公开(公告)号：WO2022030674A1

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：PCT/KR2020/011081

申请日：2020-08-20

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김도형

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 본 발명은 진동이나 회전이 없이 전구체 또는 퍼징 가스의 펄스 충격과 함께 중력에 의한 반응기 내의 분체 입자들의 움직임을 통해 분체 입자의 응집(agglomeration)을 억제하고 분산을 극대화 함으로써, 각 입자 표면에 균일한 코팅 혹은 증착이 가능한 장점이 있다. 또한, 별도의 필터나 충진재 없이 코팅하고자 하는 분체가 공정중에 반응기에서 손실 되는 것을 방지할 수 있으며, 쉽게 생성물의 포집이 가능한 미립자용 ALD 또는 디지털 CVD 장치 및 방법을 제공한다. 외부 반응기와 내부 반응기의 이중 구조로 이루어져, 반응물의 유입 또는 퍼징 가스의 유입이 화학반응이 일어나는 내부 반응기로 직접 유입되지만, 퍼징의 단계는 내부 및 외부 반응기에서 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하고, 펄스와 중력을 분체의 분산에 활용하며, 분체 입자의 반응기내 장전(loading)과 생성물의 포집이 용이한 효과가 존재한다.

公开(公告)号：KR101597585B1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：KR1020140107249

申请日：2014-08-18

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김도형

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/45527 ,  C23C16/45534

Abstract: 본발명은원자층증착기법(atomic layer deposition, ALD)을이용하여질소가정량적으로도핑되도록하여광활성정도가제어된티타늄산화물을제조하는방법에관한것으로서, 기판을원자층증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 반응기내에위치시키는단계; 티타늄전구체를상기원자층증착반응기내로공급하여상기기판표면에흡착시키는제1단계; 상기제1단계에서흡착되지않은티타늄전구체를상기원자층증착반응기에서비활성가스를사용하여퍼징하는제2단계; 암모니아를상기원자층증착반응기내로공급하여상기기판표면에흡착된티타늄전구체와질화반응을일으켜타타늄질화물을형성하는제3단계; 상기제 3단계의질화반응을통해생성된반응부산물과미반응암모니아를비활성가스를사용하여상기원자층증착반응기로부터퍼징시키는제4단계; 산화제를상기원자층증착반응기내로공급하여상기티타늄질화물을산화시켜질소가도핑된티타늄산화물을제조하는제5단계; 및미반응산화제와반응부산물을비활성가스를사용하여상기원자층증착반응기로부터퍼징시키는제6단계;를포함하고, 필요에따라상기제1단계내지제6단계를적어도 1회이상순서대로반복할수 있으며, 다양한농도범위로질소가도핑된티타늄산화물을제공함으로써광촉매, 태양전지, 전자소재등 다양한용도로사용될수 있는광학활성이제어된티타늄산화물을제조할수 있는장점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用原子层沉积（ALD）技术定量掺杂氮气来控制光活性的氧化钛的制造方法。 本发明包括：在原子层沉积（ALD）反应器中定位衬底的步骤; 通过将钛前体供给到原子层沉积反应器的内部，将钛前体吸附到基板的表面上的第一步骤; 在原子层沉积反应器中使用惰性气体吹扫在第一步骤中未吸附的钛前体的第二步骤; 通过向原子层沉积反应器的内部供应氨而与吸附在基板的表面上的钛前体进行硝化反应形成氮化钛的第三步骤; 通过使用惰性气体从原子层沉积反应器中吹扫通过第三步骤的硝化反应产生的未反应的氨和副产物的第四步骤; 通过向原子层沉积反应器的内部供应氧化剂来氧化氮化钛来制造掺杂有氮的氧化钛的第五步骤; 以及通过使用惰性气体从原子层沉积反应器中吹扫未反应的氧化剂和反应副产物的第六步骤。 本发明能够从第一步骤到第六步骤的顺序重复至少一个循环，并且具有能够制造其光学活性被控制用于各种目的的氧化钛的优点，包括光催化，太阳能电池，电子材料 等等，通过提供在各种浓度范围内掺杂氮的氧化钛。

