公开(公告)号：KR100965980B1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020070140097

申请日：2007-12-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 주승기 ,  송남규 ,  이상주

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명은 채널 영역과 인접한 소스, 드레인 영역의 일부분의 두께를 상대적으로 얇게 형성하여, LDD 구조를 구비하며, 비정질 실리콘 및 n
+ 실리콘 증착을 연속 증착하고 한 번의 열처리로 결정화가 이루어지며 별도의 이온도핑 공정 없이 소스 영역 및 드레인 영역을 형성할 수 있는 금속 유도 측면 결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 절연기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 이를 패터닝하여 활성화 영역을 형성하는 단계; 상기 활성화 영역의 소스 영역과 드레인 영역 형성 위치에 제1 및 제2 결정화 유도 금속 패턴을 부분적으로 형성하는 단계; 상기 활성화 영역의 두께를 차별화하기 위하여, 상기 제1 및 제2 결정화 유도 금속 패턴을 식각 마스크로 사용하여 노출된 활성층의 상층 일부를 식각하여 제거하는 단계; 상기 제1 및 제2 결정화 유도 금속 패턴을 이용한 MIC(Metal Induced Crystallization) 및 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization) 결정화 열처리를 통하여 비정질 실리콘으로 이루어진 활성화 영역을 결정화하는 단계; 상기 결정화된 활성화 영역 위에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 이온 주입 마스크로 사용하여 기판에 불순물 이온 주입을 실시하여 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및 상기 기판에 주입된 불순물 이온을 확산시키기 위해 열처리하는 단계를 포함하며, 상기 소스 영역 및 드레인 영역은 각각 소스 영역 및 드레인 영역의 두께 차이에 따라 각각 저저항 영역과 고저항 영역을 구비하는 LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유도 측면 결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
금속 유도 측면 결정화, 다결정 실리콘, 박막 트랜지스터, LDD

公开(公告)号：KR100929093B1

公开(公告)日：2009-11-30

申请号：KR1020070137608

申请日：2007-12-26

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 주승기 ,  송남규 ,  이상주

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

Abstract: A method for crystallizing amorphous silicon thin film by metal induced vertical crystallization is provided to reduce a thermal process time and manufacturing time b crystallizing an amorphous silicon thin film layer. A first amorphous silicon layer is formed on a substrate(110), and a crystallization induction metal layer is formed on the first amorphous silicon layer. A first crystallization layer(125) used as a seed layer by crystallizing first amorphous silicon layer through a first thermal process. A second amorphous silicon layer is formed on the first crystallization layer, and a second crystallization layer is formed by crystallizing the second amorphous silicon layer through a metal induction vertical crystallization by using the first crystallization as the seed layer.

Abstract translation: 提供一种通过金属诱导的垂直结晶来结晶非晶硅薄膜的方法，以减少热处理时间和制造时间b结晶非晶硅薄膜层。 在衬底（110）上形成第一非晶硅层，并且在第一非晶硅层上形成结晶感应金属层。 通过第一热处理使第一非晶硅层结晶化而用作籽晶层的第一结晶层（125）。 在第一结晶层上形成第二非晶硅层，并且通过使用第一结晶作为晶种层，通过金属感应垂直结晶使第二非晶硅层结晶来形成第二结晶层。

公开(公告)号：KR1020090072099A

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：KR1020070140097

申请日：2007-12-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 주승기 ,  송남규 ,  이상주

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/78621

Abstract: A polycrystalline silicon thin film transistor using metal induced lateral crystallization and a manufacturing method thereof are provided to perform a property of high performance and high quality and to have a LDD(Lightly Doped Drain) structure by including a region having low resistance and high resistance inside a source region and a drain region. An amorphous silicon layer is formed on an insulation substrate(10). An active region(20c) is formed by patterning the silicon layer. A first crystallization induced metal pattern and a second crystallization induced metal pattern are partly formed in a position in which a source region(25a,60b) and a drain region(25b,60c) of the active region are formed. A part of a top layer of an exposed active layer is etched by using the first crystallization induced metal pattern and the second crystallization induced metal pattern as a mask. The active region made of amorphous silicon is crystallized through a MIC(Metal Induced Crystallization) and MILC(Metal Induced Lateral Crystallization) thermal process using the first crystallization induced metal pattern and the second crystallization induced metal pattern. A gate insulation film and a gate electrode(50) are formed on the crystallized active region.

Abstract translation: 提供使用金属诱导横向结晶的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，以通过在其内部包括具有低电阻和高电阻的区域来执行高性能和高质量的性能并具有LDD（轻掺杂漏极）结构 源极区和漏极区。 在绝缘基板（10）上形成非晶硅层。 通过图案化硅层形成有源区（20c）。 在形成有源区的源极区（25a，60b）和漏极区（25b，60c）的位置部分地形成第一晶化诱发金属图案和第二结晶诱发金属图案。 通过使用第一结晶诱导金属图案和第二结晶诱导金属图案作为掩模来蚀刻暴露的有源层的顶层的一部分。 通过使用第一结晶诱导金属图案和第二结晶诱导金属图案的MIC（金属诱导结晶）和MILC（金属诱导横向结晶）热处理，使由非晶硅制成的有源区域结晶。 在结晶的活性区上形成栅极绝缘膜和栅电极（50）。

公开(公告)号：KR1020090069808A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：KR1020070137608

申请日：2007-12-26

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 주승기 ,  송남규 ,  이상주

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: A method for crystallizing amorphous silicon thin film by metal induced vertical crystallization is provided to reduce a thermal process time and manufacturing time b crystallizing an amorphous silicon thin film layer. A first amorphous silicon layer is formed on a substrate(110), and a crystallization induction metal layer is formed on the first amorphous silicon layer. A first crystallization layer(125) used as a seed layer by crystallizing first amorphous silicon layer through a first thermal process. A second amorphous silicon layer is formed on the first crystallization layer, and a second crystallization layer is formed by crystallizing the second amorphous silicon layer through a metal induction vertical crystallization by using the first crystallization as the seed layer.

Abstract translation: 提供了通过金属诱导的垂直结晶使非晶硅薄膜结晶的方法，以减少非晶硅薄膜层的热处理时间和制造时间b。 在基板（110）上形成第一非晶硅层，在第一非晶硅层上形成结晶化诱导金属层。 第一结晶层（125）通过使第一非晶硅层通过第一热处理结晶而用作种子层。 在第一结晶层上形成第二非晶硅层，通过使用第一结晶作为晶种层，通过金属感应垂直结晶使第二非晶硅层结晶，形成第二结晶层。