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公开(公告)号：KR102246570B1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：KR1020140119384
申请日：2014-09-05
Applicant: 온세미컨덕터코리아 주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L27/098 , H01L29/78
Abstract: 전력반도체장치는, 기판의제1 영역내에배치되는다이오드부분; 상기기판의상기제1 영역에인접한제2 영역내에배치되는 JFET 부분; 상기기판의상기제1 영역상에배치되는애노드단자; 및상기기판의상기제2 영역상에배치되는캐소드단자;를포함하며, 상기다이오드부분은, 상기기판내에배치되며, 상기애노드단자와전기적으로연결되는 p형바디영역, 상기 p형바디영역의일측상에배치되며, 제1 불순물농도를갖는 n형웰, 상기 p형바디영역하부에배치되며, 상기제1 불순물농도보다낮은제2 불순물농도를갖는제1 n형반도체영역을포함한다.
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