公开(公告)号：KR100471745B1

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：KR1020020025898

申请日：2002-05-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 오혜정 ,  임승현 ,  윤의준

IPC: H01L21/205 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 실리콘 양자점 형성방법에 관한 것으로, 특히, 화학기상증착법을 이용하여 박막절연층이 형성된 기판 상부에 SiH
4 실리콘원 가스 및 B
2 H
6 도펀트 가스를 동시에 주입함으로써 단결정급 결정특성을 갖는 미세하고 균일한 실리콘 양자점을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 차세대 나노소자 제조에 적용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030087821A

公开(公告)日：2003-11-15

申请号：KR1020020025898

申请日：2002-05-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 오혜정 ,  임승현 ,  윤의준

IPC: H01L21/205 ,  B82Y10/00

Abstract: PURPOSE: A method for forming quantum dots is provided to be capable of obtaining single-crystalline characteristics and simultaneously achieving a fine and uniform quantum dots. CONSTITUTION: An insulating thin film(20) is formed on a substrate(10). Then, a plurality of silicon quantum dots(30) are grown at the upper portion of the insulating thin film by simultaneously flowing silicon based gas and B2H6 dopant gas. Preferably, the insulating thin film is made of one selected from a group consisting of SiO2, Si3N4, or SiOxNy. Preferably, the silicon based gas is one selected from a group consisting of SiH4 or SiH6 gas. Preferably, the heating temperature of the substrate is in the range of 450-600 °C for growing the quantum dots.

Abstract translation: 目的：提供一种形成量子点的方法，以获得单晶特性，同时实现精细均匀的量子点。 构成：在基板（10）上形成绝缘薄膜（20）。 然后，通过同时流动硅基气体和B 2 H 6掺杂气体，在绝缘薄膜的上部生长多个硅量子点（30）。 优选地，绝缘薄膜由选自由SiO 2，Si 3 N 4或SiO x N y组成的组中的一种制成。 优选地，硅基气体是选自SiH 4或SiH 6气体中的一种。 优选地，为了生长量子点，衬底的加热温度在450-600℃的范围内。