公开(公告)号：KR1020080022416A

公开(公告)日：2008-03-11

申请号：KR1020060085819

申请日：2006-09-06

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황농문 ,  이재익

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0262

Abstract: A method for depositing films using bias is provided to separately control deposition behavior by applying a bias to a substrate in consideration of charged behavior of charged nano-particles. A substrate is loaded in a chamber(15), and a gas supply system(20) is adapted to introduce a reaction gas into the chamber. A filament(30) is adapted to emit heat for dissociating the introduced reaction gas, and a power supply(70) is adapted to supply a constant alternate current or direct current voltage. A bias supply unit(80) is adapted to apply a bias to at least one of a top, a side and a bottom of the substrate using the voltage applied from the power supply while a film is deposited on the substrate from the dissociated reaction gas. The bias supply unit is separated from the substrate.

Abstract translation: 提供了使用偏置沉积膜的方法，以考虑到带电纳米颗粒的带电行为，通过向衬底施加偏压来分别控制沉积行为。 衬底被装载在腔室（15）中，并且气体供应系统（20）适于将反应气体引入腔室。 灯丝（30）适于发射热量以使引入的反应气体解离，并且电源（70）适于提供恒定的交流电流或直流电压。 偏置电源单元（80）适于使用从电源施加的电压向衬底的顶部，侧面和底部中的至少一个施加偏压，同时从解离的反应气体将膜沉积在衬底上 。 偏压供应单元与基板分离。

公开(公告)号：KR100846718B1

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：KR1020060085819

申请日：2006-09-06

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황농문 ,  이재익

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

Abstract: 증착 속도와 막의 특성 조절이 가능한 막 증착 장치 및 막 증착 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 막 증착 장치는 내부에 기판이 장입되는 챔버, 반응 가스를 챔버 내에 도입하는 가스 공급계, 도입되는 반응 가스를 해리시키기 위하여 열을 방출하는 필라멘트, 일정한 교류 및 직류 전압을 인가할 수 있는 전원, 및 해리된 반응 가스로부터 기판 상에 막을 증착하는 동안 전원으로부터 인가된 전압을 이용해 기판의 상부, 측부 및 하부 중 적어도 어느 한 부분에 바이어스를 인가하며 기판과는 분리된 바이어스 도입부를 포함한다. 본 발명에 따른 막 증착 방법은 이러한 막 증착 장치 또는 다른 막 증착 장치를 이용할 수 있으며, 반응 가스를 해리시키는 단계, 및 해리된 반응 가스로부터 기판 상에 막을 증착하는 동안 기판에 바이어스를 인가하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 반응 가스로부터 전하를 띤 나노 입자의 생성 거동을 반응 가스의 반응 조건에 의하여 변화시킬 수 있음과 동시에 이러한 생성 거동과 별도로, 일단 기상에서 생성된 전하를 띤 입자들의 전하 특성을 이용하여 바이어스를 인가하여 줌으로써 증착 거동 또한 개별적으로 조절하여, 이에 따른 증착 속도와 막의 특성 조절이 가능해진다.