公开(公告)号：KR100173418B1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019960700445

申请日：1994-07-26

Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니

Inventor： 카롤,알란프레데릭 ,  항,케네스,워렌

IPC: C03C8/18

CPC classification number: C03C8/16 ,  C03C8/02 ,  H01B1/16

Abstract: 본 발명은 (a) 400 내지 650℃로부터 연화점 log(eta) 는 7.6포아즈이고, log 비점도(eta)는 500℃ 에서 2로부터 700℃에서 5의 범위에 있으며, 필수적으로 Bi
2 O
3 65 내지 95중량%, SiO
2 2 내지 15중량%, B
2 O
3 0.1 내지 9중량%, Al
2 O
3 0 내지 5중량%, CaO 0 내지 5중량% 및 ZnO 0 내지 20 중량%로 이루어진 무납 유리 조성물의 미분 입자, (b) 전기 전도성 입자, 및 (c) (a)와 (b)가 모두 분산되어 있는 유기 매질을 포함하는 경질 기질 상에 전도성 패턴을 형성하기에 적합하고 스크린 인쇄가 가능한 후막 페이스트 조성물에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019960703814A

公开(公告)日：1996-08-31

申请号：KR1019960700445

申请日：1994-07-26

Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니

Inventor： 카롤,알란프레데릭 ,  항,케네스,워렌

IPC: C03C8/18

Abstract: 본 발명은 (a) 400 내지 650℃로부터 연화점 log (eta)는 7.6포아즈이고, log 비점도 (eta)는 500℃에서 2로부터 700℃에서 5의 범위에 있으며, 필수적으로 Bi
2 O
3 65 내지 95중량%, SiO
2 2 내지 15중량%, B
2 O
3 0.1 내지 9중량%, Al
2 O
3 0 내지 5중량%, CaO 0 내지 5중량% 및 ZnO 0 내지 20중량%로 이루어진 무납 유리 조성물의 미분 입자; (b) 전기 전도성 입자, 그리고 (c) (a)와 (b)가 모두 분산되어 있는 유기 매질을 포함하는 경질 기질 상에 전도성 패턴을 형성하기에 적합하고 스크린 인쇄가 가능한 후막 페이스트 조성물에 관한 것이다.