公开(公告)号：KR1019970002460A

公开(公告)日：1997-01-24

申请号：KR1019950016367

申请日：1995-06-20

Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니

Inventor： 하야까와게이이찌로 ,  제롬디.스미쓰 ,  야마다히데히로

IPC: H01C7/00

Abstract: 본 발명은 기판 표면상에 균일한 두께의 후막 레지스터를 고정밀도로 형성하는 후막 레지스터 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 전도성 성분과 무기 결합체를 유기 매질 중에 분산시킴으로써 얻어진 특정 유동학적 특성을 갖는 후막 레지스터 조성물을, 레지스트 패턴에 따라 절연 기판상에 형성된 광중합성 혼합물의 레지스트층을 노출시키고, 경화 및 현상함으로써 얻어진 선명한 릴리프 화상을 통하여 도포함으로써 후막 레지스터 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 이때 얻어진 후막 페이스트는 절연 기판의 표면상의 광중합성층과 거의 동일한 두께를 갖고, 현상에 의해 제거된 레지스트 화상에 의해 둘러싸인 선예한 선형의 측연부에 의해 한정된 고정밀도 패턴에 따라 패턴화된다.

公开(公告)号：KR100284785B1

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1019930005056

申请日：1993-03-30

Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니

Inventor： 윌리암보랜드 ,  하야까와게이이찌로 ,  사또다께시 ,  제롬데이비드스미스

IPC: H01C7/00

Abstract: 본 발명은 TCR의 길이 효과가 낮은 후막 저항기 조성물을 제공한다. 루테늄의 산화물 및 루테늄 피로클로르 옥사이드 중 1종 이상을 전도성 성분으로 함유하는 본 발명의 후막 저항기 조성물은 그안에 혼입되어 있는 은 0.02 내지 5.0중량%를 갖는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019930020500A

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：KR1019930005056

申请日：1993-03-30

Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니

Inventor： 윌리암보랜드 ,  하야까와게이이찌로 ,  사또다께시 ,  제롬데이비드스미스

IPC: H01C7/00

Abstract: 본 발명은 TCR의 길이 효과가 낮은 후막 저항기 조성물을 제공한다. 루테늄의 산화물 및 루테늄 피로클로르 옥사이드 중 1종 이상을 전도성 성분으로 함유하는 본 발명의 후막 저항기 조성물은 그 안에 혼입되어 있는 은 0.02 내지 5.0 중량%를 갖는 것을 특징으로 한다.