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1.
公开(公告)号:KR1020120089073A
公开(公告)日:2012-08-09
申请号:KR1020110010201
申请日:2011-02-01
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: C01B33/113 , H01M4/48 , B01J19/08
CPC classification number: C01B33/113 , B01J19/087 , B01J2219/0894 , C01P2004/64 , H01M4/48
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing silicon oxide powder based on thermal plasma and the silicon oxide powder manufactured by the same are provided to improve the efficiency of operational processes by using plasma of high temperatures. CONSTITUTION: A method for manufacturing silicon oxide powder using thermal plasma includes the following: pellet based on the mixed powder of silicon and silicon dioxide or silicon dioxide powder is molten and vaporized; reaction gas is injected into a thermal plasma device to reduce silicon dioxide from the vaporized gas into silicon oxide(SiO_x). In silicon oxide, x is between 0.5 and 1.5. The reduced silicon oxide is collected into silicon oxide powder. The thermal plasma generating gas is one selected from argon, nitrogen, and the mixed gas of argon and nitrogen.
Abstract translation: 目的:提供一种基于热等离子体制造氧化硅粉末的方法和由其制造的氧化硅粉末,以通过使用高温等离子体来提高操作过程的效率。 构成:使用热等离子体制造氧化硅粉末的方法包括以下:基于硅和二氧化硅或二氧化硅粉末的混合粉末的颗粒被熔化和蒸发; 将反应气体注入热等离子体装置以将二氧化硅从蒸发的气体中减少为氧化硅(SiO_x)。 在氧化硅中,x在0.5和1.5之间。 还原的氧化硅被收集到氧化硅粉末中。 热等离子体产生气体选自氩,氮,氩和氮的混合气体。
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2.
公开(公告)号:KR101290659B1
公开(公告)日:2013-07-30
申请号:KR1020110010201
申请日:2011-02-01
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: C01B33/113 , H01M4/48 , B01J19/08
Abstract: 본 발명은 열플라즈마를 이용한 산화규소분말의 제조방법으로, 상세하게는 열플라즈마 제트를 이용하여 규소와 이산화규소 혼합 분말 또는 이산화규소 분말로 이루어진 펠렛을 용융 및 기화시키는 단계(단계 1); 열플라즈마 장치 내로 반응가스를 주입하여 기화된 가스 중 이산화규소를 산화규소(SiO
x )(단, 0.5 x ) 분말의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 열플라즈마를 이용한 산화규소(SiO
x )분말 제조방법은 열플라즈마 제트를 이용하여 단시간 안에 나노 크기의 산화규소 분말을 합성할 수 있으며, 고온의 플라즈마를 이용함으로써 기화가 용이하고, 공정효율이 좋으며, 공정조건의 제어가 쉬운 특징이 있다. 또한, 제조된 산화규소 분말을 리튬 이차전지의 음극활물질로 이용할 수 있다.
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