公开(公告)号：KR1020090102017A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：KR1020080027202

申请日：2008-03-25

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 노준홍 ,  이상욱 ,  조진무 ,  안재설 ,  한현수 ,  조인선 ,  배신태 ,  임동균 ,  노희석 ,  정현석 ,  홍국선

IPC: H01B1/08 ,  B32B15/00 ,  B32B17/00 ,  C03C17/245

Abstract: PURPOSE: Low-emissive glass is provided to improve crystal growth of a metal layer and to prevent the oxidation of a metal layer in a glass strengthening process by using titanium dioxide to a lower dielectric layer and an upper lower dielectric layer. CONSTITUTION: A transparent conductive multilayer(100) comprises cation-substituted transparent electrode(120) and a conductive film(130) based on titanium dioxide(TiO2) doped with impurities. The conductive film based on titanium dioxide(TiO2) doped with impurities is formed at the upper part of the cation-substituted transparent electrode. The conductive film based on titanium dioxide(TiO2) doped with impurities is formed on the cation-substituted transparent electrode.

Abstract translation: 目的：提供低发射玻璃以改善金属层的晶体生长并且通过将二氧化钛用于下介电层和上下介电层来防止在玻璃强化过程中​​金属层的氧化。 构成：透明导电多层（100）包括基于掺杂有杂质的二氧化钛（TiO 2）的阳离子取代的透明电极（120）和导电膜（130）。 在阳离子取代的透明电极的上部形成有掺杂有杂质的二氧化钛（TiO 2）的导电膜。 在阳离子取代的透明电极上形成基于掺有杂质的二氧化钛（TiO 2）的导电膜。

公开(公告)号：KR100987468B1

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：KR1020080027202

申请日：2008-03-25

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 노준홍 ,  이상욱 ,  조진무 ,  안재설 ,  한현수 ,  조인선 ,  배신태 ,  임동균 ,  노희석 ,  정현석 ,  홍국선

IPC: H01B1/08 ,  B32B15/00 ,  B32B17/00 ,  C03C17/245

Abstract: 유리 기판 상에 양이온 치환형 투명전극을 형성하고, 양이온 치환형 투명전극 상에 이산화티탄의 Ti 사이트의 일부를 다른 원자, 예를 들어 Nb, Ta, Mo, As, Sb, W, V, Mn, Tc, Re, P, Bi 등 으로 치환하여 얻어지는 물질을 적층하여 다층형 투명 전극을 형성한다. 열 산화 공정 및 화학 반응 공정 시, 열적 안정성 및 화학적 안정성이 확보된 다층 구조의 투명 전도막을 저 비용으로 형성할 수 있다.