公开(公告)号：KR1020080072355A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：KR1020070010999

申请日：2007-02-02

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황용석 ,  김윤재 ,  박용신 ,  박동희

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/24 ,  H05H3/02

CPC classification number: H01J37/32532 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32458 ,  H05H1/0075 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607 ,  H05H2001/4645

Abstract: A high brightness plasma ion source using localized discharges near an extraction hole generated by a positive bias plasma electrode is provided to produce various kinds of ions and thus a multi-ion beam. A high brightness plasma ion source using localized discharges near an extraction hole generated by a positive bias plasma electrode includes a plasma generating unit, an extraction unit, and a processing unit. The plasma generating unit includes a dielectric chamber(18) for generating high frequency plasma, a gas injection port(11) for supplying reaction gas into the chamber, a discharge pump(9) for discharging the reaction gas, and a circuit(3) for matching impedance. The extraction unit includes a plasma electrode(6), a bias electrode(7), and a ground electrode(8). The plasma electrode floats the plasma with high voltage. The ground electrode is spaced apart from the plasma electrode and has a ground electrode extraction hole to extract ion beams. The bias electrode is formed between the ground electrode and the plasma electrode and has a bias electrode extraction hole to extract the ion beams. The processing unit includes a discharge pump(13), a discharge port(14), and a process chamber(1) to maintain vacuum different from the plasma generating unit.

Abstract translation: 提供使用由正偏压等离子体电极产生的提取孔附近的局部放电的高亮度等离子体离子源，以产生各种离子，从而产生多离子束。 使用由正偏置等离子体电极产生的提取孔附近的局部放电的高亮度等离子体离子源包括等离子体产生单元，提取单元和处理单元。 等离子体发生单元包括用于产生高频等离子体的电介质室（18），用于将反应气体供应到室中的气体注入口（11），用于排出反应气体的排出泵（9）和电路（3） 用于匹配阻抗。 提取单元包括等离子体电极（6），偏置电极（7）和接地电极（8）。 等离子体电极以高电压漂浮等离子体。 接地电极与等离子体电极间隔开，并具有接地电极提取孔以提取离子束。 偏置电极形成在接地电极和等离子体电极之间，并具有偏置电极提取孔以提取离子束。 处理单元包括排放泵（13），排出口（14）和处理室（1），以保持与等离子体产生单元不同的真空。

公开(公告)号：KR100894437B1

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：KR1020070010999

申请日：2007-02-02

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황용석 ,  김윤재 ,  박용신 ,  박동희

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/24 ,  H05H3/02

Abstract: 본 발명은 집속이온빔 장치에 적용되는 고휘도 이온원에 관한 것으로, 불활성종 및 다양한 종류의 이온빔 생성과 대면적 플라즈마를 통해 다중 이온빔 인출시스템 구현이 가능한 고휘도 플라즈마 이온원 장치에 관한 것이다. 특히 마이크로사이즈의 인출구가 가공된 양의 바이어스 전극을 설치하여 인출구 주위에 추가적인 방전을 일으키고 그에 따라 국부적으로 발생한 고밀도 플라즈마를 이용하여, 기존 플라즈마 이온원의 빔 손실에 따른 문제를 억제한 새로운 고휘도 이온빔을 인출하는 방법에 관한 것이다.