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1.
公开(公告)号:KR1020150135012A
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:KR1020140062632
申请日:2014-05-23
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: A61B5/0075 , A61B5/0071 , A61B2562/146 , A61B2562/164 , G01J1/42 , G01J3/44 , G01J3/4412 , G01Q60/22 , G01Q70/06 , Y10S977/954 , G01N21/63 , G01N21/27 , G02B26/00 , G02B26/08 , G02B27/02 , G02F1/09 , G03H1/02 , H04N1/04
Abstract: 본발명의일측면에따르면 Far field 광학계의광원에서조사되는빔에근접장을발현시키는광학헤드로서, 상기광학헤드는피측정물의외형이곡면또는평면이어도밀착하여결합할수 있도록유연기판및 상기유연기판상에위치하며, 상기광원에서조사되는빔에근접장을발현하는근접장발현부를포함하는근접장광학헤드가제공될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过从远场光学系统的光源照射的光束露出近场的光学头,所述光学头包括:由柔软材料制成并适于使光学头进入 即使所测量的物体具有弯曲或平坦的表面,也与被测物体紧密接触并附着于其上; 以及位于测量对象和柔性基板之间的近场启示部分,以使得一侧与柔性基板接触,另一侧与可测量物体可拆卸地连接,并且适于显露近场通过 从光源照射的光束。
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2.
公开(公告)号:KR101526952B1
公开(公告)日:2015-06-11
申请号:KR1020140096838
申请日:2014-07-29
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명의일측면에의하면, Far field 광학계의광을조사하는광원; 피측정물과일체로결합하며상기광원에서조사되는빔에의해근접장을발현하는상변화박막을포함하며, 상기광원에서조사되는조사량을조절하여상기상변화박막의개구형상을변형하여근접장깊이를조절하여상기피측정물의깊이방향으로스캔하는것이가능한근접장광 이미징장치가제공될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例,近场光学成像设备包括:用于照射远场光学系统的光的光源; 以及与被测定物体整体地组合并通过从光源照射的光束而产生近场的相变薄膜。 此外,近场光学成像装置能够通过调整相变薄膜中的开口的形状来调节被测定物的深度来调节被测定物的深度方向, 剂量从光源照射。
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3.
公开(公告)号:KR101636696B1
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:KR1020140062632
申请日:2014-05-23
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: A61B5/0075 , A61B5/0071 , A61B2562/146 , A61B2562/164 , G01J1/42 , G01J3/44 , G01J3/4412 , G01Q60/22 , G01Q70/06 , Y10S977/954
Abstract: 본발명의일측면에따르면 Far field 광학계의광원에서조사되는빔에근접장을발현시키는광학헤드로서, 상기광학헤드는피측정물의외형이곡면또는평면이어도밀착하여결합할수 있도록유연기판및 상기유연기판상에위치하며, 상기광원에서조사되는빔에근접장을발현하는근접장발현부를포함하는근접장광학헤드가제공될수 있다.
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公开(公告)号:KR101566263B1
公开(公告)日:2015-11-05
申请号:KR1020140024589
申请日:2014-02-28
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7015
Abstract: 본발명의일측면에따르면기판에패턴을형성하기위한광학리소그래피장치에서, 상기기판에탈착가능한초해상막으로써, 상기초해상막은상부에제1유전층이위치하고, 하부에제2유전층이위치하며, 상기제1유전층과상기제2유전층사이에상변화물질층이위치하되, 상기상변화물질층은 Sb-Se 화합물인초해상막이제공될수 있다.
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公开(公告)号:KR1020150102557A
公开(公告)日:2015-09-07
申请号:KR1020140024589
申请日:2014-02-28
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7015
Abstract: 본 발명의 일측면에 따르면 기판에 패턴을 형성하기 위한 광학 리소그래피 장치에서, 상기 기판에 탈착가능한초해상막으로서, 상기 초해상막은 상부에 제1유전체보호층이 위치하고, 하부에 제2유전체보호층이 위치하며, 상기 제1유전체보호층과 상기 제2유전체보호층에 상변화물질층이 위치하되, 상기 상변화물질층은 Sb
x Se
100-x 인 초해상막이 제공될 수 있다.Abstract translation: 根据本发明的实施例,在用于在基板上形成图案的光学光刻装置中,在可从基板拆卸的超分辨膜上形成第一介电保护层。 第二介电保护层位于超分辨膜下。 相变材料层位于第一和第二介电保护层中。 相变材料层由Sb_xSe_(100-x)制成。
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