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公开(公告)号：KR1020180074847A
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：KR1020160177670
申请日：2016-12-23
Applicant: 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
Abstract: 도가니상부에서열을효과적으로외부로배출할수 있도록, 내부에단결정원료가수용되는도가니와, 상기도가니를둘러싸며설치되고하단과상단중심에유입구와유출구가형성된단열재, 상기도가니의상단에마련되어종자정이부착되는종자정홀더, 상기단열재의외부에배치되는석영관, 상기석영관의외부에마련되어도가니를가열하는가열수단, 상기단열재와상기종자정홀더위쪽도가니상단사이에형성되는공간부, 상기공간부에설치되어공간부내의열을단열재외측으로유도하여배출시키는유도부를포함하는대구경단결정성장장치를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160049624A
公开(公告)日：2016-05-10
申请号：KR1020140146328
申请日：2014-10-27
Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원
Abstract: 대구경단결정성장장치를제공한다. 본발명에따르면, 단결정원료물질이장입되는내부공간이마련된도가니, 상기도가니의외측에제공되고, 상기도가니를둘러싸는단열재, 상기단열재의외부에제공되고, 상기도가니및 상기단열재를둘러싸는석영관, 종자정홀더에부착되는종자정, 상기석영관외부에마련되어상기도가니를가열하기위한가열수단, 및상기도가니내측상부에형성되어승화를원료를종자정으로유도하기위한유도부를포함하고, 상기유도부는일정한두께와높이를갖고상, 하부가관통형성되고, 상부에서하부로갈수록직경이커지는원뿔대형상으로형성된다.
Abstract translation: 提供一种用于生长大直径单晶的装置。 根据本发明，用于生长大直径单晶的装置包括：具有单晶材料被充电的内部空间的坩埚; 绝缘体，其设置在坩埚的外部并且包围坩埚; 石英管，其设置在绝缘体的外部并且包围坩埚和绝缘体; 连接到晶种保持器的晶种; 加热装置，其设置在石英管的外部，并且适于加热坩埚; 以及形成在坩埚内部的上部的诱导部分，并且引起升华的材料成为晶种。 诱导部具有预定的厚度和高度，形成为使得其上部和下部彼此连通，并且成形为直径在垂直向下方向上增加的截头圆锥形。
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公开(公告)号：KR1020160033853A
公开(公告)日：2016-03-29
申请号：KR1020140124405
申请日：2014-09-18
Applicant: 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
Abstract: 본발명은대구경단결정성장장치및 성장방법에관한것으로, 도가니; 도가니의외부에설치되고, 도가니를가열하는코일; 도가니의내부에서하부에배치되는종자정; 및도가니의내부에서측면에배치되고, 원료분말을수용하는용기를포함하는단결정성장장치를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及用于生长大直径单晶的装置和用于生长单晶的方法。 在本发明中用于生长单晶的装置包括：坩埚; 安装在坩埚外部并加热坩埚的线圈; 布置在坩埚底部的种子; 以及容纳在坩埚的一侧并容纳原料粉末的容器。 在本发明中用于生长大直径单晶的装置可以通过完全消除石墨载体和碳化硅种子的热膨胀系数的差异来避免在单晶中产生缺陷和裂纹的机会，从而避免附着碳化硅 种子到石墨支撑。
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公开(公告)号：KR1020150076444A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130164609
申请日：2013-12-26
Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원
Abstract: 본발명에따른탄화규소기판의제조방법은화학적기상증착장치에서탄화규소를성장시키는방법에있어서, 화학적기상증착장치의챔버에기판을위치시키는단계, 챔버내의온도를승온하는단계, 기판의표면을식각하는단계, 기판에도핑하여버퍼층을형성하는단계, 챔버내에 SiH, CHN를공급하여상기버퍼층위에에피택셜성장으로탄화규소층을형성하는단계, 챔버를냉각하는단계를포함하고, SiH, CH의 C/Si의비율은 1.2이상으로공급하여상기탄화규소층을형성한다.
