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公开(公告)号：KR101202733B1
公开(公告)日：2012-11-20
申请号：KR1020110039506
申请日：2011-04-27
Applicant: 영남대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36
Abstract: 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 상기 제 1 및 제 2 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조체, 상기 발광 구조체 상의 투명 전극층, 상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층과 각각 연결되는 제 1 전극 및 제 2 전극이 제공된다. 상기 제 2 전극은 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 쇼트키 전극을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120121609A
公开(公告)日：2012-11-06
申请号：KR1020110039506
申请日：2011-04-27
Applicant: 영남대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0033 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve external quantum efficiency by forming a part of a P-GaN electrode into a Schottky electrode bonded in a backward direction. CONSTITUTION: A light emitting structure includes an active layer between a first and second semiconductor layers(123). A transparent electrode layer is formed on the light emitting structure. A first electrode(135) and a second electrode are connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A Schottky electrode(145) forms Schottky bonding with the second semiconductor layer. The second electrode passes through the transparent electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以通过将P-GaN电极的一部分形成为向后结合的肖特基电极来提高外部量子效率。 构成：发光结构包括在第一和第二半导体层（123）之间的有源层。 在发光结构上形成透明电极层。 第一电极（135）和第二电极连接到第一半导体层和第二半导体层。 肖特基电极（145）与第二半导体层形成肖特基接合。 第二电极通过透明电极层。
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公开(公告)号：KR1020120119480A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：KR1020110037430
申请日：2011-04-21
Applicant: 영남대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0033 , H01L33/38
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to form a part of a P type electrode in a short key electrode and to increase current diffusion. CONSTITUTION: A transparent electrode layer(131) is arranged on a light emitting structure. An ohmic electrode(140) is arranged on the transparent electrode layer. A short key electrode(145) passes through the transparent electrode layer and the ohmic electrode. The short key electrode performs short key bonding with a second semiconductor layer(123). The short key electrode includes the alloy of Cu and Al. The ohmic electrode surrounds the short key electrode. A spaced electrode(156) is supplied between the ohmic electrode and the short key electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以在短键电极中形成P型电极的一部分并增加电流扩散。 构成：在发光结构上设置透明电极层（131）。 欧姆电极（140）布置在透明电极层上。 短键电极（145）穿过透明电极层和欧姆电极。 短键电极与第二半导体层（123）进行短键接合。 短键电极包括Cu和Al的合金。 欧姆电极围绕短键电极。 在欧姆电极和短键电极之间提供间隔开的电极（156）。
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公开(公告)号：KR101618005B1
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：KR1020150055217
申请日：2015-04-20
Applicant: 영남대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36
Abstract: 본발명은자외선발광다이오드용전극구조체및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, (Al,In)GaN (0≤x≤1)으로이루어진 p형의제1 접촉반도체층과, 상기제1 접촉반도체층의상부에형성되며, 금속과의오믹접촉저항을줄이는제2 접촉반도체층과, 상기제2 접촉반도체층의상부에형성되며, (Al,Mg)ZnO (0≤x≤1)로이루어진산화물에나노크기의금속이삽입되는제1 금속산화물층, 및상기제1 금속산화물층의상부에형성되고, 상기제1 금속산화물층과외부간의굴절율차이를감소시키는제2 금속산화물층을포함하는자외선발광다이오드용전극구조체를제공한다. 본발명에따른자외선발광다이오드용전극구조체및 그제조방법에따르면, 투명전극내에서의전류퍼짐효율및 전극에서반도체로의전류주입효율을높일수 있으며, 외부와의굴절율차이를줄이는산화물층을이용하여광자추출효율을극대화시킬수 있어고효율및 고신뢰성의자외선발광다이오드를구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种紫外发光二极管的电极结构及其制造方法。 根据本发明，提供了一种用于紫外发光二极管的电极结构，包括：由（Al，In）-xGa_（1-x）N（0≤x≤1）组成的p型第一接触半导体层 ）; 第二接触半导体层，形成在第一接触半导体层的上部，用于降低与金属的欧姆接触电阻; 形成在第二接触半导体层的上部并且具有插入由（Al，Mg）xZn_（1-x）O（0≤x≤1）构成的氧化物中的纳米尺寸金属的第一金属氧化物层; 以及形成在第一金属氧化物层的上部的第二金属氧化物层，用于减小第一金属氧化物层与其外部之间的折射率差。 根据本发明的紫外线发光二极管的电极结构及其制造方法，能够提高透明电极内的电流扩散效率和从电极到半导体的电流注入效率，并且通过使用氧化物使光子提取效率最大化 层减少了与外界的折射率差，从而实现了高效高可靠的紫外发光二极管。
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公开(公告)号：KR101296946B1
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020110037428
申请日：2011-04-21
Applicant: 영남대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 제1 측면에 따르면, 본 발명은 기판을 준비하는 단계; 버퍼층을 적층하는 단계; 상기 버퍼층 상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 차례로 적층된 복수개의 발광 구조체를 형성하는 단계; 상기 발광 구조체 각각에 투명 전극층을 적층하는 단계; 상기 발광 구조체의 상기 투명 전극층 상부에 상기 발광 구조체의 상단부와 동일한 형태와 크기로 형성되는 갖는 제1 본딩 금속층 및 제2 본딩 금속층으로 구성되는 본딩 금속층에 의해 비아홀이 형성된 서브 기판을 본딩하는 단계; 및 상기 비아홀을 통해 식각액을 공급하여 상기 버퍼층을 식각하여 상기 기판을 상기 발광 구조체로부터 분리하는 단계; 를 포함하고, 상기 서브 기판을 본딩하는 단계는 상기 발광 구조체의 사이의 공간으로 통하는 상기 비아홀을 폐쇄하지 않도록 상기 제1 본딩 금속층 및 제2 본딩 금속층을 정렬하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법을 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101309258B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120035588
申请日：2012-04-05