公开(公告)号：KR101310058B1

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：KR1020110102036

申请日：2011-10-06

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김도형

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 역구조 유기 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 역구조 유기 태양전지는 기판 상에 순차 적층된 제1 전극, 전자수송층, 광활성층, 정공수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 전자수송층은 원자층 증착법에 의해 형성된 금속 산화물 박막인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 광전변환효율 및 대기 안정성이 우수한 유기 태양전지를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR100662003B1

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：KR1020040061819

申请日：2004-08-05

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김도형

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 광촉매용 티타늄 산화막(TiOx)을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 화학기상증착용 챔버 내부로 기판을 제공하고, 챔버에 부착된 버블러에 준비된 전구체에 기화용 가스를 주입하여 전구체를 기체 상태로 만들어 챔버 내로 공급하고, 기체상태의 전구체와 반응가스를 반응시켜 기판에 C와 N이 인-시츄로 도핑된 TiOx를 증착한다. 이때 사용되는 전구체는 TDMAT(tetrakis dimethylamido Titanium), TDEAT(tetrakis diethylamido Titanium), TEMAT(tetrakis ethylmethylamido Titanium) 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 화학기상증착법으로 티타늄 산화막을 형성함과 동시에 인-시츄 방법으로 C, N 등을 티타늄 산화막에 도핑시켜 가시광선 영역에서도 광학활성도가 우수한 티타늄 산화막을 얻을 수 있다.
광촉매, 티타늄 산화막, 인-시츄, 가시광선, 광활성

公开(公告)号：KR1020060013044A

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：KR1020040061819

申请日：2004-08-05

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김도형

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 광촉매용 티타늄 산화막(TiOx)을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 화학기상증착용 챔버 내부로 기판을 제공하고, 챔버에 부착된 버블러에 준비된 전구체에 기화용 가스를 주입하여 전구체를 기체 상태로 만들어 챔버 내로 공급하고, 기체상태의 전구체와 반응가스를 반응시켜 기판에 C와 N이 도핑된 TiOx를 증착한다. 이때 사용되는 전구체는 TDMAT(tetrakis dimethylamido Titanium), TDEAT(tetrakis diethylamido Titanium), TEMAT(tetrakis ethylmethylamido Titanium) 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 화학기상증착법으로 티타늄 산화막을 형성함과 동시에 인-시츄 방법으로 C, N 등을 티타늄 산화막에 도핑시켜 가시광선 영역에서도 광학활성도가 우수한 티타늄 산화막을 얻을 수 있다.
광촉매, 티타늄 산화막, 인-시츄, 가시광선, 광활성

Abstract translation: 本发明涉及通过化学气相沉积法形成用于光催化剂的氧化钛膜（TiOx）的方法。 根据本发明，以提供一种基板进入磨损室中的化学蒸气的增加，和一种用于制备前体附着到室注入的鼓泡器的汽化气体，和前体供应到所创建的腔室以气体状态，气态前体和反应气体 将C和N掺杂的TiOx沉积在基底上。 使用的前体可以是一个从一个选定TDMAT（四二甲基氨基钛），TDEAT（四二乙氨基钛），TEMAT（四乙基甲基钛）。 因此，为了形成氧化钛膜和在化学气相沉积方法在同一时间 - 通过原位掺杂方法C，N等，以钛氧化物可在可见光区域中得到的氧化钛膜的优异的光学活性。

公开(公告)号：KR1020130037569A

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：KR1020110102036

申请日：2011-10-06

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김도형

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/42

Abstract: PURPOSE: An inverted organic solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve the mobility of electrons by using a high quality thin film electron transport layer formed by atomic layer deposition. CONSTITUTION: A substrate(210) including a first electrode(220) is prepared. An electron transport layer(230) is formed on the first electrode. The electron transport layer is a thin metal oxide layer which is formed by using an atomic layer deposition method. An organic light active layer(240) is formed on the electron transport layer. A hole transport layer(250) and a second electrode(260) are sequentially formed on the organic light active layer.

