公开(公告)号：KR101790438B1

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：KR1020160048275

申请日：2016-04-20

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 고대홍 ,  최정민 ,  신현수 ,  정미진 ,  박세란 ,  김정훈

IPC: H01L21/12 ,  H01L21/10 ,  H01L29/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 본발명은저저항콘택을갖는반도체소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에반도체소자는, 반도체구조를갖는기판; 상기반도체구조상에형성된셀레늄(Se)을포함하는층간삽입막; 및상기층간삽입막상에형성되어전극을제공하기위한금속함유도전막을포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有低电阻触点的半导体器件及其制造方法。 根据本发明的实施例，一种半导体器件包括：具有半导体结构的衬底; 一种在半导体结构上形成的包含硒（Se）的层间插入膜; 并且在层间绝缘体上形成含金属导电膜以提供电极。