公开(公告)号：KR100545106B1

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：KR1020030059827

申请日：2003-08-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박영준 ,  국윤재

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14632

Abstract: 광 트랜지스터를 이용한 CMOS 이미지 센서용 단위 화소가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 화소는 광 트랜지스터, 선택 트랜지스터 및 리셋 트랜지스터를 구비한다. 광 트랜지스터는 외부로부터 인가되는 빛을 감지하여 전하를 생성한다. 선택 트랜지스터는 선택 신호에 응답하여 상기 광 트랜지스터에 저장된 전하를 외부로 출력하거나 외부로부터 전하를 수신하여 상기 광 트랜지스터로 전달한다. 리셋 트랜지스터는 리셋 신호에 응답하여 상기 광 트랜지스터의 베이스를 리셋 전압 레벨로 변화시킨다. CMOS 이미지 센서의 단위 화소는 양의 입력 단자로 소정의 셋 전압이 인가되고 음의 입력 단자로 상기 선택 트랜지스터의 제 1 단이 연결되는 적분기를 더 구비하고, 상기 적분기는 적분기 제어 신호에 응답하여 상기 음의 입력 단자와 출력 단자를 연결하거나 차단하는 스위치를 구비한다. 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 화소는 게이트와 바디(body)가 연결되어 베이스로서 동작되는 구조의 광 트랜지스터를 이용하여 약한 빛에서도 큰 광 전류를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 광 트랜지스터를 리셋 한 상태의 값을 읽어낼 수 있으므로 빛에 의해 생성된 전자-홀에 의한 출력을 읽고 리셋 상태의 값과의 차이를 구하는 CDS(correlated double sampling) 동작이 가능한 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100529477B1

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：KR1020020071964

申请日：2002-11-19

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 국윤재 ,  박영준

IPC: H01L27/146 ,  G01N33/493 ,  H04N5/335

Abstract: 바이오 칩에서 발생되는 형광 빛의 파장을 측정하는 CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 측정 방법은 바이오 칩에서 발생되는 활성 빛의 영향을 제거하고 형광 빛의 세기를 측정하기 위하여, 깊이가 다른 포토 다이오드를 이용한 픽셀(pixel) 구조를 가지는 CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법에 있어서, (a)CDS(Correlated Double Sampling)를 이용하여 소정의 피(P) 정션 전압과 엔(N) 정션 전압을 구하는 단계, (b)다양한 파장에 대하여 상기 엔 정션 전압의 레벨에서 상기 피 정션 전압의 전압 레벨을 M(실수)배 한 값을 감산한 값을 구하는 단계, (c)상기 (b) 단계에서 구한 값들을 이용하여 파장에 대한 전압 레벨의 파형을 구하는 단계 및 (d)상기 (c) 단계에서 구해진 파형을 이용하여, 활성 빛의 파장에 대응되는 전압 레벨이 0인 파형에서, 형광 빛의 파장에 대응되는 전압 레벨을 구하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따른 바이오 칩에서 발생되는 형광 빛의 파장을 측정하는 CIS(CMOS Image Sensor)의 측정 방법은 약한 형광 빛을 쉽게 측정할 수 있는 장점이 있고, 본 방법을 사용하는 측정 칩은 종래의 고가의 측정 장비를 저가의 측정 칩으로 대체할 수 있는 장점이 있다. 나아가, 현재 연구 개발되고 있는 바이오 칩의 결과를 개인이 쉽게 알 수 있으므로 바이오 칩의 보급을 증가시키는 효과도 있다.

公开(公告)号：KR1020050023531A

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020030059827

申请日：2003-08-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박영준 ,  국윤재

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14632

Abstract: PURPOSE: A CMOS image sensor pixel is provided to obtain a large photocurrent from a weak light using a light transistor that a gate and a body are connected each other. CONSTITUTION: A CMOS image sensor pixel(200) includes a light transistor, a select transistor and a reset transistor. The light transistor generates a charge by detecting a light applied from the outside. The select transistor outputs to the outside the charge stored at the light transistor in response to a select signal, or sends the charge input from the outside to the light transistor. A reset transistor transforms a base of the light transistor into a reset voltage level in response to a reset signal.

Abstract translation: 目的：提供CMOS图像传感器像素，以使用栅极和主体彼此连接的光晶体管从弱光获得大的光电流。 构成：CMOS图像传感器像素（200）包括光晶体管，选择晶体管和复位晶体管。 光晶体管通过检测从外部施加的光来产生电荷。 选择晶体管响应于选择信号向外部输出存储在光晶体管的电荷，或者将从外部输入的电荷发送到光晶体管。 复位晶体管响应于复位信号将光晶体管的基极变换为复位电压电平。

公开(公告)号：KR1020040043723A

公开(公告)日：2004-05-27

申请号：KR1020020071964

申请日：2002-11-19

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 국윤재 ,  박영준

IPC: H01L27/146 ,  G01N33/493 ,  H04N5/335

Abstract: PURPOSE: A measuring method for a CIS(CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) Image Sensor) which measures the strength of fluorescent light generated in a bio-chip is provided to embody a measurement chip and the bio-chip as one semiconductor chip and measure the fluorescent light generated in the bio-chip in the measurement chip. CONSTITUTION: A P-junction voltage and an N-junction voltage are obtained using CDS(Correlated Double Sampling)(110). A level of the P-junction voltage is multiplied by M times, the multiplied value is subtracted from a level of the P-junction voltage(120). A waveform of a voltage level with respect to wavelength is obtained using the subtracted value(130). A voltage level corresponding to the wavelength of fluorescent light is obtained using the obtained waveform in a waveform in which a voltage level corresponding to the wavelength of activated light is 0(140).

Abstract translation: 目的：测量在生物芯片中产生的荧光强度的CIS（CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器）的测量方法，以体现测量芯片和生物芯片作为一个半导体芯片并测量 在测量芯片中的生物芯片中产生的荧光灯。 构成：使用CDS（相关双采样）（110）获得P结电压和N结电压。 将P结电压的电平乘以M次，从P结电压（120）的电平中减去相乘值。 使用减去的值（130）获得相对于波长的电压电平的波形。 使用所获得的与激活光的波长相对应的电压电平为0的波形的波形获得对应于荧光波长的电压电平（140）。