-
1.发明公开유도결합 플라즈마 화학기상 증착장치, 이를 이용한도핑공정 없는 ｐ형 산화아연박막 제조 시스템 및 그 방법,광출력 화합물 반도체 有权电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）使用ICP-CVD装置和光电复合半导体制造没有任何掺杂工艺的P型ZNO膜的装置，系统和方法
公开(公告)号：KR1020090044714A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020070110937
申请日：2007-11-01
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/205 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/407 , H01L31/022483
Abstract: 본 발명은 유도 결합 플라즈마를 화학 기상증착법에 도입하여 별도의 금속 도핑없이 산소유량의 조절만으로 광전소자에 사용되는 p형 산화아연(ZnO) 박막을 제조할 수 있는 p형 산화아연 박막의 제조 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
p형 산화아연 박막은 반응 챔버 내에 기판을 로딩하는 단계와; 산소 가스와 DEZ(diethylzinc, Zn(C
2 H
5 )
2 ) 가스를 각각 독립된 제1 및 제2 가스라인을 통하여 반응 챔버 내부로 공급하는 단계와; 유도결합 플라즈마(ICP) 발생장치를 이용하여 챔버 내부로 분사된 산소 가스 및 DEZ 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜서 분해, 활성화시킴에 의해 상기 기판 위에 p형 ZnO 박막을 증착시키는 단계를 거쳐서 얻어진다.
유도결합 플라즈마, 화학기상 증착, p형 ZnO, 도핑-
2.发明授权유도결합 플라즈마 화학기상 증착장치, 이를 이용한도핑공정 없는 ｐ형 산화아연박막 제조 시스템 및 그 방법,광출력 화합물 반도체 有权电感耦合等离子体化学气相沉积法CVD装置，使用ICP-CVD装置制造P型ZnO薄膜而不用掺杂工艺的方法和光功率复合半导体
公开(公告)号：KR100951581B1
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020070110937
申请日：2007-11-01
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/205 , H01L21/316
Abstract: 본 발명은 유도 결합 플라즈마를 화학 기상증착법에 도입하여 별도의 금속 도핑없이 산소유량의 조절만으로 광전소자에 사용되는 p형 산화아연(ZnO) 박막을 제조할 수 있는 p형 산화아연 박막의 제조 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
p형 산화아연 박막은 반응 챔버 내에 기판을 로딩하는 단계와; 산소 가스와 DEZ(diethylzinc, Zn(C
2 H
5 )
2 ) 가스를 각각 독립된 제1 및 제2 가스라인을 통하여 반응 챔버 내부로 공급하는 단계와; 유도결합 플라즈마(ICP) 발생장치를 이용하여 챔버 내부로 분사된 산소 가스 및 DEZ 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜서 분해, 활성화시킴에 의해 상기 기판 위에 p형 ZnO 박막을 증착시키는 단계를 거쳐서 얻어진다.
유도결합 플라즈마, 화학기상 증착, p형 ZnO, 도핑
-
Search Results
2
records
(took 0.016 seconds)