Abstract translation: 根据本发明的制造碳化硅（SiC）衬底的方法是在化学气相沉积装置上生长SiC的方法，其中所述方法包括以下步骤：将衬底放置在化学气相沉积装置的腔室中; 增加室内的温度; 蚀刻衬底的表面; 在衬底上从缓冲层掺杂; 通过外延生长将SiH_4，C_3H_8和N_2供应到室中以在缓冲层上形成SiC层; 并冷却所述室，其中SiH_4和C_3H_8中包含的C和Si的比率不小于1.2以形成SiC层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150075220A
公开(公告)日：2015-07-03
申请号：KR1020130163031
申请日：2013-12-24
Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원
Abstract: 본발명에따른단결정탄화규소성장방법은종자정의일면에보호막을형성하는단계, 보호막위에접착층을형성하는단계, 접착층을이용하여잉곳성장장치의종자정홀더에종자정을고정시키는단계, 종자정위에단결정탄화규소를성장시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明，用于生长单晶碳化硅的方法包括以下步骤：在晶种的一侧上形成保护层; 在保护层的顶部形成粘合层; 将晶种固定在使用粘合层的锭生长装置的种晶保持器上; 并在籽晶的顶部生长单晶碳化硅。
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公开(公告)号：KR101419472B1
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020120157322
申请日：2012-12-28
Applicant: 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
Abstract: 단결정 성장용 종자정의 제조 방법 및 상기 종자정을 이용한 단결정 성장 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 단결정 성장용 종자정의 제조 방법에 있어서, 종자정 일면에 탄화막을 형성하는 단계; 상기 종자정 다른 일면에 산화막을 제거하는 단계; 및 상기 종자정을 세정하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101419469B1
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020120151351
申请日：2012-12-21
Applicant: 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
IPC: C30B23/00 , H01L21/205 , C30B29/36
Abstract: 도가니의 가열 방식을 개선하여 대구경 탄화규소 단결정을 높은 수율로 성장시킬 수 있는 대구경 단결정 성장장치를 제공한다. 대구경 단결정 성장장치는 내부에 단결정 원료와 종자정을 수용하는 도가니와, 도가니를 둘러싸는 석영관의 외측에 설치되는 제1 가열부와, 도가니와 석영관 사이에 위치하는 제2 가열부를 포함한다. 제1 가열부는 유도 가열 방식으로 제2 가열부를 가열하고, 제2 가열부는 저항 가열 방식으로 도가니를 가열한다.
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公开(公告)号：KR1020140087342A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020120157320
申请日：2012-12-28
Applicant: 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
IPC: C30B23/00 , C30B29/36 , H01L21/205
Abstract: Provided are a method for attaching a seed holder, and a method for growing a single crystal using a seed holder. According to the present invention, included are a step for forming a plurality of grooves having a predetermined size and shape on one side of a seed holder; a step for plastering an adhesive at a predetermined thickness onto the grooves and the side of the seed holder; and a step for attaching a seed to the seed holder using the adhesive.
Abstract translation: 提供一种用于连接种子保持器的方法，以及使用种子保持器生长单晶的方法。 根据本发明，包括用于在种子保持器的一侧上形成具有预定尺寸和形状的多个槽的步骤; 用于将预定厚度的粘合剂涂抹到种子保持器的凹槽和侧面上的步骤; 以及使用粘合剂将种子附着到种子保持器的步骤。
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公开(公告)号：KR1020130069193A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136805
申请日：2011-12-16
Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원
Abstract: PURPOSE: A silicon carbide single crystal growing method is provided to suppress the growth of a poly crystal by attaching a piece of a single crystal on a part without a seed in a seed holder. CONSTITUTION: A seed is prepared(S100). The seed is attached to a seed holder(S110). A piece of a single crystal is attached to the seed holder(S120). The seed holder is mounted on one inner surface of a crucible(S130). Single crystal materials are loaded inside the crucible(S140). Impurities included in the crucible are removed(S150). Air remaining in the crucible is removed(S160). The single crystal is grown(S170). [Reference numerals] (S100) Prepare a seed; (S110) Attach the seed to a seed holder; (S120) Attach a piece of a single crystal to the seed holder; (S130) Mount the seed holder in a crucible; (S140) Load single crystal materials inside the crucible; (S150) Remove impurities in the crucible; (S160) Remove air; (S170) Grow the single crystal
Abstract translation: 目的：提供一种碳化硅单晶生长方法，通过在种子保持器中将没有种子的部分上的单晶片附着在一起来抑制多晶体的生长。 构成：准备种子（S100）。 将种子连接到种子保持器（S110）。 将一块单晶连接到种子保持器（S120）。 种子保持器安装在坩埚的一个内表面上（S130）。 单晶材料装载在坩埚内（S140）。 除去坩埚中包含的杂质（S150）。 去除残留在坩埚中的空气（S160）。 单晶生长（S170）。 （附图标记）（S100）准备种子; （S110）将种子连接到种子保持器; （S120）将一块单晶连接到种子架上; （S130）将种子保持架安装在坩埚中; （S140）在坩埚内装载单晶材料; （S150）去除坩埚中的杂质; （S160）取出空气; （S170）生长单晶
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