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公开(公告)号:KR100836797B1
公开(公告)日:2008-06-10
申请号:KR1020010083111
申请日:2001-12-22
Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원
IPC: G01N3/04
Abstract: 본 발명은 선재의 경도시험을 위하여 사용되는 수지 또는 에폭시를 사용하는 몰딩 방법의 문제점을 보완하고 시험시간을 단축하기 위하여 초경합금 및 엔지니어랑 플라스틱을 사용하여 선재 경도시험을 위한 시편의 고정을 간편하게 하는 장치에 관한 내용으로서, 일회용 몰딩을 사용하는 방법에 비하여 작업의 효율성을 증가시켜 주고 특히 하나의 시편의 시험 처리과정에 소요되는 시간을 최소화하여 시험 분석과정의 시간을 최소화하는 장점을 지닌다.
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公开(公告)号:KR100691522B1
公开(公告)日:2007-03-09
申请号:KR1020040071662
申请日:2004-09-08
Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원
IPC: G01N19/02
Abstract: 본 발명은 마찰계수 측정 장치에 관한 것으로서,
프레임(100)과; 상기 프레임(100)의 상부에 설치되며, 상하 이동이 가능한 탐침(14)을 구비하고 상기 탐침(14)에 수직항력을 부여하도록 구성된 스크래치부(10)와; 상기 스크래치부(10)의 하부 측에 대향 설치되고, 시편 고정용 지그(84) 및 이를 개폐 조작하는 에어 슬라이더 실린더(85), 시편(2)에 걸리는 수평 방향 하중을 측정하는 로드셀(86)이 설치되며, 이들의 조립체를 X축 방향으로 왕복 이송 가능하도록 고정 설치된 이송테이블(87)을 구비한 마찰계수 측정부(80);를 포함하여 구성된 마찰계수 측정 장치에 있어서, 상기 프레임(100)의 상부 일측에 구비되며 상부면이 개방된 시편함(102); 상기 시편함(102)의 상부 일측에 설치된 X축 가이드(110); 상기 X축 가이드(110)의 대략 중앙 위치로부터 수직 방향으로 연장 형성된 Y축 가이드(120); 상기 X축 가이드(110)를 따라 이동 가능하며 수직 방향의 에어 실린더(51)에 의해 상하 구동되는 다수개의 진공 흡착 패드(52)를 구비하여, 시편(2)의 흡착 및 X축 방향 이송, 탈착 동작을 하는 로봇(50); 적어도 상기 로봇(50) 위치와 상기 스크래치부(10) 위치 사이를 상기 Y축 가이드(120)를 따라 이동 가능하도록 이뤄진 상기 마찰계수 측정부(80); 상기 탐침(14)의 상하 이동 및 수직항력 부여를 포함한 스크래치부(10)의 제어와, 상기 시편 고정용 지그(84)의 개폐 조작 및 이송테이블(87)의 X축 방향 이송 조작, 로드셀(86)을 통한 수평 방향 하중 측정, Y축 방향 이동을 포함한 마찰계수 측정부(80)의 제어와, 시편(2)의 흡착 및 X축 방향 이송, 탈착 동작을 포함한 로봇(50)의 제어를 하는 연산제어부(26);를 포함하여 구성된다.
마찰계수, 측정-
公开(公告)号:KR100689157B1
公开(公告)日:2007-03-02
申请号:KR1020050096121
申请日:2005-10-12
Applicant: 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
IPC: C23C14/24
Abstract: A method for forming an Al-Si alloy film having high reflectivity and superior corrosion resistance at high temperature by controlling silicon content of an Al-Si alloy in a crucible and controlling electric power of an electron beam, thereby evaporating the Al-Si alloy at a proper evaporation rate is provided. A manufacturing method of an Al-Si alloy film comprises: a vacuum process(S11) of vacuuming a vacuum chamber within a vacuum deposition equipment to a range of 10^-2 to 10^-5 torr; a substrate cleaning process(S11) of injecting argon gas into the vacuum chamber and applying a negative voltage of 400 to 1000 V to a substrate mounted on a substrate holder installed within the vacuum chamber, thereby glow discharging the substrate to clean the substrate; a substrate heating process(S13) of heating the substrate to a temperature range of 200 to 350 deg.C to form a film on the substrate cleaned by the substrate cleaning process; and an evaporation depositing process(S14) of evaporating an evaporation material within an alumina crucible by controlling an electron beam power to 2.5 to 4.0 kW to obtain a preset evaporation rate when the substrate is heated, and depositing the evaporate Al-Si alloy evaporated for a determined time by opening a shutter when the electron beam power has a preset power value.
