公开(公告)号：KR100240861B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019930701697

申请日：1991-12-09

Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니

Inventor： 페이스,딘윌레트

IPC: H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2435

Abstract: 상승된 성장 온도, 즉 약 100℃ 내지 900℃의 성장 온도를 필요로 하는 화합물의 결정성 박막을 기판 상에 피착시키기 위한 개량된 인-시투 공정이 제공된다. 이들 개량점들은 기판의 후면, 즉 박막이 피착될 표면과 반대인 기판의 표면을 복사 열원으로부터의 복사에 노출시키므로써 기판을 원하는 성장 온도로 가열시키고, 이 복사를 유지시키므로써 박막의 피착 중에 원하는 성장 온도를 유지시킨다.

公开(公告)号：KR1019950704819A

公开(公告)日：1995-11-20

申请号：KR1019950702436

申请日：1993-12-07

Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니

Inventor： 도로시,로버트글렌 ,  페이스,딘윌레트 ,  라우바처대니얼브루스

IPC: H01L39/24

Abstract: 서로 결합되거나 또는 선택적으로 전력반 및 접지판을 함유하는 기초 부구조체에 결합되는 기판상의 고온 초전도성 신호층으로 이루어진 전기적 상호 접속 구조체 및 이들을 제조하는 방법이 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR1019930703708A

公开(公告)日：1993-11-30

申请号：KR1019930701697

申请日：1991-12-09

Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니

Inventor： 페이스,딘윌레트

IPC: H01L39/24

Abstract: 상승된 성장 온도, 즉 약 100℃ 내지 900℃의 성장 온도를 필요로 하는 화합물의 결정성 박막을 기판상에 피착시키기 위한 개량된 인-시투 공정이 제공된다. 이들 개량점들은 기판의 후면, 즉 박막이 피착될 표면과 반대인 기판의 표면을 복사 열원으로부터의 복사에 노출시키므로써 기판을 원하는 성장온도로 가열 시키고, 이 복사를 유지시키므로써 박막의 피착 중에 원하는 성장 온도를 유지시킨다.