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公开(公告)号：KR102225772B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190129002A
申请日：2019-10-17
Applicant: 연세대학교 원주산학협력단
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/149
Abstract: 본 발명은 폴리이미드와 그래핀 옥사이드 복합소재를 기반으로 한 고수율 저항 변화 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판의 상부면에 하부 전극층을 형성하는 하부 전극층 형성단계, 상기 하부전극층 형성단계를 통해 형성된 하부 전극층의 상부면에 저항 변화 물질층을 형성하는 저항 변화 물질층 형성단계, 상기 저항 변화 물질층 형성단계를 통해 형성된 저항 변화 물질층이 형성된 적층체를 어닐링하는 어닐링 단계 및 상기 어닐링 단계를 통해 어닐링 된 저항 변화 물질층의 상부면에 상부 전극층을 형성하는 상부 전극층 형성단계로 이루어지며, 상기 저항 변화 물질층은 2,6-다이아미노안트라센으로 표면 개질된 그래핀 옥사이드와 폴리이미드를 화학적으로 결합한 소재로 이루어진다.
상기의 제조방법은 안트라센이 함유된 폴리아믹산 겔을 용액화하여 저항 변화 물질층으로 적용하고, 상기 저항 변화 물질층을 어닐링하는 과정이 진행되어 우수한 온오프 전류 비율, 내구성 및 수율을 나타내는 저항 변화 메모리 소자를 제공하는 효과를 나타낸다.-
公开(公告)号：KR102225772B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190129002
申请日：2019-10-17
Applicant: 연세대학교 원주산학협력단
IPC: H01L45/00
Abstract: 본발명은폴리이미드와그래핀옥사이드복합소재를기반으로한 고수율저항변화메모리소자의제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는기판의상부면에하부전극층을형성하는하부전극층형성단계, 상기하부전극층형성단계를통해형성된하부전극층의상부면에저항변화물질층을형성하는저항변화물질층형성단계, 상기저항변화물질층형성단계를통해형성된저항변화물질층이형성된적층체를어닐링하는어닐링단계및 상기어닐링단계를통해어닐링된 저항변화물질층의상부면에상부전극층을형성하는상부전극층형성단계로이루어지며, 상기저항변화물질층은 2,6-다이아미노안트라센으로표면개질된그래핀옥사이드와폴리이미드를화학적으로결합한소재로이루어진다. 상기의제조방법은안트라센이함유된폴리아믹산겔을용액화하여저항변화물질층으로적용하고, 상기저항변화물질층을어닐링하는과정이진행되어우수한온오프전류비율, 내구성및 수율을나타내는저항변화메모리소자를제공하는효과를나타낸다.
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