Abstract translation: 一种通过控制坩埚中的Al-Si合金的硅含量并控制电子束的电功率,从而在高温下形成具有高反射率和优异的耐腐蚀性的Al-Si合金膜的方法, 提供适当的蒸发速率。 一种Al-Si合金膜的制造方法,包括:将真空沉积设备内的真空室抽真空到10 ^ -2到10 ^ -5托的真空工艺(S11) 向所述真空室内注入氩气并向安装在所述真空室内的基板支架上安装的基板施加400〜1000V的负电压的基板清洗工序(S11),进行辉光放电,清洗所述基板的工序; 将衬底加热到200至350℃的温度范围的衬底加热工艺(S13),以在通过衬底清洁工艺清洁的衬底上形成膜; 以及通过控制电子束功率为2.5至4.0kW以蒸发氧化铝坩埚内的蒸发材料以获得当衬底被加热时预设的蒸发速率并蒸发蒸发的Al-Si合金的蒸发沉积工艺(S14) 当电子束功率具有预设功率值时,通过打开快门来确定时间。
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公开(公告)号:KR1020050063464A
公开(公告)日:2005-06-28
申请号:KR1020030094871
申请日:2003-12-22
Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/26 , C23C14/022 , C23C14/14 , C23C14/542
Abstract: 본 발명은 플라스틱 소재의 알루미늄 박막 제조함에 있어서 저항가열원을 이용한 증발방식을 채택하되 고속의 순간 증발을 이용하여 소재의 열 변형을 방지하면서 밀착력 및 반사율을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 진공실을 대기압 미만으로 진공시키는 단계; 플라스틱 소재의 기판에 이온빔을 조사하여 전처리하는 단계; 알루미늄이 장입된 저항가열 증발원에 1차 전력을 인가하여 알루미늄을 증발시키는 단계; 저항가열 증발원에 2차 전력을 인가하면서 기판에 알루미늄이 증착되도록 셔터를 개방하는 단계; 및 알루미늄의 시간당 증발율이 최고점에 도달한 직후 셔터를 닫는 단계를 포함하여 구성된다.
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公开(公告)号:KR100143487B1
公开(公告)日:1998-07-15
申请号:KR1019940026121
申请日:1994-10-12
Applicant: 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
Inventor: 정창영
IPC: G01N23/00
Abstract: 본 발명은 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 물질에 코팅되어 다양한 용도의 투명전극 역할을 하는 투명도전막인 산화인듐 피막의 산소함량을 측정하는 방법 및 이를 이용한 산화인듐 피막의 특성평가 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 X-선 광전자 분광기를 이용한 산화인듐 피막의 산소함량 측정방법에 있어서, 산화인듐 피막이 형성된 시편을 초음파 세척하고 스퍼터링한 다음, 인듐성분 3d5/2 피크(IM) 및 산소성분 1s 피크(Io)의 면적비 이용하여 성분비-
公开(公告)号:KR100122233B1
公开(公告)日:1997-09-03
申请号:KR1019930014284
申请日:1993-07-27
Applicant: 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
IPC: H01L27/142
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公开(公告)号:KR1019960014920A
公开(公告)日:1996-05-22
申请号:KR1019940026121
申请日:1994-10-12
Applicant: 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
Inventor: 정창영
IPC: G01N23/00
Abstract: 본 발명은 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 물질에 코팅되어 다양한 용도의 투명 전극 역활을 하는 투명도 전막인 산화인듐 피막의 산소함량을 측정하는 방법 및 이를 이용한 산화인듐 피막의 특성평가 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 의한 본 발명은 X-선 광전자 분광기를 이용한 산화인듐 피막의 산소함량 측정방법에 있어서, 산화인듐 피막이 형성된 시편을 초음파 세척하고 스퍼터링 한 다음, 인듐성분 3d
5/2 피크(I
M ) 및 산소성분 ls피크(Io)의 면적비 이용하여 성분비
의 식을 통하여 산소함량을 측정하고, 이 산소함량 성분비와 피막의 비저항관계를 통하여 산화인듐 피막의 특성을 평가하는 방법에 관한 것을 그 요지로 한다.-
公开(公告)号:KR1020080022648A
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:KR1020060086081
申请日:2006-09-07
Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원
IPC: C23C14/35
Abstract: A method for fabricating a hard black-color thin film including titanium compound is provided to adjust nitrogen gas and carbon gas at a suitable ratio while evaporating a titanium target by using an un-balanced Magnetron sputtering evaporation source at the atmosphere of gas including nitrogen and carbon. A material is purified in an inactive gas atmosphere and heated up to a predetermined temperature. The material is vacuumed in order to perform a sputtering process by injecting an inactive gas if the material is heated. Glow discharging is induced by injecting a nitrogen gas and a carbon gas at the ratio of 1:3 or 1:6. Current is applied to an electromagnet(3) such that un-balanced sputtering is performed. Voltage is applied to a bias voltage source. A shutter(8) is opened so that a thin film including titanium compound is formed.
