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公开(公告)号：KR101443135B1
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020130037611
申请日：2013-04-05
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L41/27 , H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/193 , H01L41/25 , H01L41/314
Abstract: According to the present invention, a small piezoelectric generator using a hollow-hemisphere thin film includes: a substrate; a lower electrode formed on the substrate; a hollow-hemisphere piezoelectric thin film layer formed on the lower electrode; an insulating layer formed on the hollow-hemisphere piezoelectric thin film layer; and an upper electrode formed on the insulating layer. The small piezoelectric generator can be miniaturized and can significantly reduce cost for collecting energy.
Abstract translation: 根据本发明，使用中空半球薄膜的小型压电发生器包括：基板; 形成在所述基板上的下电极; 形成在下电极上的中空半球形压电薄膜层; 形成在中空半球形压电薄膜层上的绝缘层; 和形成在绝缘层上的上电极。 小压电发电机可以小型化并且可以显着降低收集能量的成本。
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公开(公告)号：KR101455130B1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：KR1020130040801
申请日：2013-04-15
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
IPC: G01N27/12
Abstract: 본 발명에 따르면, 반도체기판(10); 및 상기 반도체기판(10) 상에 일정간격 이격되어 각각 증착된 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)과, 상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)으로부터 각각 성장되어 형성된 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)와, 상기 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)의 표면에 증착된 촉매층(50)을 포함하는 접합센서소자(100);를 포함하는 금속산화물 반도체를 이용한 접합센서 어레이를 개시한다.
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公开(公告)号：KR1020140094740A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020130006823
申请日：2013-01-22
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/02601 , H01L2933/0008
Abstract: A method for manufacturing a nitride-based light emitting diode according to the present invention comprises the steps of depositing an IZO layer on the surface of a TCO layer of a nitride-based semiconductor layer; surface-treating the top of the nitride-based semiconductor layer with zinc oxide to form a nanomaterial; and forming the nanomaterial consisting of the zinc oxide on the surface of the surface-treated semiconductor layer. The present invention can grow a ZnO nanostructure having high density without a seed layer and also improve light extraction efficiency of the light emitting diode by growing the ZnO nanostructure at a lower temperature than 90 degrees to enable the growth without an LED heat shock.
Abstract translation: 根据本发明的制造氮化物系发光二极管的方法包括以下步骤：在氮化物基半导体层的TCO层的表面上沉积IZO层; 用氧化锌对氮化物基半导体层的顶部进行表面处理以形成纳米材料; 以及在表面处理的半导体层的表面上形成由氧化锌组成的纳米材料。 本发明可以生长具有高密度的ZnO纳米结构，而没有种子层，并且还通过在低于90度的温度下生长ZnO纳米结构来提高发光二极管的光提取效率，以使得能够在没有LED热冲击的情况下生长。
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公开(公告)号：KR101367694B1
公开(公告)日：2014-03-03
申请号：KR1020110115572
申请日：2011-11-08
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: 본 발명에 따르면, 기판(10)의 상부면에 복수의 나노스피어(20)를 단일층으로 배열하는 나노스피어 배열단계(S110); 상기 복수의 나노스피어(20)들 간의 간격에 실리카졸 용액을 스며들게 하여, 상기 기판(10)의 상부면에 내측으로 오목한 복수의 반구홈(31)을 갖는 나노패턴(30)을 형성하는 나노패턴 형성단계(S120); 화학적 용해방식 또는 연소방식을 통해 상기 나노스피어(20)를 제거하는 나노스피어 제거단계(S130); 나노스피어(20)가 제거된 나노패턴(30)을 일정온도로 가열하여 나노패턴(30)을 결정화시키는 열처리단계(S140); 결정화된 나노패턴(30)의 각 반구홈(31) 내부에 상부방향으로 성장된 로드(Rod) 형태의 산화아연 나노구조체(40)를 형성하는 산화아연 나노구조체 형성단계(S150); 및 상기 산화아연 나노구조체(40)의 외부면에 질화갈륨(GaN)을 이종결합시켜 질화갈륨 나노구조체(50)를 형성하는 질화갈륨 나노구조체 형성단계(S160);를 포함하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR101499496B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130085124
