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公开(公告)号:WO2019190147A1
公开(公告)日:2019-10-03
申请号:PCT/KR2019/003467
申请日:2019-03-26
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명의 일실시 예는 고색순도 디스플레이 적용을 위한 InP계 나노입자의 제조방법에 관한 것으로, InX계 양자점 시드를 포함한 혼합물을 준비하는 단계, 상기 혼합물에 Zn(In)X계 클러스터를 연속 주입하여 InX계 코어를 형성하는 단계, 상기 혼합물에 셀레늄 화합물 및 상기 아연 전구체를 넣어 상기 In계 코어상에 코팅된 제1 쉘을 형성하는 단계 및 상기 혼합물에 황 화합물 및 상기 아연 전구체를 넣어 상기 제1 쉘 상에 코팅된 제2 쉘을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 제1 쉘은 ZnSe으로 형성되고, 상기 제2 쉘은 ZnS로 형성된 것을 특징으로 하고, 상기 X는 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법을 제공하여 균일한 코어 양자점 합성기술을 제공하고, 종래 양자점의 색순도 향상 및 안정성 문제를 해결한 차세대 자발광 발광소자의 발광층을 제공하는 것이다.
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公开(公告)号:KR101712037B1
公开(公告)日:2017-03-03
申请号:KR1020150123550
申请日:2015-09-01
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본발명은, 세슘리드할라이드나노크리스탈의가역적할라이드교환방법을제공한다. 상기방법은, 실온에서, 제1 세슘리드할라이드(CsPbXX=제1 할라이드) 나노크리스탈에리튬할라이드(LiY, Y=제2 할라이드)를첨가하여할라이드가교환된제2 세슘리드할라이드(CsPbYY=제2 할라이드)로변환시키는단계를포함한다.
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