Abstract:
전자 장치는 제1 하우징, 상기 제1 하우징의 슬라이드 이동이 가능하도록 상기 제1 하우징을 수용하기 위한 제2 하우징, 상기 제1 하우징과 연결된 플렉서블 디스플레이, 상기 제1 하우징을 이동 시키기 ㅜ이해 슬라이딩되는 슬라이드 구동부, 및 적어도 하나의 프로세서를 포함한다. 상기 적어도 하나의 프로세서는 상기 플렉서블 디스플레이가 상기 축소 방향으로 슬라이드 이동된 축소 상태 또는 상기 확장 방향으로 슬라이드 이동된 확장 상태를 식별하고, 상기 축소 상태에서, 상기 플렉서블 디스플레이의 제1 엣지 영역을 제1 입력 영역으로 식별하고, 상기 제1 입력 영역을 통한 입력에 기반하여 상기 플렉서블 디스플레이가상기 확장 상태로 전환하도록 제어하고, 상기 확장 상태에서. 상기 플렉서블 디스플레이의 제2 엣지 영역을 제2 입력 영역으로 식별하고, 상기 제2 입력 영역을 통한 제2 입력 수신에 기반하여 상기 플렉서블 디스플레이가 상기 축소 상태로 전환하도록 제어할 수 있다.
Abstract:
실시예에 따라서, 전자 장치는, 디스플레이; 및 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 디스플레이의 제 1 영역 및 제 2 영역 중 상기 제 2 영역이 상기 전자 장치의 외부로 노출되지 않은 제 1 상태인 동안, 상기 디스플레이의 상기 제 1 영역에 제 1 화면을 표시하도록 상기 디스플레이를 제어하고, 이벤트를 검출하고, 상기 제 1 영역의 적어도 일부 영역에 상기 이벤트에 대응하는 제 1 오브젝트를 표시하도록 상기 디스플레이를 제어하고-상기 제 1 오브젝트는 상기 제 1 화면의 적어도 일부 상에 표시됨-, 상기 제 1 영역의 크기 대비 상기 제 1 오브젝트의 크기의 면적 비율이 지정된 비율 이상인 상태에서, 상기 제 1 오브젝트가 표시된 영역 상의 사용자의 제 1 제스처 입력을 확인하고, 상기 디스플레이의 상태를 상기 제 1 상태에서, 상기 디스플레이의 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역이 상기 전자 장치의 외부로 노출되는 제 2 상태로 변경하도록 상기 전자 장치를 제어하도록 설정될 수 있다.
Abstract:
본 발명은 양자점을 이용한 백색광 LED 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 여기광원과, 양자점의 크기를 조절하여 여기광원에 의해 여기되어 적색, 황색, 녹색, 청색을 발하는 양자점들을 매트릭스 등에 분산하거나 담체하여 이들을 여기광원 위에 위치시키거나 양자점 자체를 여기광원위에 코팅시킴으로써 백색광을 구현하는 LED 소자에 관한 것이다. LED, 양자점, 백색광
Abstract:
PURPOSE: A method for preparing organic nano fiber transistor using organic nano fiber structure is provided to effectively supply charge transport layer by making 1D structure. CONSTITUTION: An organic semiconductor transistor comprises: a substrate; a gate electrode; source and drain electrode which is insulated with the gate electrode; an organic semiconductor layer which is electrically connected to the source and drain electrode; and an insulation layer. The organic semiconductor layer is formed by coating organic nano fiber which is formed through gelation of organic semiconductor compound.
Abstract:
A white LED structure using quantum dots and a manufacturing method of the same are provided to generate white light by dispersing RGB quantum dots into a medium. A quantum dot-matrix complex is formed by filling quantum dots in a single-wavelength excitation light source, a coated quantum dot film or a transparent matrix in a visible light zone. A light emitting layer is formed with a white light emitting diode. A nano-material having a band gap larger than a band gap of a bulk material is manufactured by performing a size and shape adjusting function in a nano-region. A thin film is formed by coating directly RGB quantum dots, in order to manufacture a white light emitting layer. A quantum dot-matrix emitting layer is formed by dispersing the quantum dots into a transparent matrix in a visible light zone. The single-wavelength excitation light source generates white light by exciting the quantum dot-matrix complex.
Abstract:
A high CRI white light emission device with YAG system yellow phosphor and red quantum dots and a method thereof are provided to extend the lifespan and secure the high durability. A high CRI white light emission device with YAG system yellow phosphor and red quantum dots comprises an excitation optical source section consisting of a blue excitation light source LED chip; a red light emitting part for emitting the red by the excitation light source; a yellow luminescence part for emitting the yellow by the excitation light source. The red light emitting part is comprised of the semiconductor quantum dot.
Abstract:
A white light LED element using a quantum dot and a manufacturing method thereof are provided to improve the energy efficiency by exciting RYGB quantum dots at the same time. A white light LED element includes a light emitting layer emitting the white light and a short wavelength excitation light source. The light emitting layer is coated on the short wavelength excitation light source. The light emitting layer is formed by dissolving the quantum dots emitting red, green, and blue or quantum dots emitting red, yellow, green, and blue in a solvent and coating the dissolved solution in the excitation light source. The white LED element includes a quantum-matrix light emitting layer. The quantum-matrix light emitting layer is formed by distributing the quantum dots emitting red, green, and blue or quantum dots emitting red, yellow, green, and blue in each matrix. The quantum-matrix light emitting layer is stacked on the excitation light source.
Abstract:
A doped quantum dots with magnetic and optical properties and a manufacturing method thereof are provided to obtain magnetic and optical properties by doping an element with a magnetic property in the quantum dot stably. A magnetic element-VI element precursor is synthesized by combining magnetic elements and VI group element. A II group element precursor is synthesized by heating the II group semiconductor element at a temperature of 100 to 300 degrees centigrade. A quantum doe is formed by synthesizing the magnetic element-VI element precursor and the VI group element precursor with the II group element precursor.
Abstract:
본 발명은 단파장 발광원과 발광원으로부터 나오는 빛을 흡수하여 파장 변환된 빛을 방출하는 반도체 양자점(quantum dot) 나노 형광체를 결합하여 백색광을 발현하는, 단파장광원과 양자점 나노형광체로 구성되는 소자 구조의 백색광다이오드(White LED)를 제조하는 기술이다.