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公开(公告)号：WO2018101536A3
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：PCT/KR2017/000417
申请日：2017-01-12
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 짧은 사슬의 리간드로 표면이 부동태화된 양자점을 기반으로, 양자점 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광 다이오드는 표면이 부동태화된 양자점을 포함하는 양자점층을 포함하고, 표면이 부동태화된 양자점은, 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 양자점, 및 양자점의 표면에 위치하고, 유기 리간드들을 포함하는 표면처리층을 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022173238A2
公开(公告)日：2022-08-18
申请号：PCT/KR2022/002028
申请日：2022-02-10
Applicant: 울산과학기술원
IPC: G01N33/543 , G01N33/545 , G01N33/76 , G01N33/569 , G01N33/58 , C09K11/02 , C09K11/54 , C09K11/56 , C08K9/02 , C08K3/30
Abstract: 본 발명은 코어-쉘 구조를 갖는 하나 이상의 양자점(quantum dot), 상기 양자점 표면에 배치된 표면 개질 리간드 및 하나 이상의 폴리머 리간드로 이루어진 3차원 자기 조립 구조(3D selfassembly structure)의 양자 비드(quantum bead)를 포함하고, 상기 하나 이상의 양자점이 상기 양자 비드 내에 분산되고, 상기 코어는 인듐 인화물(InP)을 포함하고, 상기 쉘의 두께는 3 nm 내지 9nm인, 양자점-폴리머 복합체, 상기 양자점-폴리머 복합체를 포함하는 면역 검출용 접합체 및 이를 이용한 진단용 키트에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2022075720A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/KR2021/013652
申请日：2021-10-06
Applicant: 덕산네오룩스 주식회사 , 울산과학기술원
Abstract: 본 발명에 따른 양자점 제조방법은, Ⅲ족원소 및 Ⅴ족원소가 포함된 시드를 형성하는 시드형성단계; 상기 시드형성단계 후 표면산화 억제제를 투입하여 상기 시드의 표면에서 산화를 억제시키는 산화억제단계; 및 상기 산화억제단계 후 Ⅲ족원소, 및 Ⅴ족원소를 포함하는 성장층 또는 Ⅲ족원소, 추가금속, 및 Ⅴ족원소를 포함하는 성장층을 상기 시드상에 형성시키는 성장층형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2022075719A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/KR2021/013651
申请日：2021-10-06
Applicant: 덕산네오룩스 주식회사 , 울산과학기술원
Abstract: 본 발명에 개시된 기술은 Ⅲ-Ⅴ족계 양자점 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점은 III족원소 및 V족원소를 포함하는 시드와, 상기 시드의 외면에 Al, Ti, Mg, Na, Li, F, Zr, Sn 및 Cu로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속원소가 상기 시드의 반지름보다 얇은 두께로 감싸는 금속층을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족계 양자점이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2018151438A1
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：PCT/KR2018/001122
申请日：2018-01-25
Applicant: 에스케이씨 주식회사 , 울산과학기술원
IPC: C01B33/158 , C01B33/159
CPC classification number: C01B33/1585 , C01B33/159 , C01P2006/12 , C01P2006/16
Abstract: 표면적이 넓고 공극률이 높으며 열전도율이 낮을 뿐만 아니라 경제적이며 친환경적인, 가테콜 계열 화합물로 표면 개질된 에어로젤, 및 이의 제조방법이 개시된다.
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公开(公告)号：WO2018101536A2
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：PCT/KR2017/000417
申请日：2017-01-12
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 짧은 사슬의 리간드로 표면이 부동태화된 양자점을 기반으로, 양자점 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.
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8.发明授权
公开(公告)号：KR101722638B1
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020150098637
申请日：2015-07-10
Abstract: 본발명은백린을이용한인듐포스파이드양자점및 인듐포스파이드/아연황셀레늄코어/쉘양자점의제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는백린을인원(phosphorus source)으로사용하는열분해방법을이용함으로써발광특성이우수한다양한크기의인듐포스파이드양자점을합성할수 있는, 백린을이용한인듐포스파이드양자점및 인듐포스파이드/아연황셀레늄코어/쉘양자점의제조방법에관한것이다. 본발명은백린을금속염형태로사용하지않기때문에반응이안정적이어서대량생산에적합하고, 계면활성제의종류또는농도를조절하거나진공화(degassing) 온도를조절함으로써양자점의크기를쉽게조절할수 있을뿐만아니라, 양자점을콜로이드상으로제조하는것이가능하여활용범위가넓으며, 발광성능이매우우수한인듐포스파이드양자점을제조할수 있다.
Abstract translation: 它涉及一种制造磷化铟量子点的方法，以及使用本发明eunbaekrin磷化铟/锌 - 硫 - 硒的核/壳量子点，更具体而言，光通过使用利用该WP由人员（磷源）的热分解法的发光特性 氟化锌硒核/壳量子点，其使用磷化铟量子点能够合成具有优异各种尺寸的磷化铟量子点。 该反应是稳定的，因为是适合于大量生产，并且调节表面活性剂的种类或浓度或控制排气（脱气）通过不仅容易控制量子点的尺寸，因为它不使用本发明eunbaekrin金属盐形式的温度， 是有可能制造具有广泛的应用范围中的胶体量子点，光发射性能可以具有优良的磷化铟量子点来制造。
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公开(公告)号：KR101887866B1
公开(公告)日：2018-08-13
申请号：KR1020160110522
申请日：2016-08-30
Abstract: 본발명은비배위성용매, III족양이온의전구체, 제1리간드및 제2리간드에배위된백린(white phosphorus)을혼합하여열분해반응에의해나노크리스탈을합성하는나노크리스탈합성단계및 합성된상기나노크리스탈을침전시키는침전단계를포함하는메탈포스파이드나노크리스탈의제조방법에관한것으로, 입자크기가 1.5 내지 2nm이고, 430 내지 550nm의파장의발광영역(emission range)을갖는매직사이즈드(magic-sized) 메탈포스파이드나노크리스탈, MP(x,y는 10 내지 100 사이의정수)의구조식을가지며, 발광스펙트럼의반값전폭(FWHM)이 100nm 이하이고, 적어도코어에서 30%의포토루미네선스(photoluminescence) 양자수율을가진메탈포스파이드나노크리스탈을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101897179B1
公开(公告)日：2018-09-10
申请号：KR1020160110521
申请日：2016-08-30
IPC: C01B25/08
Abstract: 본발명은비배위성용매, III족양이온의전구체, 제1리간드및 제2리간드에배위된백린(white phosphorus)을혼합하여열분해반응에의해나노크리스탈을합성하는나노크리스탈합성단계및 합성된상기나노크리스탈을침전시키는침전단계를포함하는메탈포스파이드나노크리스탈의제조방법에관한것으로, 입자크기가 1.5 내지 2nm이고, 430 내지 550nm의파장의발광영역(emission range)을갖는매직사이즈드(magic-sized) 메탈포스파이드나노크리스탈, MP(x,y는 10 내지 100 사이의정수)의구조식을가지며, 발광스펙트럼의반값전폭(FWHM)이 100nm 이하이고, 적어도코어에서 30%의포토루미네선스(photoluminescence) 양자수율을가진메탈포스파이드나노크리스탈을제공할수 있다.
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