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Patent Agency Ranking1.发明申请금속-GO 코어-쉘 복합 나노구조체, 이를 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 메모리 소자의 제조 방법 审中-公开金属-GO芯 - 壳复合纳米结构，包括其的非易失性电阻变化存储器件以及制造存储器元件的方法
公开(公告)号：WO2018043894A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：PCT/KR2017/006697
申请日：2017-06-26
Applicant: 이화여자대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
Abstract: 본원은, 금속-GO 코어-쉘 복합 나노구조체, 상기 금속-GO 코어-쉘 복합 나노구조체를 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及金属-Ga核壳复合纳米结构，包含该金属-Ga核壳复合纳米结构的非易失性电阻变化型存储器件及其制造方法
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3.发明公开금속-GO 코어-쉘 복합 나노구조체, 이를 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 메모리 소자의 제조 방법 有权金属-GO芯 - 壳复合纳米结构，包括其的非易失性电阻变化存储器件以及制造存储器元件的方法
公开(公告)号：KR1020180024984A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020160112112
申请日：2016-08-31
Applicant: 이화여자대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/00 , H01L45/14 , H01L45/12 , H01L45/145 , H01L45/1608
Abstract: 금속-GO 코어-쉘복합나노구조체, 상기금속-GO 코어-쉘복합나노구조체를포함하는비휘발성저항변화메모리소자, 및상기메모리소자의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明公开了一种金属镓核壳复合纳米结构，包括金属-GG核 - 壳复合纳米结构的非易失性电阻变化存储器件及其制造方法。
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公开(公告)号：KR101822433B1
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：KR1020160065944
申请日：2016-05-27
Applicant: 이화여자대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
Abstract: 그래핀다층막을포함하는비휘발성저항변화메모리디바이스및 상기그래핀다층막을포함하는비휘발성저항변화메모리디바이스의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种包含石墨烯多层膜的非易失性电阻变化型存储器件以及包含该石墨烯多层膜的非易失性电阻变化型存储器件。
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公开(公告)号：KR1020170134128A
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020160065944
申请日：2016-05-27
Applicant: 이화여자대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/14 , H01L45/04 , H01L45/1253 , H01L45/1608
Abstract: 그래핀다층막을포함하는비휘발성저항변화메모리디바이스및 상기그래핀다층막을포함하는비휘발성저항변화메모리디바이스의제조방법에관한것이다.
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