전계 가변형 BZTN 유전체 박막 및 그의 제조 방법
    1.
    发明公开
    전계 가변형 BZTN 유전체 박막 및 그의 제조 방법 失效
    电场可调BZTN介电薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020050097179A

    公开(公告)日:2005-10-07

    申请号:KR1020040022286

    申请日:2004-03-31

    CPC classification number: H01L21/76801 H01L21/02282 H01L21/324

    Abstract: 본 발명은 유전체 박막 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Bi
    2 O
    3 , ZnO, TiO
    2 , Nb
    2 O
    5 를 그 조성으로 포함하여 고유전율과 낮은 유전 손실 및 우수한 전계 가변 특성을 갖는 유전체 박막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 파이로클로어 구조를 가지는 Bi
    2 Ti
    2 O
    7 , Zn
    2 Nb
    2 O
    7 의 두 끝단 물질로 이루어지는 고용체 박막으로서, 고용체 구조 내에서 같은 위치를 차지하는 Bi
    3+ 이온과 Zn
    2+ 이온이 서로를 치환하고, Ti
    4+ 이온과 Nb
    5+ 이온이 서로를 치환한 구조의 (Bi
    2-x Zn
    x )(Ti
    2-x Nb
    x )O
    7 고용체 박막을 제공한다. 본 발명의 유전체 박막은 고유전율 저유전손실 고전계 가변율을 가지며, 특히 전계 가변형 소자로서 응용되기에 적합하다.

    전계 가변형 BZTN 유전체 박막 및 그의 제조 방법
    2.
    发明授权
    전계 가변형 BZTN 유전체 박막 및 그의 제조 방법 失效
    精密现场可调BZTN介电薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR100558221B1

    公开(公告)日:2006-03-10

    申请号:KR1020040022286

    申请日:2004-03-31

    Abstract: 본 발명은 유전체 박막 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Bi
    2 O
    3 , ZnO, TiO
    2 , Nb
    2 O
    5 를 그 조성으로 포함하여 고유전율과 낮은 유전 손실 및 우수한 전계 가변 특성을 갖는 유전체 박막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 파이로클로어 구조를 가지는 Bi
    2 Ti
    2 O
    7 , Zn
    2 Nb
    2 O
    7 의 두 끝단 물질로 이루어지는 고용체 박막으로서, 고용체 구조 내에서 같은 위치를 차지하는 Bi
    3+ 이온과 Zn
    2+ 이온이 서로를 치환하고, Ti
    4+ 이온과 Nb
    5+ 이온이 서로를 치환한 구조의 (Bi
    2-x Zn
    x )(Ti
    2-x Nb
    x )O
    7 고용체 박막을 제공한다. 본 발명의 유전체 박막은 고유전율 저유전손실 고전계 가변율을 가지며, 특히 전계 가변형 소자로서 응용되기에 적합하다.
    유전체 박막, BZTN 고용체, 전계 가변형 캐패시터, 유전율, 유전손실, 전계 가변율

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