크의 상기 개구부에 의하여 노출된 부분을 선택적으로 UV-오존에 노출시키는 단계; (c) 상기 고분자 나노 섬유층으로부터 상기 UV-오존에 노출되지 않은 부분을 선택적으로 제거하여 고분자 나노 섬유층 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 고분자 나노 섬유층 패턴 위에 금속 전구체를 침적시키는 단계; 및 (e) 상기 금속 전구체를 금속으로 환원시키는 단계; 를 포함한다.

    Abstract translation: 本发明的一个方面提供了形成聚合物纳米纤维 - 金属纳米颗粒复合图案的方法。 形成聚合物纳米纤维 - 金属纳米颗粒复合图案的方法包括（a）在基材上形成由具有杂芳基的聚合物纳米纤维制成的聚合物纳米纤维层的步骤; （b）通过使用具有开口部分的掩模，将由掩模的开口部分暴露的聚合物纳米纤维层的区域选择性地暴露于UV-臭氧的步骤; （c）通过从聚合物纳米纤维层选择性地除去未暴露于UV-臭氧的区域，形成聚合物纳米纤维层图案的步骤; （d）将金属前体沉积在聚合物纳米纤维层图案上的步骤; 和（e）将金属前体还原成金属的步骤。

    신축성 트랜지스터용 채널층
    7.
    发明公开
    신축성 트랜지스터용 채널층 审中-实审
    可扩展晶体管的通道层

    公开(公告)号：KR1020140062570A

    公开(公告)日：2014-05-26

    申请号：KR1020120127736

    申请日：2012-11-12

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

    Inventor： 임정균 ,  박종진 ,  박민우 ,  신민관 ,  정운룡

    IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L51/0566 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0028

    Abstract: A composite for forming a stretchable TFT channel layer, a method of manufacturing a stretchable TFT channel layer, a stretchable TFT channel layer, and a stretchable TFT are provided. A composite for forming a stretchable TFT channel layer according to one embodiment of the present invention includes elastic polymer, an organic semiconductor material, and a solvent. The elastic polymer and the organic semiconductor material are mixed to manufacture a thin film. Thereby, a channel layer with excellent conductivity and stretchable property can be obtained.

    Abstract translation: 提供了一种用于形成可拉伸TFT沟道层的复合体，可拉伸TFT沟道层的制造方法，可拉伸的TFT沟道层和可拉伸的TFT。 根据本发明的一个实施方式的用于形成可拉伸TFT沟道层的复合体包括弹性聚合物，有机半导体材料和溶剂。 将弹性聚合物和有机半导体材料混合以制造薄膜。 由此，可以获得导电性和拉伸性优异的沟道层。

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