申请日：2013-07-19
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: 본 발명에 따르면, 나노크기를 갖는 원통형의 베이스(110)를 직립하게 배치하는 베이스배치 단계(S210); 배치된 베이스(110)로부터 일정거리 이격된 원주상의 일위치(φ
1 )에서 배치된 베이스(110)를 향해 수평기준선(L
1 )으로부터 일정각도(θ
1 )로 경사지게 하향하는 제1증착방향(D
1 )으로 제1금속물질(120)을 증착시켜 상기 베이스(110)의 상단을 포함하여 상기 제1증착방향(D
1 )과 대향하는 베이스(110)의 내측면과 외측면에 각각 제1금속물질(120)을 배치하는 제1금속증착 단계(S220); 및 상기 제1금속증착 단계(S220)를 통해 상기 베이스(110)의 상단 둘레에 증착된 제1금속물질(120)을 제거하여 원통형 플라즈모닉 메타구조체(100)를 형성하는 상단부제거 단계(S240);를 포함하는 나노크기의 원통형 플라즈모닉 메타구조체 제조방법을 개시한다.-
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公开(公告)号：KR1020140124037A
公开(公告)日：2014-10-24
申请号：KR1020130040801
申请日：2013-04-15
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
IPC: G01N27/12
Abstract: 본 발명에 따르면, 반도체기판(10); 및 상기 반도체기판(10) 상에 일정간격 이격되어 각각 증착된 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)과, 상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)으로부터 각각 성장되어 형성된 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)와, 상기 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)의 표면에 증착된 촉매층(50)을 포함하는 접합센서소자(100);를 포함하는 금속산화물 반도체를 이용한 접합센서 어레이를 개시한다.
Abstract translation: 在本发明中公开了一种使用金属氧化物半导体的结传感器阵列，其包括：半导体衬底（10）; 以及包括以规则的间隔沉积在半导体衬底（10）上的第一半导体晶种层（20）和第二半导体籽晶层（30）的结传感器元件（100），第一纳米结构（21）和第二纳米结构 （31），分别从第一半导体种子层（20）和第二半导体籽晶层（30）生长的催化剂层（31）和沉积在第一纳米结构（21）和第二纳米结构体 31）。
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公开(公告)号：KR101371501B1
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：KR1020120063428
申请日：2012-06-14
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 산화아연과 탄소소재 복합체를 이용한 플렉서블 히터 및 그의 제조방법은, 산화아연을 성장시킨 탄소섬유를 히터에 사용함으로써, 발열 표면적이 넓어져서 발열 효과가 증대될 수 있는 효과가 있을 뿐만 아니라, 산화아연이 전기 전도도 및 열 전도도가 높기 때문에 발열 효과가 보다 향상될 수 있다. 또한, 산화아연을 성장시킨 탄소섬유를 유연 시트부와 일체화시킴으로써, 상기 유연 시트부가 다양한 형태로 변형이 가능하기 때문에 옷이나 핸들 커버 등 발열이 필요한 다양한 제품에 적용할 수 있는 이점이 있다. 또한, 산화아연을 성장시킨 탄소섬유 직조물을 사용함으로써, 유연 시트부에 별도의 패턴을 형성할 필요 없이 상기 유연 시트부에 직접 결합시킴으로써, 제작이 보다 용이해질 수 있다. 또한, 상기 탄소섬유 직조물에 상기 폴리머를 도포하기 때문에, 상기 탄소섬유에 폴리머를 미리 혼합할 필요가 없으므로 작업이 보다 용이해질 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130140236A
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020120063428
申请日：2012-06-14
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: A flexible heater using a zinc oxide and a carbon material complex and a manufacturing method thereof according to the present invention are capable of increasing a heating effect by widening a heating area by using a carbon fiber to a heater and improving the heating effect with the high electric conductivity and heat conductivity of the zinc oxide. In addition, it can be applied to various products such as a handle cover or clothing by transforming a flexible sheet part into various shapes by integrating the flexible sheet part with the carbon fiber. In addition, it can be easily manufactured by directly combining a carbon fabric with the flexible sheet part without forming extra patterns on the sheet part. In addition, work can be easily performed by eliminating the need for mixing a polymer with the carbon fiber in advance by applying the polymer to the carbon fabric.
