公开(公告)号：KR1020050080567A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：KR1020040008626

申请日：2004-02-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 홍석원 ,  송석찬 ,  배덕규 ,  김현우 ,  윤의준 ,  부용림 ,  그린죠셉이.

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0226 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 격자 이완된 반도체 박막 형성 방법에 관한 것으로서, 반도체 박막의 표면을 평탄하게 유지하면서 격자를 이완시켜 낮은 표면 거칠기와 높은 격자 이완 정도를 갖는 반도체 박막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 반도체 기판 상에 반도체 기판과 격자상수가 다른 물질로 이루어진 박막층을 성장시킨 다음, 박막층 상에 화학적 제거가 가능한 막을 덮개층(capping layer)으로서 형성하고, 이 결과물을 열처리하여 박막층을 이완시킨다. 열처리 후, 덮개층을 화학적 식각을 통해 제거함으로써 표면이 평탄하고 격자가 이완된 박막층을 얻는다. 박막층의 두께를 변화시키면 격자의 이완 정도를 조절할 수 있고, 덮개층에 의해 표면의 평탄도는 일정하게 유지된다.

公开(公告)号：KR100554204B1

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：KR1020040008626

申请日：2004-02-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 홍석원 ,  송석찬 ,  배덕규 ,  김현우 ,  윤의준 ,  부용림 ,  그린죠셉이.

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 격자 이완된 반도체 박막 형성 방법에 관한 것으로서, 반도체 박막의 표면을 평탄하게 유지하면서 격자를 이완시켜 낮은 표면 거칠기와 높은 격자 이완 정도를 갖는 반도체 박막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 반도체 기판 상에 반도체 기판과 격자상수가 다른 물질로 이루어진 박막층을 성장시킨 다음, 박막층 상에 화학적 제거가 가능한 막을 덮개층(capping layer)으로서 형성하고, 이 결과물을 열처리하여 박막층을 이완시킨다. 열처리 후, 덮개층을 화학적 식각을 통해 제거함으로써 표면이 평탄하고 격자가 이완된 박막층을 얻는다. 박막층의 두께를 변화시키면 격자의 이완 정도를 조절할 수 있고, 덮개층에 의해 표면의 평탄도는 일정하게 유지된다.