-
公开(公告)号：WO2019124719A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：PCT/KR2018/012975
申请日：2018-10-30
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 음극재료를 제공한다. 이러한 음극재료는 리튬 티타늄 산화물계 입자 및 상기 리튬 티타늄 산화물계 입자 상에 위치하는 질소가 도핑 된 그래핀 양자점 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR101882899B1
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：KR1020180061917
申请日：2018-05-30
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01M4/366 , C01G23/005 , C09K11/65 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 본발명의일 실시예는음극재료를제공한다. 이러한음극재료는리튬티타늄산화물계입자및 상기리튬티타늄산화물계입자상에위치하는질소가도핑된 그래핀양자점코팅층을포함하는것을특징으로할 수있다.
-
Patent Agency Ranking3.发明公开
公开(公告)号：KR1020160127252A
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：KR1020150057963
申请日：2015-04-24
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L29/7869 , C01B32/182 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/778 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은그래핀옥사이드(graphene oxide, GO) 및테트라메틸암모늄하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를포함하는혼합용액을제조하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서제조된혼합용액을가열하는단계(단계 2);를포함하는환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드의제조방법를제공한다. 본발명에따른환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드의제조방법은질소도펀트로서테트라메틸암모늄하이드록사이드라는 4 차암모늄염을사용함으로써저온에서도충분한환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드를제조할수 있다. 또한, 그래핀옥사이드및 테트라메틸암모늄하이드록사이드의혼합비율을조절함으로써질소도핑레벨(doping level)을조절할수 있다. 나아가, 별도의첨가제를포함하지않고환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드를제조할수 있기때문에친환경적이고, 액상공정으로대량생산이가능하다.
Abstract translation: 本发明提供还原和N-掺杂的石墨烯氧化物的制备方法，包括以下步骤：制备含有氧化石墨烯（GO）和氢氧化四甲基铵（TMAH）（步骤1）的混合溶液，并加热步骤1中制备的混合溶液 第2步）。 本发明的还原型和N-掺杂石墨烯氧化物的制备方法可以通过使用四铵氢氧化铵（四铵盐）作为氮掺杂剂，即使在低温也能提供完全还原和N-掺杂的石墨烯氧化物。 根据该方法，可以通过控制氧化石墨烯和四甲基氢氧化铵的混合比来调节N掺杂水平。 此外，该方法不需要任何额外的添加剂来制备还原和N-掺杂的石墨烯氧化物，因此它是一种促进大规模生产的纯环境方法。
-
公开(公告)号：KR102012461B1
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：KR1020170104048
申请日：2017-08-17
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: C09K11/00 , C09K11/02 , C09K11/08 , C09K11/65 , H01L31/0352
-
公开(公告)号：KR101882901B1
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：KR1020180077044
申请日：2018-07-03
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01M4/366 , C01G23/005 , C09K11/65 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 본발명의일 실시예는음극재료를제공한다. 이러한음극재료는리튬티타늄산화물계입자및 상기리튬티타늄산화물계입자상에위치하는질소가도핑된 그래핀양자점코팅층을포함하는것을특징으로할 수있다.
-
公开(公告)号：KR101739347B1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：KR1020150057963
申请日：2015-04-24
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L29/7869 , C01B32/182 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/778 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은그래핀옥사이드(graphene oxide, GO) 및테트라메틸암모늄하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를포함하는혼합용액을제조하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서제조된혼합용액을가열하는단계(단계 2);를포함하는질소가도핑된환원된그래핀옥사이드의제조방법를제공한다. 본발명에따른질소가도핑된환원된그래핀옥사이드의제조방법은질소도펀트로서테트라메틸암모늄하이드록사이드라는 4 차암모늄염을사용함으로써저온에서도충분한질소가도핑된환원된그래핀옥사이드를제조할수 있다. 또한, 그래핀옥사이드및 테트라메틸암모늄하이드록사이드의혼합비율을조절함으로써질소도핑레벨(doping level)을조절할수 있다. 나아가, 별도의첨가제를포함하지않고질소가도핑된환원된그래핀옥사이드를제조할수 있기때문에친환경적이고, 액상공정으로대량생산이가능하다.
-
公开(公告)号：KR101554565B1
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020140157939
申请日：2014-11-13
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명은 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층에 관한 것으로, 구체적으로는 ZnO:Al:Ag 전구체 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 코팅막을 400 ℃ 내지 700 ℃의 온도로 열처리하는 단계(단계 2);를 포함하는 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법에 따르면, 종래에 비해 원료가 저렴하며 제조공정이 간단한 장점이 있고, 특정 은, 알루미늄 몰비의 전구체로부터 특정 온도에서 열처리함으로써 우수한 유효 캐리어 수명을 갖는 실리콘 웨이퍼를 제조할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种制造ZnO：Al：Ag钝化层的方法和由其制造的ZnO：Al：Ag钝化层，更具体地说，涉及一种ZnO：Al：Ag钝化层的制造方法，其包括以下步骤 通过用ZnO：Al：Ag前体溶液旋涂硅晶片（步骤1）形成涂层; 并在400-700摄氏度的温度下热处理步骤1的涂层（步骤二）。 根据本发明的ZnO：Al：Ag钝化层的制造方法，具有高有效载流子寿命的硅晶片是通过在Ag的特定摩尔比的前体的特定温度下进行热处理而制造的， 人。 与现有方法相比，材料成本降低，制造过程简化。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.017 seconds)