Abstract translation: 根据本发明的使用氧化锌和碳材料复合物的柔性加热器及其制造方法能够通过使用碳纤维加热器来加宽加热面积而提高加热效果，并且以高的速度提高加热效果 氧化锌的导电性和导热性。 此外，通过将柔性片部与碳纤维结合在一起，可以将柔性片部变形为各种形状，可以适用于各种产品，例如把手罩或衣服。 此外，通过将碳纤维织物与柔性片材部件直接结合，可以容易地制造，而不会在片材部件上形成额外的花纹。 此外，通过将聚合物施加到碳织物上，预先通过消除将聚合物与碳纤维混合的需要，可以容易地进行加工。
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公开(公告)号：KR101538082B1
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140008973
申请日：2014-01-24
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
IPC: H01L41/08 , H01L41/047
CPC classification number: H01L41/193 , H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/22
Abstract: 본발명은나노크기의고분자구형폴리스티렌(Polystyrene), PMMA(polymethyl methacrylate), Silica 등의입자들과 PDMS(Polydimethylsiloxane) 등의폴리머를사용하여스펀지구조를제작하고상기구조를가지고외부의자극이나응력에의해전류와전압을발생시키는정전기를이용하는소형발전기및 그제조방법을제공하는것을그 목적으로하고있다. 이러한과제를해결하기위한본 발명에의한압전또는마찰전기를이용하도록구성된스펀지구조의소형발전기는, 제1 전극; 상기제1 전극상에형성된스펀지(sponge) 구조의폴리머; 상기스펀지구조의폴리머의상부로부터제2 전극을일정거리만큼이격시키도록구성된절연성스페이서; 및상기스펀지구조의폴리머의상부로부터일정거리만큼이격되어형성된제2 전극을포함하여이루어진다.
Abstract translation: 本发明涉及使用纳米尺寸聚合物球形聚苯乙烯，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），二氧化硅等的聚合物和聚二甲基硅氧烷（PDMS）等的颗粒制造海绵结构的小型发电机，并且使用静电 通过外部刺激和结构产生电流和电压及其制造方法。 根据本发明，使用压电和摩擦电组成的海绵结构的小型发电机包括：第一电极; 形成在第一电极上的海绵结构体的聚合物; 用于将第二电极与海绵结构的聚合物的上部分离一定距离的绝缘间隔物; 并且第二电极与海绵结构的聚合物的上部分离一定距离。
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公开(公告)号：KR1020150010305A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130085124
申请日：2013-07-19
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
CPC classification number: G02B1/002 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , C23C14/226 , G02B5/008
Abstract: 본 발명에 따르면, 나노크기를 갖는 원통형의 베이스(110)를 직립하게 배치하는 베이스배치 단계(S210); 배치된 베이스(110)로부터 일정거리 이격된 원주상의 일위치(φ
1 )에서 배치된 베이스(110)를 향해 수평기준선(L
1 )으로부터 일정각도(θ
1 )로 경사지게 하향하는 제1증착방향(D
1 )으로 제1금속물질(120)을 증착시켜 상기 베이스(110)의 상단을 포함하여 상기 제1증착방향(D
1 )과 대향하는 베이스(110)의 내측면과 외측면에 각각 제1금속물질(120)을 배치하는 제1금속증착 단계(S220); 및 상기 제1금속증착 단계(S220)를 통해 상기 베이스(110)의 상단 둘레에 증착된 제1금속물질(120)을 제거하여 원통형 플라즈모닉 메타구조체(100)를 형성하는 상단부제거 단계(S240);를 포함하는 나노크기의 원통형 플라즈모닉 메타구조체 제조방법을 개시한다.Abstract translation: 公开了一种制造纳米尺寸圆柱等离子体和超材料结构的方法，其包括将纳米尺寸圆柱形基座（110）对准直立的基座对准步骤（S210） 将第一金属材料（120）在第一沉积方向（D_1）的第一沉积方向（D_1）上的基底（110）的内侧和外侧对准的第一金属沉积步骤（S220） 在第一沉积方向上朝向基部（110）的距离与对准的基座（110）间隔开的圆周上的位置（θ1）上沉积第一金属材料（120）的基部（110） （D_1）从水平参考线（L_1）以特定角度（＆amp; _gr1）向下倾斜; 以及通过去除沉积在第一金属沉积步骤（S220）中的基底（110）的顶端上的第一金属材料（120）形成圆柱等离子体激元和超材料结构（100）的顶端部分去除步骤（S240） 。
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