Abstract translation: 提供了一种用于制造包含钛化合物的硬黑色薄膜的方法,以适当的比例调节氮气和碳气,同时通过在包括氮气的气体气氛下使用不平衡的磁控溅射蒸发源蒸发钛靶, 碳。 将材料在惰性气体气氛中纯化并加热至预定温度。 如果材料被加热,则将材料抽真空以便通过注入惰性气体来进行溅射工艺。 通过以1:3或1:6的比例注入氮气和碳气来引发发光放电。 将电流施加到电磁体(3),使得执行非平衡溅射。 电压被施加到偏置电压源。 打开快门(8),从而形成包含钛化合物的薄膜。
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公开(公告)号:KR100671422B1
公开(公告)日:2007-01-19
申请号:KR1020040109346
申请日:2004-12-21
Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원
IPC: C23C14/35
Abstract: 본 발명은 스퍼터링에 의한 알루미늄 피막 형성방법에 관한 것으로서,
스퍼터링에 의해 기판에 알루미늄 피막을 형성하되, 불활성 가스 분위기 하에서 스퍼터링 증발원에 부착된 알루미늄 타겟으로부터 알루미늄을 증발시켜 기판에
알루미늄층 을 형성하는 단계; 알루미늄을 스퍼터링하면서 동시에 산소 가스를 주입하여 이루어지는 반응성 스퍼터링에 의해 상기 알루미늄층 위에
산화 알루미늄층 을 형성하는 단계; 상기 단계를 반복하여 알루미늄층과 산화 알루미늄층이 번갈아 층을 이루는 다층막 형태의 피막을 형성하는 단계;를 포함하여 이뤄진다.
스퍼터링, 알루미늄 피막-
公开(公告)号:KR100489299B1
公开(公告)日:2005-05-17
申请号:KR1020020082780
申请日:2002-12-23
Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원
IPC: C23C14/35
Abstract: 본 발명은 증발되는 물질인 타겟, 상기 타겟을 지지하는 타겟홀더 및 상기 타겟 표면에 자력선을 형성시키는 다수개의 영구자석을 포함하는 마그네트론 스퍼터링 증발원에 있어서, 상기 자력선을 평활한 형태로 만들면서 자력선의 세기를 크게하는 자성체 디스크, 및 타겟홀더를 냉각시키기 위해 타겟홀더의 내주면에 접촉하여 설치되는 냉각수 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 증발원을 제공한다. 상기 자성체 디스크는 순철이 바람직하며, 상기 영구자석 사이 또는 타겟홀더 내에 삽입되는 것이 바람직하다.
본 발명은 자성체 디스크를 삽입하여 플라즈마 영역을 확대하므로써 다량으로 발생된 이온을 스퍼터링에 이용하고, 냉각방식의 변화로 냉각효율을 향상시켜 증발율을 대폭 향상시켰으며, 타겟 위의 자기력선 수평성분을 확대하여 타겟 효율을 향상시킨 것을 특징으로 하는 고속 증발용 스퍼터링 증발원을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 증발원은 타겟에 인가되는 전력이 30W/㎠이상이고, 4×10
-5 토르 이하의 진공도에서도 스퍼터링 할 수 있다.
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