Applicant: 영남대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve external quantum efficiency by forming a nanostructure capping pattern for covering a nanostructure. CONSTITUTION: A light emitting structure (120) includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer. An active layer is formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A nanostructure (156) is formed on the light emitting structure. The nanostructure includes nanowires. A nanostructure capping pattern (171) prevents the separation of the nanowires.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以通过形成用于覆盖纳米结构的纳米结构封盖图案来提高外部量子效率。 构成：发光结构（120）包括第一半导体层和第二半导体层。 在第一半导体层和第二半导体层之间形成有源层。 在发光结构上形成纳米结构（156）。 纳米结构包括纳米线。 纳米结构封盖图案（171）防止纳米线的分离。
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公开(公告)号：KR1020120119479A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：KR1020110037428
申请日：2011-04-21
Applicant: 영남대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/36
Abstract: PURPOSE: A vertical type light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to separate a substrate without damage by chemical lift-off. CONSTITUTION: A plurality of light emitting structures is formed on a buffer layer(S130). A transparent electrode layer is laminated on a plurality of the light emitting structures(S140). A reflecting layer is laminated on the top of the transparent electrode layer(S150). A bonding metal layer is laminated on the top of a reflection layer(S160). A sub substrate is bonded by the bonding metal layer(S170). Etching solution is supplied through a via hole of the substrate. The substrate is separated from the light emitting structure(S180). [Reference numerals] (S110) Preparation of substrate; (S120) Lamination buffering layer; (S130) Luminescent structure formation on buffering layer; (S132) Etching; (S140) Lamination of transparent electrode layer; (S150) Lamination of reflective layer; (S160) Lamination of bonding metal layer; (S162) Alignment of first and second bonding metal layer; (S170) Sub-substrate bonding; (S180) Separation of substrate
Abstract translation: 目的：提供一种垂直型发光二极管及其制造方法，以分离基板而不受化学剥离的损害。 构成：在缓冲层上形成多个发光结构（S130）。 在多个发光结构上层叠透明电极层（S140）。 在透明电极层的顶部层叠反射层（S150）。 在反射层的顶部层叠接合金属层（S160）。 副基板通过接合金属层接合（S170）。 蚀刻溶液通过基板的通孔供给。 将衬底与发光结构分离（S180）。 （参考号）（S110）基板的制作 （S120）层压缓冲层; （S130）缓冲层上发光结构的形成; （S132）蚀刻; （S140）透明电极层的层叠; （S150）反射层层叠; （S160）接合金属层的层压; （S162）第一和第二接合金属层的对准; （S170）子基板接合; （S180）底物分离
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公开(公告)号：KR1020110086353A
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：KR1020100006035
申请日：2010-01-22
Applicant: 영남대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode of a nano structure and a manufacturing method thereof are provided to form a nano structure in a p-electrode to guide light upward, thereby increasing light emitting efficiency without lowering reliability. CONSTITUTION: A light emitting structure is formed on a substrate(100). The light emitting structure comprises a first semiconductor layer(121), an active layer(122), and a second semiconductor layer(123). A first electrode(142) is formed on the first semiconductor layer. A second electrode(141) is formed on the second semiconductor layer. A first nano structure(153) is formed in a first trench(115) which is located on the first semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种纳米结构的发光二极管及其制造方法，以在p电极中形成纳米结构，以向上引导光，从而提高发光效率，而不降低可靠性。 构成：在基板（100）上形成发光结构。 发光结构包括第一半导体层（121），有源层（122）和第二半导体层（123）。 第一电极（142）形成在第一半导体层上。 第二电极（141）形成在第二半导体层上。 第一纳米结构（153）形成在位于第一半导体层上的第一沟槽（115）中。
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公开(公告)号：KR101196961B1
公开(公告)日：2012-11-05
申请号：KR1020110037430
申请日：2011-04-21
Applicant: 영남대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36
Abstract: 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 기판 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층이 차례로 적층된 발광 구조체를 제공하고, 발광 구조체 상에 투명 전극층을 제공하고, 투명 전극층 상에 오믹 전극을 제공한다. 투명 전극층 및오믹 전극을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 하는 쇼트키 전극을 제공한다. 오믹 전극은 쇼트키 전극을 둘러싸고, 오믹 전극과 쇼트키 전극 사이에 이격된 공간이 제공된다.
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公开(公告)号：KR101045057B1
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020100006042
申请日：2010-01-22
Applicant: 영남대학교 산학협력단
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a method for manufacturing the same are provided to increase the diffusion of currents by forming a part of a p-type electrode with a schottky electrode and another part of the p-type electrode with an ohmic electrode. CONSTITUTION: A light emitting structure is formed on a substrate(100). The light emitting structure includes a first semiconductor layer(121), an active layer(122), and a second semiconductor layer(123). A transparent electrode layer(131) is formed on the light emitting structure. An ohmic electrode(140) is formed on the transparent electrode layer. A schottky junction is implemented between a schottky electrode(145) and the second semiconductor layer. The ohmic electrode surrounds the schottky electrode. A space is arranged between the ohmic electrode and the schottky electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以通过用肖特基电极和p型电极的另一部分用欧姆电极形成一部分p型电极来增加电流的扩散。 构成：在基板（100）上形成发光结构。 发光结构包括第一半导体层（121），有源层（122）和第二半导体层（123）。 在发光结构上形成透明电极层（131）。 在透明电极层上形成欧姆电极（140）。 在肖特基电极（145）和第二半导体层之间实现肖特基结。 欧姆电极围绕肖特基电极。 在欧姆电极和肖特基电极之间布置有空间。
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