Abstract translation: 目的：提供一种倒置有机太阳能电池及其制造方法，以通过使用通过原子层沉积形成的高质量薄膜电子传输层来提高电子的迁移率。 构成：制备包括第一电极（220）的衬底（210）。 电子传输层（230）形成在第一电极上。 电子传输层是通过使用原子层沉积法形成的薄金属氧化物层。 在电子传输层上形成有机光活性层（240）。 空穴传输层（250）和第二电极（260）依次形成在有机光有源层上。

公开(公告)号：KR100662006B1

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：KR1020040061821

申请日：2004-08-05

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김도형

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 광촉매용 티타늄 산화막(TiOx)을 형성하는 방법에 관한 것으로, 화학기상증착용 챔버 내부로 기판을 준비하고, 챔버에 부착된 버블러에 장착된 전구체에 기화용 가스를 주입하여 전구체를 기화시켜 챔버 내로 공급하고 공급된 전구체가 기판에 흡착되도록 한다. 기화된 전구체의 공급을 중단하고 챔버를 퍼징하여 흡착되지 않은 전구체를 제거하고, 챔버 내로 반응가스를 공급하고 전구체와 반응가스를 반응시켜 기판 상에 티타늄 산화막을 형성하고, 반응가스 중 반응하고 남겨진 과잉 반응가스와 반응 부산물을 퍼징하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 전구체, 반응가스 및 플라즈마를 시분할하여 공급하고 이들의 중간에 챔버를 퍼징함에 따라 기상 반응에 의한 미립자의 생성을 방지할 수 있다.
티타늄 산화막, 화학기상증착, CVD, 시분할, 퍼징

Abstract translation: 制备的是，基片到化学气相沉积室中以使用化学气相沉积法形成用于光催化性氧化物膜（的TiOx）钛，和汽化前体的方法本发明气体安装到附接至腔室中的起泡 为了蒸发前体并将其供应到腔室中，使得所提供的前体被吸附在基底上。 停止所述蒸发的前体的供应，并通过清除室除去未吸附的前体，并且在所述反应气体，和将前体和反应性气体以形成在基板上的氧化钛膜，和反应气体的反应进行反应，并离开所述腔室 并清除反应气体和反应副产物。 以这种方式，有可能以提供给前体，反应气体和等离子体，以防止微粒的产生通过气相反应的时分，如在它们的中间的清洗室。

公开(公告)号：KR1020060013046A

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：KR1020040061821

申请日：2004-08-05

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김도형

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 광촉매용 티타늄 산화막(TiOx)을 형성하는 방법에 관한 것으로, 화학기상증착용 챔버 내부로 기판을 준비하고, 챔버에 부착된 버블러에 장착된 전구체에 기화용 가스를 주입하여 전구체를 기화시켜 챔버 내로 공급하고 공급된 전구체가 기판에 흡착되도록 한다. 기화된 전구체의 공급을 중단하고 챔버를 퍼징하여 흡착되지 않은 전구체를 제거하고, 챔버 내로 반응가스를 공급하고 전구체와 반응가스를 반응시켜 기판 상에 티타늄 산화막을 형성하고, 반응가스 중 반응하고 남겨진 과잉 반응가스와 반응 부산물을 퍼징하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 전구체, 반응가스 및 플라즈마를 시분할하여 공급하고 이들의 중간에 챔버를 퍼징함에 따라 기상 반응에 의한 미립자의 생성을 방지할 수 있다.
티타늄 산화막, 화학기상증착, CVD, 시분할, 퍼징

公开(公告)号：KR102086574B1

公开(公告)日：2020-03-09

申请号：KR1020180038474

申请日：2018-04-03

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김도형

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52