公开(公告)号：KR1020070073464A

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：KR1020060001407

申请日：2006-01-05

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 임성수 ,  이문상 ,  김기수 ,  김기범

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02046

Abstract: A quantum dot forming method is provided to control a spacious density of quantum dots and to improve the uniformity of size of the quantum dots by using an ALD(Atomic Layer Deposition). A material precursor is supplied into a chamber in order to form a material precursor layer on a substrate(102). Quantum dots are formed on the substrate by reducing or reacting ligand of the material precursor layer. An aiming quantum dot layer with high spacious density and a uniform quantum dot size is formed on the substrate by performing repeatedly the material precursor layer forming process and the quantum dot forming process.

Abstract translation: 提供量子点形成方法来控制量子点的宽度密度，并通过使用ALD（原子层沉积）来提高量子点尺寸的均匀性。 将材料前体供应到室中以在基板（102）上形成材料前体层。 通过还原或反应材料前体层的配体，在衬底上形成量子点。 通过重复进行材料前体层形成工艺和量子点形成工艺，在衬底上形成具有高空间密度和均匀量子点尺寸的瞄准量子点层。

公开(公告)号：KR100742644B1

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：KR1020060001407

申请日：2006-01-05

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 임성수 ,  이문상 ,  김기수 ,  김기범

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 양자점 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 단원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)를 이용하여 양자점을 형성하는 방법에 관한 것으로, 이러한 방법을 적용하여 높은 공간 밀도를 갖고 균일한 크기를 갖는 나노미터 크기의 양자점 형성을 제어할 수 있다.
단원자층 증착법(atomic layer deposition), 핵생성 (nucleation), 양자점 (quantum dot), 나노 결정 (nanocrystal)