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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100951789B1
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：KR1020070110800
申请日：2007-11-01
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 주식회사 제노스
Abstract: 본 발명은 동결성형을 이용하여 거대기공의 다공체를 제조하는 방법에 관한 것으로서, (a)다공체를 이루는 전구물질과 분산제 및 동결매체로 이루어지는 원료물질을 구성하는 단계; (b)상기 원료물질을 이용하여 어는 점 이상의 온도에서 전구물질과 분산제를 동결매체에 분산시켜 슬러리를 제조하는 단계; (c)상기 슬러리를 주형에 부은 후 어는 점 이하의 특정 온도에서 동결성형을 시행하는 단계; (d)상기 동결성형된 성형체를 어는점 부근의 일정온도에서 일정시간 유지하면서 국부적 재용융 현상을 이용하여 응결상을 성장시키는 단계; 및 (e)상기 동결성형된 물질에서 동결건조와 승화 또는 용해를 통하여 동결된 매체를 제거하는 단계; 를 포함하므로, 어는 점 부근에서의 국부적 재용융 현상을 이용하여 100㎛ 이상의 거대기공을 가진 다공체를 제조할 수 있으며, 또한 상기 제조방법으로 제조된 거대기공의 다공체는 세포 및 혈관의 성장을 위해 100㎛ 이상의 기공크기가 요구되는 세포 지지체나 골 재생용 지지체로 사용하는데 적합하다.
다공체, 거대기공, 어는 점, 동결성형(Freeze Casting)-
公开(公告)号：KR100952341B1
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020070107786
申请日：2007-10-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 탄화규소 다공체의 제조방법 및 그로부터 제조된 탄화규소 다공체가 개시된다.
본 발명에 따르는 탄화규소 다공체의 제조방법은 탄화규소(SiC) 분말을 동결매체에 첨가한 후 볼밀(ball milling)을 통하여 균일하게 분산시키는 슬러리 제조단계(S1단계), 상기 슬러리를 주형에 부은 후 동결시키는 단계(S2단계), 상기 동결매체를 제거하여 다공성의 성형체를 형성하는 단계(S3단계) 및 상기 성형체를 열처리하여 소결하는 단계(S4단계)를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 이를 통하여 제조공정을 간략하게 하여 공정효율을 향상시키고, 낮은 온도에서 탄화규소 다공체를 제조할 수 있어 공정안정성이 우수한 탄화규소 다공체를 제조할 수 있다.
탄화규소, 다공체, 나노와이어(Nanowire), 세라믹 전구체-
公开(公告)号：KR1020090044628A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020070110800
申请日：2007-11-01
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 주식회사 제노스
Abstract: 본 발명은 동결성형을 이용하여 거대기공의 다공체를 제조하는 방법에 관한 것으로서, (a)다공체를 이루는 전구물질과 분산제 및 동결매체로 이루어지는 원료물질을 구성하는 단계; (b)상기 원료물질을 이용하여 어는 점 이상의 온도에서 전구물질과 분산제를 동결매체에 분산시켜 슬러리를 제조하는 단계; (c)상기 슬러리를 주형에 부은 후 어는 점 이하의 특정 온도에서 동결성형을 시행하는 단계; (d)상기 동결성형된 성형체를 어는점 부근의 일정온도에서 일정시간 유지하면서 국부적 재용융 현상을 이용하여 응결상을 성장시키는 단계; 및 (e)상기 동결성형된 물질에서 동결건조와 승화 또는 용해를 통하여 동결된 매체를 제거하는 단계; 를 포함하므로, 어는 점 부근에서의 국부적 재용융 현상을 이용하여 100㎛ 이상의 거대기공을 가진 다공체를 제조할 수 있으며, 또한 상기 제조방법으로 제조된 거대기공의 다공체는 세포 및 혈관의 성장을 위해 100㎛ 이상의 기공크기가 요구되는 세포 지지체나 골 재생용 지지체로 사용하는데 적합하다.
다공체, 거대기공, 어는 점, 동결성형(Freeze Casting)-
公开(公告)号：KR1020090041970A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：KR1020070107786
申请日：2007-10-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: C01B32/956 , C01B21/068 , C01B33/12 , C01P2004/16
Abstract: A method of preparing porous silicon carbide and the porous silicon carbide prepared thereby are provided to obtain excellent process stability and to improve processing efficiency. A method of preparing porous silicon carbide comprises the following steps of: manufacturing slurry by spraying a mixture uniformly through a ball milling after adding silicon carbide powder in a freezing medium; freezing the slurry after pouring the slurry in a mold; forming a porous molding product by removing a freeze medium; and sintering the molding product.
Abstract translation: 提供制备多孔碳化硅的方法和由此制备的多孔碳化硅以获得优异的工艺稳定性并提高加工效率。 一种制备多孔碳化硅的方法包括以下步骤：通过在冷冻介质中加入碳化硅粉末之后通过球磨将粉末混合均匀地制备浆料; 将浆料倒入模具中后，使浆料冷冻; 通过除去冷冻介质形成多孔成型产品; 并烧结成型品。
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公开(公告)号：KR100879127B1
公开(公告)日：2009-01-20
申请号：KR1020070110861
申请日：2007-11-01
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 주식회사 제노스
CPC classification number: C04B38/0645 , C04B35/6264 , C04B35/62655 , C04B38/0051 , C04B41/0072
Abstract: A method for controlling air bubble of pore by using freeze casting is provided to control a pore size of pore, porosity and wall thickness using a simple method for controlling only a content of precursor or the freezing temperature. A method for controlling air bubble of pore by using freeze casting comprises steps of: comprising the raw material consisting of precursor, dispersing agent and freeze media; dispersing the precursor and the dispersing agent into the freeze media over a frozen temperature by using the raw material and manufacturing slurry; pouring slurry into a mold and freeze-casting the slurry at specific temperature below the frozen temperature; and removing the frozen media through freeze-drying and sublimation or melting.
Abstract translation: 提供一种通过使用冷冻铸造来控制孔的气泡的方法，以便仅使用前体含量或冷冻温度控制的简单方法来控制孔，孔隙率和壁厚的孔径。 通过使用冷冻铸造控制孔的气泡的方法包括以下步骤：包括由前体，分散剂和冷冻介质组成的原料; 通过使用原料和制造浆料，在冷冻温度下将前体和分散剂分散到冷冻介质中; 将浆料倒入模具中并在低于冷冻温度的特定温度下将浆料冷冻铸造; 并通过冷冻干燥和升华或熔化除去冷冻介质。
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